Problematyka pomiarów stężenia gazów, istotna do niedawna
głównie w technologiach przemysłowych, stała się obecnie ważna
zarówno w badaniach skażenia atmosfery, jak i bezpośrednio w gospodarstwie
domowym (wydzielanie toksycznych gazów, takich jak
CO, NOx, CH4) [1÷3]. Czujnik do wykrywania i pomiaru stężeń
gazów powinien charakteryzować się odpowiednio dużą czułością,
selektywnością, krótkim czasem odpowiedzi i stabilnością. Wymagania
te spowodowały szybki rozwój badań nad półprzewodnikowymi
czujnikami gazowymi. Spełniają one większość tych wymagań,
a ich atrakcyjność spowodowana jest dodatkowo prostotą ich
budowy i niskimi kosztami produkcji.
Sygnał użyteczny w takich czujnikach rejestrowany jest w wyniku
zmiany napięcia, związanego ze zmianą oporności warstwy
gazoczułej pod wpływem atmosfery redukującej lub utleniającej.
Przez celowe wprowadzenie domieszki (Nd2O3, Mn2O3) modyfikuje
się własności elektryczne półprzewodnika, wytwarzając w jego
strukturze pasmowej dodatkowe stany elektronowe. Ponadto stabilizuje
się jego strukturę oraz modyfikuje powierzchnię w celu
otrzymania optymalnej liczby centrów aktywnych.
Tlenki ceru i manganu postrzegane są jako potencjalne niskotemperaturowe
czujniki gazów. Eigenmann i współ. [4] wykazali
wysoką aktywność katalityczną układu Mn/(Mn + Ce) w porównaniu
z aktywnością katalityczną czystych tlenków. Najwyższą
adsorpcję NH3 i redukcję NO uzyskano dla układu z zawartością
25% mol. Mn2O3.
Badania stopnia utleniania CO w obecności różnych tlenków
MnxOy przeprowadzili Han i współ. [5]. Wykazali oni, iż jedynie
faza Mn2O3 całkowicie utlenia CO w temperaturze T = 527 K.
Tego typu warstwy wytwarzane są głównie z zastosowaniem
metod chemicznych [4], zol-żel [6] rzadziej metodą PLD [7].
Jak wykazano we wcześniejszych badaniach [8, 9], stosując metodę
PLD możemy modyfikować strukturę i tekstur
[...]