W procesach obróbki powierzchniowej coraz częściej wykorzystywana
jest plazma wyładowania jarzeniowego. Do generowania
plazmy wykorzystuje się całą gamę zasilaczy, poczynając od najstarszych
pracujących na częstotliwości sieciowej, przez specjalne
konstrukcje zasilaczy impulsowych [1], a na generatorach wysokiej
częstotliwości kończąc. Niezależnie od typu zasilacza plazma wpływa
na temperaturę obrabianych podłoży, która odgrywa zasadniczą
rolę w przebiegu procesu. Dzieje się tak zarówno w procesach modyfikujących
warstwę wierzchnią, takich jak azotowanie, czy nawęglanie,
w których temperatura decyduje o przebiegu dyfuzji, ale
także w procesach osadzania warstw, gdzie od temperatury podłoża
zależy adhezja, struktura i skład chemiczny powłoki. W technologii
materiałów elektronicznych obróbce poddaje się cienkie płytki
leżące na płaskiej elektrodzie, można wówczas wpływać na ich
temperaturę przez grzanie bądź chłodzenie elektrody. Przy obróbce
detali o bardziej skomplikowanych kształtach istnieje konieczność
kontroli temperatury podłoża przez parametry plazmy. W literaturze
przedmiotu autorzy publikacji często odnoszą uzyskane efekty
obróbki powierzchniowej, czy właściwości naniesionego pokrycia,
do temperatury podłoża w trakcie procesu [2]. Mało jest badań pokazujących,
jak ta temperatura zależy od parametrów plazmy [3].
Autor pracy podjął ten problem, badając skuteczność grzania podłoży
metalowych w plazmie generowanej z użyciem różnych gazów
i różnych sposobów zasilania reaktora.
Eksperyment
Badania skuteczności grzania były prowadzone w kilku etapach
z zastosowaniem dwóch reaktorów plazmowych i kilku zasilaczy
różniących się kształtem napięcia wyjściowego. Większość pomiarów
wykonano za pomocą specjalnej sondy wprowadzonej do metalowej
komory reaktora (φ = 300 mm, h = 200 mm) przez jedno
z okienek wziernikowych. Sonda pomiarowa została zaprojektowana
i wykonana tak, aby przykręcona do niej próbka (metalowe
podłoże) był
[...]