profil Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk
  Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

zegar

To proste!

zobacz szczegóły
r e k l a m a

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

baza zobacz szczegóły
ELEKTRONIKA, ENERGETYKA, ELEKTROTECHNIKA ›
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA › 2009-6
 

Publikacja: Estymacja parametrówmodelu Danga tranzystora MOS
Autor: JANUSZ ZARĘBSKI  DAMIAN BISEWSKI  

Tranzystory MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) zajmują ważną pozycję we współczesnej elektronice i są głównie stosowane w elektronicznych układach wzmacniaczy, kluczy oraz przetwornic napięcia. Projektowanie oraz analiza układów z tymi tranzystorami wymaga użycia odpowiednich programów komputerowych. Popularnym i chętnie stosowanym przez inżynierów oraz konstruktorów wyżej wymienionych układów programem komputerowym jest PSPICE [1-7], zawierający wbudowane fizyczne modele elementów biernych oraz modele podstawowych elementów półprzewodnikowych, w tym rozważanego tranzystora MOS. W programie PSPICE (wersja 10.0) dostępne są następujące modele tranzystora MOS: model Shichmana-Hodgesa, model Meyera, model Danga, model BSIM, model EKV, model BSIM3 [1]. Na szczególną uwagę zasługuje[...]

 

Prenumerata

Zamów papierową prenumeratę w wersji PLUS czasopisma ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA i zyskaj dostęp do pozostałych elektronicznych publikacji tego czasopisma z lat 2004-2011 (od 1 marca również rok 2012).
Nie zwlekaj - skorzystaj z tysięcy publikacji o najwyższym poziomie merytorycznym.
prenumerata papierowa roczna PLUS (z dostępem do archiwum e-publikacji) - tylko 397,08 zł
prenumerata papierowa roczna PLUS z 10% rabatem (umowa ciągła) - tylko 357,37 zł *)
prenumerata papierowa roczna - 352,80 zł
prenumerata papierowa półroczna - 176,40 zł
prenumerata papierowa kwartalna - 88,20 zł
okres prenumeraty:   
*) Warunkiem uzyskania rabatu jest zawarcie umowy Prenumeraty Ciągłej (wzór formularza umowy do pobrania).
Po jego wydrukowaniu, wypełnieniu i podpisaniu prosimy o przesłanie umowy (w dwóch egzemplarzach) do Zakładu Kolportażu Wydawnictwa SIGMA-NOT.
Zaprenumeruj także inne czasopisma Wydawnictwa "Sigma-NOT" - przejdź na stronę fomularza zbiorczego »

 

POZOSTAŁE PUBLIKACJE W TYM ZESZYCIE:
Aktywna antena radiolokacyjna na pasmo S. Część 3. System nadawczy
 
ANNA CZWARTACKA  JACEK CHOLEWA  TOMASZ LORENS  ROBERT SENDER  KONRAD SZUSTAK  BOGDAN STACHOWSKI  
System antenowy aktywnej anteny radiolokacyjnej według koncepcji opisanej w części 1 artykułu [1] wykorzystuje do nadawania radiolokacyjnych sygnałów sondujących szesnastowierszową strukturę promieniującą. Do każdego z wierszy struktury promieniującej nadawczego systemu antenowego są doprowadzane sygnały impulsowe o określonej amplitudzie i fazie, wytwarzane w blokach formowania wiązki nadawczej. W systemie zastosowano układ symetrycznego pobudzania struktury promieniującej przez sygnały wytwarzane w dwóch niezależnych blokach formowania wiązki nadawczej. Takie rozwiązanie pozwoliło na zwiększenie mocy wypromieniowywanej w przestrzeń, dzięki zmniejszeniu strat w liniach doprowadzających moc do struktury promieniującej i zmniejszeniu strat w układach składania mocy w modułach. [...]
 
Badania lokalności aplikacji równoległych bazujących na tworzeniu niezależnych wątków obliczeń
 
WŁODZIMIERZ BIELECKI  KRZYSZTOF KRASKA  
Współczesne problemy naukowo-inżynierskie wymagają zastosowania złożonych obliczeniowo aplikacji, skutkując zwiększeniem czasu wykonania kodu programu. Naturalnym sposobem uzyskania przyśpieszenia - zwłaszcza dziś, gdy wieloprocesorowe architektury SMP (ang. Symmetric Multiprocessing) z pamięcią dzieloną są powszechne - jest zrównoleglenie programów sekwencyjnych i wykonanie w środowisku wieloprocesorowym. Skalowalność architektur SMP jest jednak ograniczona wydajnością magistrali/przełącznicy. Poprawę skalowalności uzyskuje się poprzez zastosowanie wielopoziomowej hierarchii pamięci, w której poziomy pamięci kolejno oddalone od procesora są tańsze, większe pod względem rozmiaru lecz cechują się dłuższym czasem dostępu. Aktualnie rynek oferuje wiele układów wieloprocesorowych [...]
 
Charakteryzacja diod p-i-n wytworzonych metodą implantacji warstw epitaksialnych 4H-SiC jonami glinu
 
NORBERT KWIETNIEWSKI  MARIUSZ SOCHACKI  JAN SZMIDT  ANDRZEJ DROŹDZIEL  MIROSŁAW KULIK  SŁAWOMIR PRUCNAL  KRZYSZTOF PYSZNIAK  MICHAŁ RAWSKI  MARCIN TUREK  JERZY ŻUK  
Węglik krzemu jest szerokoprzerwowym półprzewodnikiem o właściwościach materiałowych korzystnych przy konstrukcji elementów elektronicznych wysokich mocy i częstotliwości, mogących pracować w wysokiej temperaturze i w środowisku agresywnym chemicznie. Jest to także materiał atrakcyjny ze względu na zastosowania w technice jądrowej i kosmicznej. W ostatnich kilku latach nastąpił znaczny postęp w otrzymywaniu wysokiej jakości monokryształów oraz warstw epitaksjalnych SiC. W szczególności polityp 4H-SiC o dużej wartości przerwy energetycznej równej 3,2 eV i ze względu na wyższe wartości ruchliwości nośników niż 6H-SiC ma obecnie największe znaczenie technologiczne. Implantacja jonami glinu jest najbardziej odpowiednią metodą powtarzalnego i selektywnego otrzymywania warstw typu p[...]
 
Flexible packet scheduling algorithm utilization for on-chip networks
 
PAWEŁ STOLARSKI  TOMASZ MĄKA  PIOTR DZIURZAŃSKI  
Using contemporary technology, it is possible to implement a large number of computational units inside a single chip. Such kind of chip is usually referred to as System on Chip - SoC. A typical system of this type is usually composed of computational elements, I/O interfaces, memory, and communication infrastructure. Due to the continuously increasing complexity of these systems and low scalability of inner connections, system cores are connected with Network on Chip (NoC) [1]. These networks are an alternative to the state-of-the-art point to point or bus-based connections and, similarly to buses, they offer an universal interface for connecting SoC elements. However, NoCs guarantee better electrical parameters of transmitted signals, higher bandwidth and are capobility of tr[...]
 
Lead free electronic module test research for motion control of cars front windscreen wipers
 
ANELIYA MANUKOVA-MARINOVA  VALENTIN DIMOV  AVRAM LEVI  DOJCHIN STEPHANOV  
There is an increased demand for complying with the environmental protection requirements not only in the modern electronic production process, but also in their out exploitation phase [1,6]. The electronic automobile industry observes the conditions set by the European Union on ecologically clean products and introduces its lead free technology production everythere, where people safety regulations permit [4]. Ecologically clean (Green)-electronic items and wares become more and more popular, but common standards objectively defining them as such have not been existing yet, so each producer creates their own criteria for this. For product validation and production process feasibility series of tests and control operations have to be performed [2]. The tests are of a general c[...]
 
Modele i makromodele tranzystorów MOS mocy dla programu SPICE
 
JANUSZ ZARĘBSKI  DAMIAN BISEWSKI  
Modelowanie tranzystorów MOS mocy jest ważnym zagadnieniem, istotnym z punktu widzenia projektowania i analizy układów elektronicznych i energoelektronicznych, w których występują te elementy.Współczesny inżynier - konstruktor takich układów, musi dysponować wiarygodnymi modelami tranzystora MOS mocy oraz programami komputerowymi akceptującymi te modele. Takim programem jest na przykład program SPICE, dostępny obecnie w wielu odmianach, np. PSPICE, ISSPICE, LTSPICE, z których każda stanowi swoiste rozwinięcie wersji podstawowej. W programie SPICE są dostępne, zróżnicowane pod względem złożoności i dokładności, wbudowane modele tranzystora MOS, które jak wynika z literatury [1-6] można z powodzeniem stosować do modelowania rozważanych elementów mocy.Wliteraturze krajowej oraz [...]
 
Nowe telefony Nokia E75 i E52
 
Firma Nokia wprowadziła na polski rynek najnowszy telefon biznesowy Nokia E75. Nokia E75 to pierwsze urządzenie firmy wyposażone w wysuwaną z boku klawiaturę QWERTY. Dzięki Nokia Messaging telefon oferuje użytkownikom dostęp do poczty prywatnej i biznesowej poprzez większość istniejących kont e-mail, m.in. Yahoo! Mail®, Gmail, Windows Live Hotmail, Interia, Onet, Wirtualna Polska, a wiadomości na telefon dostarczane są automatycznie i na bieżąco. Pocztę w telefonie można skonfigurować w kilka sekund za pomocą trzech prostych kroków. Nokia E75 to pierwszy telefon z licencją na usługę Nokia Messaging, która dostępna jest w nim bezpłatnie na całe życie produktu. Poręczna Nokia E75 udostępnia nowy, rozbudowany i bardzo wygodny interfejs poczty email. Telefon wyposażony jest w b[...]
 
Ocena parametrów statycznych diod Schottky’ego z SiC
 
ARKADIUSZ SZEWCZYK  ALICJA KONCZAKOWSKA  BARBARA STAWARZ-GRACZYK  
Prowadzone od wielu lat prace nad technologią wytwarzania elementów półprzewodnikowych z węglika krzemu (SiC) zakończyły się sukcesem w zakresie produkcji diod Schottky’ego z SiC. Dostępne są komercyjne diody Schottky’ego produkcji, np. firmy CREE i firmy INFINEON. Zgodnie z informacjami producentów diody te charakteryzują się pomijalnie małym wstecznym prądem przejściowym przy wyłączaniu diody, stosunkowo małym spadkiem napięcia w stanie przewodzenia diody Schottky’ego z SiC w porównaniu z diodą krzemową PIN.Wkartach katalogowych przytaczane są charakterystyki statyczne przy polaryzacji diod Schottky’ego w kierunku przewodzenia i zaporowym, które potwierdzają wyżej przytoczone właściwości [1,2]. Celem pomiarów było sprawdzenie powtarzalności parametrów[...]
 
Optymalizacja konstrukcji i modelowanie tranzystora RESURF LJFET w 4H-SiC
 
ANDRZEJ TAUBE  MARIUSZ SOCHACKI  JAN SZMIDT  
Zaprezentowane w 2001 roku komercyjnie dostępne diody Schottky’ego wykonane w technologii węglika krzemu (SiC), w szybkim tempie wyparły krzemowe diody p-i-n w nowoczesnych przekształtnikach energoelektronicznych pracujących przy napięciu do 1200 V [1,2]. Diody te znalazły zastosowanie przede wszystkim w układach do korekcji współczynnika mocy (PFC) zasilaczy impulsowych [3], w falownikach pracujących w systemach fotowoltaicznych [4] oraz w układach sterowania silnikami elektrycznymi [5], gdzie współpracują typowo jako diody zwrotne z tranzystorami typu MOSFET lub IGBT. Główną zaletą diod Schottky’ego SiC w porównaniu z krzemowymi diodami p-i-n okazała się mniejsza pojemność złącza i w efekcie małe straty mocy przy przełączaniu [6]. Krzemowe diody Schottky’e[...]
 
Polimery elektroprzewodzące w elektronice i analityce biochemicznej
 
WŁADYSŁAW TORBICZ  DOROTA PIJANOWSKA  
Szybki rozwój elektroniki i inżynierii materiałowej, a szczególnie dotyczący technologii półprzewodnikowych i chemii polimerów, doprowadził do opracowania wielu nowych materiałów o bardzo interesujących właściwościach. Jednym z ważnych odkryć w tym zakresie, dokonanym w latach 70. ubiegłego wieku było wynalezienie, a następnie rozwój technologii polimerów elektroprzewodzących (przewodzących). Właściwości elektryczne optyczne, chemiczne, elektrochemiczne, mechaniczne i wiele innych tych materiałów, zależą od działania na nie różnych czynników fizycznych, np. pola elektrycznego, światła, naprężenia (wykorzystanie w czujnikach wielkości fizycznych), a także chemicznych w postaci gazów oraz zjonizowanych i niezjonizowanych składników cieczy (wykorzystanie w czujnikach wielkości ch[...]
 
Przekształtniki energoelektroniczne z elementami z węglika krzemu
 
MIECZYSŁAW NOWAK  JACEK RĄBKOWSKI  ROMAN BARLIK  
Do budowy przekształtników energoelektronicznych stosowano dotychczas przyrządy półprzewodnikowe mocy, takie jak diody, tyrystory czy tranzystory, wykonywane bez wyjątku z wykorzystaniem pastylek krzemowych. Parametry i właściwości użytkowe tych przyrządów, a w szczególnie klasy napięciowe, obciążalności prądowe, dopuszczalne temperatury struktury półprzewodnikowej osiągnęły już wartości ekstremalne, ograniczone fizycznymi właściwościami samego krzemu [2,3]. Dalszy postęp w rozwoju zarówno samych przyrządów półprzewodnikowych, jak i w obszarze ich zastosowań zależy od osiągnięć w zakresie opanowania technologii wytwarzania nowych materiałów półprzewodnikowych. Prowadzone od wielu lat badania w tym zakresie koncentrują się na takich materiałach jak: arsenek galu (GaAs), azotek [...]
 
Rola modułów dialogowych w tworzeniu profilów osobowych uczestników szkoleń e-learningowych
 
WOJCIECH PRZYŁUSKI  
Modułem dialogowym jest nazywany taki fragment kursu e-learningowego, w którym następuje wymiana informacji (na ogół w języku naturalnym) pomiędzy kursantem, a systemem sterującym. Ta wymiana może dotyczyć dwóch typów zagadnień. Z jednej strony to m.in.: preferencje edukacyjne osoby szkolonej, jej stan wiedzy i postęp w szkoleniu oraz różnorakie możliwości i potrzeby, czyli to wszystko, co łącznie określić można jako profil kursanta. Z drugiej strony to m.in.: planowany przebieg e-kursu, sposób i poziom zaliczenia jego fragmentów oraz całego szkolenia, zasoby edukacyjne kursu wraz z zasadami ich wykorzystywania, czyli informacje które interesują osobę szkoloną bowiem składają się na szeroko rozumianą charakterystykę e-kursu. Dalsza część artykułu jest poświęcona zagadnieniom z[...]
 
Szkło dla fotoniki. Część 9. Rodzaje szkieł laserowych
 
RYSZARD ROMANIUK  
Szkła laserowe pozwalają na konstrukcję laserów promieniujących w zakresie ok. 0,5...2,8 µm. Są to lasery wykonywane ze szkła objętościowego i coraz częściej lasery światłowodowe - włóknowe i planarne. Krótkofalowy zakres promieniowania obejmujący także obszar widzialny jest interesujący do budowy systemów zapisu informacji i masowych pamięci optycznych o zwiększonej gęstości wobec zapisu promieniowaniem czerwonym. Długofalowy zakres promieniowania jest interesujący w aplikacjach do wzmacnianej optycznie, światłowodowej transmisji informacji na znaczne odległości oraz w układach zintegrowanej optyki planarnej. W wielu z tych aplikacji czołową rolę odgrywa laser szkło-Nd, także ze względu na to, że może promieniować dość wydajnie w paśmie 1,3 µm, oprócz podstawowego[...]
 
Szybki algorytm dyskretnej transformacji Gabora
 
ŁUKASZ BONIKOWSKI  ALEXANDR TARIOV  
W pracy został przedstawiony szybki algorytm dyskretnej transformacji Gabora.Wporównaniu ze znanymi algorytmami realizującymi tę transformację za pomocą dualnych okien biortogonalnych, proponowany algorytm wyróżnia się mniejszą liczbą operacji arytmetycznych niezbędnych do wyznaczania współczynników rozwinięcia Gabora w sytuacjach doboru stosunkowo dużej liczby przedziałów w czasie M. Ponieważ dyskretna transformata Gabora pozwala dobierać dokładność reprezentacji sygnału na podstawie kompromisu pomiędzy jego rozdzielczością w domenie czasu a częstotliwości, to i wielkość zysku obliczeniowego (stopy redukcji liczby operacji arytmetycznych) jest zmienna. Jednak nawet w najgorszym przypadku najmniejszy zysk jest co najmniej dwukrotny w stosunku do niezoptymalizowanej wersji tran[...]
 
Światowy Dzień Telekomunikacji i Społeczeństwa Informacyjnego Warszawa, 13-15 maja 2009 r.
 
Stanisław J. Szałapak  
Bardzo udane były tegoroczne obchody Światowego Dnia Telekomunikacji i Społeczeństwa Informacyjnego (ŚDTiSI), zorganizowane przez Stowarzyszenie Elektryków Polskich (SEP), obchodzone pod hasłem Bezpieczeństwo dzieci w cyberprzestrzeni. Rozpoczęło się 13 maja w Technikum Łączności im. prof. Janusza Groszkowskiego przy Zespole Szkół nr 37 im. Agnieszki Osieckiej w Warszawie, III Ogólnopolskim Spotkaniem Uczniów i Nauczycieli Szkół Łączności. Nauczycieli i uczniów z całej Polski przywitał dyrektor technikum dr Eugeniusz Śniegowski, a werdykt o przyznanym przez SEP stypendium wyróżniającemu się uczniowi Warszawskiego Technikum im. Groszkowskiego MariuszowiWojewódzkiemu, ogłosiła sekretarz generalna SEP Jolanta Arendarska. Prof. Andrzej Jakubiak z Politechniki Warszawskiej wygłosi[...]
 
Właściwości elektryczne i mechaniczne metalizacji kontaktowych Ni i Ti oraz wytworzonych na nich połączeń drutowych do n-SiC
 
RYSZARD KISIEL  MAREK GUZIEWICZ  
W niniejszym artykule przedstawiono postęp prac w technologii wytwarzania metalizacji kontaktów omowych do n-SiC dla wyprowadzeń drutowych Au i Al oraz połączeń między metalizacją kontaktu, a polami kontaktowymi na podłożach ceramicznych. Jako niskorezystywne metalizacje kontaktu stosowano Ni oraz Ti, zaś wyprowadzenia drutowe realizowano techniką ultrakompresji lub termoultrakompersji. Wykazano, że połączenia wykonywane drutami Au do złotej metalizacji na SiC z kontaktem omowym Ti są stabilne po wygrzewaniu w powietrzu w 400oC. Natomiast połączenia wykonywane drutami Au do złotej metalizacji na SiC z Ni kontaktem omowym nie są stabilne po wygrzewaniu wysokotemperaturowym w powietrzu. Ponadto wyniki doświadczalne pokazują, że połączenia wykonywane drutem Al do glinowej metali[...]
 
Wykorzystanie elementu XOR w syntezie logicznej przeznaczonej dla programowalnych struktur CPLD typu PAL
 
WALDEMAR GRABIEC  DARIUSZ KANIA  
Układy matrycowe CPLD (ang. Complex Programmable Logic Devices) stanowią jedną z głównych grup oferowanych na rynku programowalnych struktur logicznych.Większość z nich wykorzystuje architekturę typu PAL (ang. Programmable Array Logic), której cechą charakterystyczną jest programowalna matryca iloczynów i nieprogramowalna (stałe połączenia) matryca sum. Rdzeniem matrycowych struktur programowalnych CPLD jest blok logiczny typu PAL zawierający pewną liczbę iloczynów k (najczęściej k = 3,5,8) dołączonych na stałe do wejść bramki sumy logicznej (rys. 1). Jednym z głównych problemów w syntezie logicznej dedykowanej tym strukturom jest efektywne wykorzystanie dostępnej liczby iloczynów zawartych w blokach typu PAL. Bloki logiczne układów CPLD oprócz iloczynów zawierają również pew[...]
 
Wysokonapięciowa dioda z barierą Schottky'ego z węglika krzemu
 
LECH DOBRZAŃSKI  KRZYSZTOF GÓRA  ANDRZEJ JAGODA  ANDRZEJ KOZŁOWSKI  BEATA STAŃCZYK  KRYSTYNA PRZYBOROWSKA  
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych realizuje zadanie nr 1 w projekcie PBZ-MEiN-6/2/2006 Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wysokich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur. Podstawowym zobowiązaniem Instytutu jest opracowanie technologii monokrystalizacji SiC oraz technologii wzrostu warstw epitaksjalnych dla potrzeb pozostałych uczestników projektu, a szczególnie dla realizatorów zadania drugiego, którzy są zobowiązani do wykonywania przyrządów półprzewodnikowych. Producent podłoży powinien kontrolować najważniejszy parametr, który ma decydujące znaczenie dla spełnienia podstawowych oczekiwań konstruktorów przyrządów wykonywanych z SiC. Wyższość węglika krzemu nad krzemem wynika z większej wartości elektrycznego po[...]
 

Czasowy dostęp

zegar Wykup czasowy dostęp do tego czasopisma.
Zobacz szczegóły»