profil Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk
  Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

zegar

To proste!

zobacz szczegóły
r e k l a m a

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

baza zobacz szczegóły
ELEKTRONIKA, ENERGETYKA, ELEKTROTECHNIKA ›
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA › 2008-1
 

Publikacja: Optoelektroniczny czujnik do oznaczania stężenia tlenu rozpuszczonego w roztworach wodnych
Autor: KRZYSZTOF SUCHOCKI  

Pomiary stężenia tlenu należą do najczęściej wykonywanych w ochronie środowiska naturalnego. Są bardzo ważne ponieważ na podstawie wyników ich oceniany jest stan środowiska naturalnego. Do chwili obecnej najczęściej wykorzystywanymi czujnikami tlenu są czujniki elektrochemiczne, budowane na podstawie koncepcji Clarka. Ich największą zaletą jest prostota konstrukcji, zaś wadą stosunkowa mała [...]

 

Prenumerata

Zamów papierową prenumeratę w wersji PLUS czasopisma ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA i zyskaj dostęp do pozostałych elektronicznych publikacji tego czasopisma z lat 2004-2011 (od 1 marca również rok 2012).
Nie zwlekaj - skorzystaj z tysięcy publikacji o najwyższym poziomie merytorycznym.
prenumerata papierowa roczna PLUS (z dostępem do archiwum e-publikacji) - tylko 397,08 zł
prenumerata papierowa roczna PLUS z 10% rabatem (umowa ciągła) - tylko 357,37 zł *)
prenumerata papierowa roczna - 352,80 zł
prenumerata papierowa półroczna - 176,40 zł
prenumerata papierowa kwartalna - 88,20 zł
okres prenumeraty:   
*) Warunkiem uzyskania rabatu jest zawarcie umowy Prenumeraty Ciągłej (wzór formularza umowy do pobrania).
Po jego wydrukowaniu, wypełnieniu i podpisaniu prosimy o przesłanie umowy (w dwóch egzemplarzach) do Zakładu Kolportażu Wydawnictwa SIGMA-NOT.
Zaprenumeruj także inne czasopisma Wydawnictwa "Sigma-NOT" - przejdź na stronę fomularza zbiorczego »

 

POZOSTAŁE PUBLIKACJE W TYM ZESZYCIE:
Badania nad źródłami domieszek o dużej zawartości fosforu, stosowanymi w technologii wytwarzania krzemowych ogniw słonecznych
 
EDYTA WRÓBEL  KRZYSZTOF WACZYŃSKI  WOJCIECH FILIPOWSKI  
Celem badań było wykonanie i przebadanie fosforowych roztworów o wysokim stężeniu domieszki do niskotemperaturowych procesów dyfuzji, pod kątem zastosowania ich do wytwarzania struktur fotowoltaicznych. Wytworzenie emiterowej warstwy n+ jest jednym z etapów wytwarzania fotowoltaicznych struktur krzemowych. W tym celu wykorzystano roztwory domieszkowo-krzemowe na bazie fosforu, które nanoszon[...]
 
Badanie defektów punktowych w objętościowych monokryształach 6H-SiC otrzymanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej
 
MICHAŁ KOZUBAL  PAWEŁ KAMIŃSKI  ROMAN KOZŁOWSKI  MARIUSZ PAWŁOWSKI  WŁADYSŁAW HOFMAN  
Właściwości monokryształów SiC, zwłaszcza szeroka przerwa zabroniona, doskonałe przewodnictwo cieplne oraz duże natężenie pola elektrycznego powodującego przebicie, sprawiają, że materiał ten jest bardzo przydatny do wytwarzania nowej generacji przyrządów elektronowych pracujących w zakresie wielkich częstotliwości, dużych mocy i w podwyższonej temperaturze. Parametry tych przyrządów silnie [...]
 
Characterization of MOS structures with multilayer high-k insulator
 
TOMASZ GUTT  
Many problems regarding the quality of high-k insulator layers and the interface with silicon substrate have not been resolved yet. The high-k oxide structure is much more rigid than SiO2 [1]. Crystallization introduces nonuniformity of the grain size, and leads to a higher density of structural defects. Hence, various trapping and other charge redistribution mechanisms occur in the insulato[...]
 
Characterization of SOI structures by means of 3-level charge-pumping
 
GRZEGORZ GŁUSZKO  LIDIA ŁUKASIAK  ANDRZEJ JAKUBOWSKI  
SOI (Silicon-on-insulator) technology is considered one of the best candidates to ensure further progress of silicon microelectronics [e.g. 1] since most of the multiple gate devices are fabricating using this technology. The progress requires, however, efficient and reliable characterization. Since the body thickness in SOI devices is being reduced, the importance of surface characterizatio[...]
 
Coupled thermo-electro-mechanical modeling and simulation of 3D micro- and nanostructures
 
TOMASZ BIENIEK  PAWEŁ JANUS  ANDRZEJ KOCIUBIŃSKI  PIOTR GRABIEC  GRZEGORZ JANCZYK  JERZY SZYNKA  
The complex silicon systems formed by the several specialized devices like SOC, RF devices, power devices, MEMS wafers are fabricated in dedicated technologies. If the designer attempts to integrate them into the one big multifunctional system (Fig. 1), he meets the new, yet unexplored fields for the multidisciplinary, mutually dependent thermal, electrical, EM and mechanical parameters mode[...]
 
Elementy magnetyczne w zasilaczu o mocy 2 kW
 
SŁAWOMIR LIGENZA  WALDEMAR RACZKO  JAKUB WARZECHA  
Przedstawiono proces optymalizacji konstrukcji elementów magnetycznych stosowanych w zasilaczu dużej mocy, zasilanym z sieci jednofazowej. Dedykowaną aplikacją jest przemysłowy system ładowania akumulatorów o napięciu maksymalnym 155 V i programowanej charakterystyce prąd-napięcie. Konstrukcja przygotowywana jest tak, aby spełnić wymagania stawiane przez dyrektywę CE oraz przemysł samochodow[...]
 
Komputerowa symulacja trawienia struktur przestrzennych w podłożach krzemowych o różnych orientacjach krystalograficznych
 
IRENA ZUBEL  MAŁGORZATA KRAMKOWSKA  SABINA ROSIEK  MARCIN KOSIŃSKI  
Opracowanie aplikacji komputerowej symulującej przebieg procesu anizotropowego trawienia krzemu poprzedzono analizą kształtów struktur przestrzennych uzyskanych doświadczalnie w wyniku trawienia podłoży o różnych orientacjach krystalograficznych. Symulację przeprowadzono dla trawienia w roztworach wodorotlenku potasu nasyconych związkami organicznymi z grupy alkoholi. Stworzenie takiej aplik[...]
 
Koncepcja metody pomiaru stężenia metali ciężkich w glebie i osadach pościekowych
 
KRZYSZTOF SUCHOCKI  
W trakcie oczyszczania ścieków powstają osady pościekowe, które ze względu na zawartość w nich bardzo dużej ilości związków organicznych, są coraz częściej używać do nawożenia gleb wykorzystywanych do produkcji roślinnej. Duża zawartość metali ciężkich w osadach pościekowych wymaga kontroli ich stężenia w nawożonej glebie, aby po nawiezieniu jej osadem nie przekroczyć dopuszczalnych wartości[...]
 
Książki
 
Robert A. Kosiński: Sztuczne sieci neuronowe. Dynamika liniowa i chaos. Wydawnictwa Naukowo-Techniczne, wyd. III, Warszawa 2007,www.wnt.pl Dynamiczny rozwój badań nad sztucznymi sieciami neuronowymi wiąże się z odkryciami w dziedzinie fizjologii układu nerwowego organizmów żywych, zwłaszcza funkcjonowania mózgu ludzkiego. Znana jest już budowa komórek tworzących układ nerwowy człowieka, [...]
 
Materiały grubowarstwowe dla technologii hybrydowych - stan obecny i perspektywy rozwoju
 
MAŁGORZATA JAKUBOWSKA  
Technologia grubowarstwowa jest podstawową technologia używaną do wytwarzania mikroukładów hybrydowych. Jej głównymi zaletami są: odporność warstw na działanie środowiska (zastosowania w przemyśle samochodowym, lotniczym), wysoka niezawodność w porównaniu z technologią obwodów drukowanych (PCB), możliwość pracy w wielkich częstotliwościach (układy mikrofalowe), łatwość domontowywania elemen[...]
 
Mikronanokompozyt grafit-cynk jako materiał do konstrukcji sensora temperatury węzła tarcia
 
TADEUSZ HABDANK-WOJEWÓDZKI  JÓZEF HABDANK  
Mikronanokompozyty są mieszaninami faz nano i faz mikro oraz faz przejściowych, tzw. mezofaz, przeważnie powstałych np. w procesach technologicznych. Występuje korelacja pomiędzy skalą wielkości składników fazowych a ich właściwościami [1, 2]. W nanokompozytach obserwujemy polepszenie właściwości mechanicznych, tribologicznych oraz eletrotribologicznych, również w przecięciu ze skalą mikro. [...]
 
Modelling of temperature dependence of quantum well solar cell parameters
 
JOANNA PRAŻMOWSKA  REGINA PASZKIEWICZ  MAREK TŁACZAŁA  
The development of solar cells market is oriented on fabrication cost reduction and conversion efficiency enlargement of these devices [1] thus various techniques are intensively investigated. In consequence AIII-BV solar cell structures become more complicated. Solar cells with AIII-BV quantum wells (QW) have attracted great attention of researchers mainly by the tremendous predicted values[...]
 
MOVPE - present state, future challenges, application in optoelectronic structures
 
BEATA ŚCIANA  
Metal organic vapour phase epitaxy (MOVPE) has begun in the 19th century when the possibility of vapour transport of metals using organic compounds was demonstrated by Edward Frankland and Ludwig Mond [1]. In the 1960's and 1970's a lot of papers showed that MOVPE in open tube was applicable to the deposition of a wide spectrum of AIIIBV semiconductor compounds such as: GaAs, GaA[...]
 
Nowości techniki
 
ASUS PDA: A686, A696 - projektowane z myślą o biznesie PDA to przenośne minikomputery, które mieszczą się w bardzo eleganckiej, małej obudowie zaprojektowanej przez wzorników ASUS. Szczególnie pomogą w pracy tym, którzy często podróżują. Biznesmeni docenią ich poręczność oraz funkcjonalność. W modelach A686 i A696 zastosowano system Windows Mobile 6 dający wiele korzyści. Poza tym urząd[...]
 
Opracowanie fotoelektrycznej metody LPT pomiaru napięcia wyprostowanych pasm UFB w półprzewodniku
 
KRZYSZTOF PISKORSKI  HENRYK M. PRZEWŁOCKI  
Podjęcie prac na opracowaniem fotoelektrycznej metody LPT (Light Pulse Technique) pomiaru napięcia wyprostowanych pasm UFB w półprzewodniku podyktowane było zbyt małą dokładnością dotychczasowych metod określania tego parametru. Dokładność pomiarów charakterystyk pojemnościowonapięciowych C = f (UG) kondensatora MOS jest nie lepsza niż ±100 mV, a w przypadku pomiarów struktur o podłoż[...]
 
Organiczne ogniwa fotowoltaiczne
 
RYSZARD SIGNERSKI  JAN GODLEWSKI  
Organiczne ogniwa fotowoltaiczne (OOF) zbudowane są z materiałów organicznych o małym ciężarze cząsteczkowym lub z polimerów, które aktywnie uczestniczą w konwersji energii świetlnej na elektryczną. Wielu autorów początek współczesnej fotowoltaiki organicznej wiąże z pracą Tanga [1]. Wykazała ona, że heterozłącze ftalocjanina miedzi - barwnik perylenowy pozwala uzyskać wydajność konwersji en[...]
 
Osadzanie warstw SiC na podłożach krzemowych metodą sputteringu
 
BEATA STAŃCZYK  ANDRZEJ JAGODA  LECH DOBRZAŃSKI  
Węglik krzemu, dzięki swoim właściwościom fizykochemicznym, takim jak: wysokie napięcie przebicia pola elektrycznego (2,2 × 106 V/cm), dobre przewodnictwo termiczne (3,0...3,8 W/cm K), wartość przerwy energetycznej równa od 2,3 do 3,1 eV (dla różnych politypów) [4], duża ruchliwość nośników i wysoka odporność na działanie czynników chemicznych, jest interesującym materiałem do produkcji urzą[...]
 
Precyzyjne wymuszanie zerowej magnetyzacji przy pomiarach materiałowych
 
ZDZISŁAW MĄCZEŃSKI  JANUSZ ROGOWSKI  MIKOŁAJ BASZUN  
Powszechnie stosowane do określenia stanu materiału magnetycznego w momencie rozpoczęcia badań, usankcjonowane normą IEC, elektryczne sposoby wymuszania zerowej magnetyzacji okazują się niedostateczne przy bardzo precyzyjnych pomiarach nowoczesnych materiałów magnetycznych, takich jak np. magnetyki amorficzne lub mikrokrystaliczne. Nieznana, przypadkowa magnetyzacja resztkowa tych materiałó[...]
 
Procesy degradacyjne w polimerowych warstwach przewodzących z wypełniaczem Cu-C
 
MICHAŁ CIEŻ  ANDRZEJ ŁUKASIK  STANISŁAW NOWAK  
Warstwy przewodzące ze spoiwem polimerowym są powszechnie stosowane do wykonywania tanich obwodów drukowanych. Jako wypełniacz przewodzący najczęściej jest wykorzystywane srebro płatkowe o uziarnieniu poniżej 20 µm. Mikrokompozyty polimerowo-srebrowe od wielu lat z powodzeniem są używane do wykonywania elastycznych warstwowych grzejników na powierzchni folii poliestrowej. Grzejniki ta[...]
 
Reaktywne trawienie jonowe węglika krzemu SiC
 
KRZYSZTOF PIOTR GÓRA  
Tradycyjne technologie bazujące na krzemie wytwarzają przyrządy zdolne do pracy w temperaturze do około 150°C. Ograniczenie temperatury pracy przyrządów krzemowych wynika głównie z niskiego współczynnika przewodności cieplnej, małej szerokości przerwy zabronionej i możliwości przebicia struktury (małe krytyczne pole elektryczne). Cieszący się coraz większym zainteresowaniem węglik krzemu je[...]
 
Studies of the feasibility of using global and local optimization methods in MOSFET characterization
 
JAROSŁAW ARABAS  SŁAWOMIR SZOSTAK  LIDIA ŁUKASIAK  ANDRZEJ JAKUBOWSKI  
Characterization of semiconductor devices is usually based on very simple models [e.g. 1]. The advantage of this approach is that the procedures of parameter extraction are very straightforward (e.g. plotting the experimental data in such a coordinate system that a more or less straight line is obtained and then determining the desired parameters from the intercept with either axis or from t[...]
 
Thermoelectric force in Ni-P resistive layers
 
ZBIGNIEW PRUSZOWSKI  PIOTR KOWALIK  
Thermo-electric force is a phenomenon known for a long time. The first attempt of industrial use of the thermo-electric effect took place in the 60’ s of the previous century. The main application of thermoelectric effect are: ● thermoelectric generators, ● thermoelectric cooling modules. Apart from using the thermoelectric force in the mentioned devices, it can be also th[...]
 
Tranzystory TFT z amorficznego GaN otrzymane na powierzchni krzemowej lub kwarcowej z metalizowanym wzorem
 
ANDRZEJ JAGODA  BEATA STAŃCZYK  LECH DOBRZAŃSKI  ANNA ROJEK  
W latach 1997-1998 S.Kobayashi i inni [1-3] zaproponowali wykonanie tranzystorów TFT z cienkich warstw amorficznych i polikrystalicznych GaN. Zaletą GaN jest duża przerwa zabroniona 3,39 eV, co czyni ten materiał przezroczystym (nieabsorbującym) dla promieniowania widzialnego i powoduje niewrażliwość tranzystora TFT na zmianę oświetlenia. Do chwili obecnej brak nowych doniesień na temat dals[...]
 
Wpływ grubości warstw na optyczno-elektryczne parametry grubowarstwowych struktur elektroluminescencyjnych
 
MICHAŁ CIEŻ  STANISŁAW NOWAK  ZBIGNIEW PORADA  JANUSZ PTAK  
Grubowarstwowe elektroluminescencyjne źródła światła wyróżniają się szeregiem zalet, które preferują je do zastosowań, gdzie problem jakości światła ma zasadnicze znaczenie. Cechy te: zimne, równomierne i nie rażące światło, doskonale widoczne z dużych odległości w mrocznym i zamglonym środowisku, bardzo mały pobór mocy, emisja nie migotającego światła, możliwość płynnej regulacji natężenia [...]
 
Wpływ procesu starzenia na parametry cienkich warstw LSFO
 
SYLWIA PISKORSKA  
Bolometry są ważną grupą detektorów promieniowania optycznego pracujących w zakresie bliskiej i średniej podczerwieni. Należą do grupy detektorów termicznych wykorzystujących zmianę przewodnictwa elektrycznego od temperatury. Obecnie wykonuje się bolometry metaliczne, termistorowe, półprzewodnikowe, kompozytowe i przewodzące. Badania różnych materiałów stosowanych w detektorach termicznych m[...]
 
Wpływ składu materiałowego na przewodnictwo elektryczne cienkich warstw otrzymanych na bazie TiO2
 
EUGENIUSZ PROCIÓW  JAROSŁAW DOMARADZKI  AGNIESZKA BORKOWSKA  DANUTA KACZMAREK  TADEUSZ BERLICKI  BOGDAN ADAMIAK  KAROLINA SIERADZKA  
Jednym z materiałów podstawowych, wykorzystywanych do wytwarzania cienkich warstw typu TOS (Transparent Oxide Semiconductor) jest TiO2. Do najważniejszych właściwości tlenku tytanu należy zaliczyć, między innymi, szeroką przerwę zabronioną (>3 eV [2]), co z jednej strony sprawia, iż jest on izolatorem w temperaturze pokojowej, ale z drugiej zapewnia dobrą przeźroczystość dla promieniowania w[...]
 
Wpływ szumu na wymiar fraktalny profilu powierzchni ciała stałego modyfikowanego wiązką jonową
 
JANUSZ MARTAN  PAWEŁ JAGUś  
Znajomość cech profilu chropowatości powierzchni stanowi podstawę analizy jego struktury geometrycznej (SGP). Istnieje wiele metod wyznaczania profilu powierzchni ciała stałego, jednak wszystkie obarczone są pewną wadą, mianowicie wprowadzają do wyników pomiarowych zakłócenia w postaci szumu, co w znacznym stopniu może zniekształcać wyniki analizy. Metody określania cech profilu chropowatoś[...]
 
Wykorzystanie mikroskopii sił atomowych w badaniach nad formowaniem powierzchni krzemowych ogniw słonecznych
 
KRZYSZTOF WACZYŃSKI  WOJCIECH FILIPOWSKI  PIOTR PANEK  KAZIMIERZ DRABCZYk  ANNA OLECHOWSKA  
Olbrzymi wpływ na sprawność krzemowych ogniw słonecznych ma stan powierzchni płytki podłożowej. Powszechnie stosowanym zabiegiem podnoszącym stopień konwersji energii słonecznej na elektryczną jest teksturyzacja powierzchni krzemu. Jednak tego typu strukturę można przede wszystkim wytworzyć poddając procesowi trawienia krzem monokrystaliczny. W przypadku powszechnie stosowanego obecnie do w[...]
 
Zasilacz dużej mocy do wielkogabarytowej wyrzutni magnetronowej
 
KONSTANTY MARSZAŁEK  ALEKSANDER DZIADECKI  JANUSZ GRZEGORSKI  JÓZEF SKOTNICZNY  
Magnetronowe rozpylanie jonowe [1, 2, 3] jest najpowszechniej stosowaną techniką pokrywania różnorodnych podłoży cienkimi warstwami metali i ich związków. Zwiększanie wielkości produkcji i gabarytów nanoszonych warstw zmusza do rozwiązywania problemów związanych z budową wielkogabarytowych komór próżniowych, wyrzutni magnetronowych [4, 5], jak i ich zasilaczy [6-11]. Prezentowany zasilacz z[...]
 
Zastosowanie algorytmu ewolucyjnego do znajdowania przybliżeń początkowych w symulacji struktur półprzewodnikowych
 
GRZEGORZ WĄCHAŁA  ANDRZEJ PFITZNER  
Symulacja przyrządów półprzewodnikowych, oparta na rozwiązaniu równań transportu, wymaga wyznaczenia przybliżeń początkowych rozkładu potencjału i koncentracji nośników dla zainicjowania procedury numerycznej. Istniejące analitycznonumeryczne metody ich wyznaczania, np. [1], nie są uniwersalne, co komplikuje i wydłuża obliczenia wstępne, a zastosowane uproszczenia mogą powodować nawet brak z[...]
 
Zastosowanie algorytmu ewolucyjnego do znajdowania przybliżeń początkowych w symulacji struktur półprzewodnikowych
 
GRZEGORZ WĄCHAŁA  ANDRZEJ PFITZNER  
Symulacja przyrządów półprzewodnikowych, oparta na rozwiązaniu równań transportu, wymaga wyznaczenia przybliżeń początkowych rozkładu potencjału i koncentracji nośników dla zainicjowania procedury numerycznej. Istniejące analitycznonumeryczne metody ich wyznaczania, np. [1], nie są uniwersalne, co komplikuje i wydłuża obliczenia wstępne, a zastosowane uproszczenia mogą powodować nawet brak z[...]
 
Zastosowanie matryc DMD do bezpośredniego naświetlania obrazu ścieżek elektrycznych o wysokiej gęstości upakowania na płytkach drukowanych
 
ROBERT BARBUCHA  MAREK KOCIK  JERZY MIZERACZYK  
Dzisiejszy przemysł elektroniczny wymaga mniejszych, lżejszych, tańszych i bardziej złożonych (szybka transmisja informacji) płytek drukowanych. Zwiększające się zapotrzebowanie na płytki drukowane o coraz większej gęstości upakowania wymaga nowych, dokładniejszych i szybkich technologii ich wytwarzania. Aby sprostać tym wymaganiom, konieczne jest opracowywanie nowych sposobów tworzenia moza[...]
 
Zastosowanie niskokątowej analizy promieniowania X (GIXA) do badań układów cienkowarstwowych
 
PIOTR MIETNIOWSKI  WIESŁAW POWROŹNIK  JAROSŁAW KANAK  TOMASZ STOBIECKI  PIOTR KUŚWIK  
Ze względu na postępujący stopień miniaturyzacji układów elektronicznych, struktury wielowarstwowe stają się coraz cieńsze, a grubości niektórych warstw wynoszą kilka warstw monoatomowych. W związku z tym bardzo dokładny pomiar grubości, w celu wycechowania aparatury, za pomocą której warstwy są nanoszone jest bardzo ważny. Zastosowanie promieniowania rentgenowskiego umożliwia pomiar grubośc[...]
 

Czasowy dostęp

zegar Wykup czasowy dostęp do tego czasopisma.
Zobacz szczegóły»