profil Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk
  Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

zegar

To proste!

zobacz szczegóły
r e k l a m a

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

baza zobacz szczegóły
ELEKTRONIKA, ENERGETYKA, ELEKTROTECHNIKA ›
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA › 2005-2-3
 

Publikacja: Cyfrowe metody pomiaru prędkości z zastosowaniem optoelektronicznego przetwornika położenia
Autor: Z. Szcześniak  

dr inż. ZBIGNIEW SZCZEŚNIAK Politechnika Świętokrzyska, Wydział Elektrotechniki, Automatyki i Informatyki, Kielce Prędkości - kątowa i liniowa są wielkościami fizycznymi, których pomiary są stosowane [...]

 

Prenumerata

Zamów papierową prenumeratę w wersji PLUS czasopisma ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA i zyskaj dostęp do pozostałych elektronicznych publikacji tego czasopisma z lat 2004-2011 (od 1 marca również rok 2012).
Nie zwlekaj - skorzystaj z tysięcy publikacji o najwyższym poziomie merytorycznym.
prenumerata papierowa roczna PLUS (z dostępem do archiwum e-publikacji) - tylko 397,08 zł
prenumerata papierowa roczna PLUS z 10% rabatem (umowa ciągła) - tylko 357,37 zł *)
prenumerata papierowa roczna - 352,80 zł
prenumerata papierowa półroczna - 176,40 zł
prenumerata papierowa kwartalna - 88,20 zł
okres prenumeraty:   
*) Warunkiem uzyskania rabatu jest zawarcie umowy Prenumeraty Ciągłej (wzór formularza umowy do pobrania).
Po jego wydrukowaniu, wypełnieniu i podpisaniu prosimy o przesłanie umowy (w dwóch egzemplarzach) do Zakładu Kolportażu Wydawnictwa SIGMA-NOT.
Zaprenumeruj także inne czasopisma Wydawnictwa "Sigma-NOT" - przejdź na stronę fomularza zbiorczego »

 

POZOSTAŁE PUBLIKACJE W TYM ZESZYCIE:
Działalność badawcza w programie CARE-JRA1. Wytwarzanie wnęk rezonatorów z cienkimi pokryciami z nadprzewodników
 
J. Langer  M. J. Sadowski  S. Tazzari  
dr JERZY LANGNER1', prof. dr hab. MAREK J. SADOWSKI1), prof. dr SERGIO TAZZARI2' 1) The Andrzej Soltan Institute for Nuclear Studies (IPJ), Świerk, Poland 2) Tor Yergata University and INFN-Roma2, Rom[...]
 
Analiza efektu pompowania gazu w jonowych laserach argonowych
 
W. Kamiński  J. Kęsik  
mgr inż. WOJCIECH KAMIŃSKI, dr inż. JERZY KĘSIK Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki W gazowych laserach jonowych występuje zjawisko tzw. przepompowywania gazu, polegaj[...]
 
Analiza profilowa SIMS półprzewodnikowych struktur laserowych wiązką jonową Ar+
 
M. Ćwil  P. Konarski  
mgr inż. MICHAŁ ĆWIL12 dr PIOTR KONARSKI1 1 Przemysłowy Instytut Elektroniki, Laboratorium Aparatury Próżniowej, Warszawa 2 Politechnika Warszawska, Wydział Fizyki Analiza profilowa metodą spektrometr[...]
 
Analiza skutków ultrapłytkiej implantacji jonów azotu w plazmie w. cz. 13,56 MHz
 
TOMASZ BIENIEK  inż. ROMUALD B. BECK  ANDRZEJ JAKUBOWSKI  ANDRZEJ KUDŁA  
mgr inż. TOMASZ BIENIEK, prof. nzw. dr hab. inż. ROMUALD B. BECK, prof. dr hab. inż. ANDRZEJ JAKUBOWSKI Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki dr inż. ANDRZEJ KUDŁA, Inst[...]
 
Analiza wpływu parametrów MOS kanału SiGe na charakterystyki C-U kondensatora
 
L. Łukasiak. A. Jakubowski  
dr hab. inż. LIDIA ŁUKASIAK, prof. dr hab. inż. ANDRZEJ JAKUBOWSKI Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Kanał SiGe stosuje się w p-kanałowych tranzystorach MOS, aby zwi[...]
 
Automatyzacja wstawiania punktów testowych w układzie cyfrowym
 
A. Sidlarewicz  E. Piwowarska  
mgr inż. ANNA SIDLAREWICZ, dr inż. ELŻBIETA PIWOWARSKA Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Małe wymiary charakterystyczne (0,09...0,25nm) elementów, ogromna gęstość up[...]
 
Azotki, węgliki i węglikoazotki cyrkonu otrzymywane metodą platerowania jonowego
 
J. Markowski  K. Wierny  
dr inż. JANUSZ MARKOWSKI, mgr inż. KRZYSZTOF WIERNY Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Twarde warstwy znajdują coraz większe zastosowanie jako warstwy wierzchnie, na[...]
 
Badania mikrostruktury punktów emisji elektronowej
 
R. Tomaszek. L. Pawlowski  J. Grimblot  J. Laureyns. Z. Znamirowski  J. Zdanowski  
mgr inż. RAFAŁ TOMASZEK1 4, prof. LECH PAWŁOWSKI1, prof. JEAN GRIMBLOT2 mgr inż. JACKY LAUREYNS3, dr inż. ZBIGNIEW ZNAMIROWSKI4, prof. JERZY ZDANOWSKI4 1 LCPS, UMR CNRS 8012, ENSCL, USTL, F-59652 Vill[...]
 
Badanie centrów defektowych w kryształach półizolującego
 
M. Pawłowski  R. Kozłowski  P. Kamiński  M. Wierzbowski  S. Jankowski  
dr inż. MICHAŁ PAWŁOWSKI1 2, dr inż. ROMAN KOZŁOWSKI1, dr hab. inż. PAWEŁ KAMIŃSKI1 mgr inż. MARIUSZ WIERZBOWSKI3, dr inż. STANISŁAW JANKOWSKI3 1 Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warsz[...]
 
Badanie odpowiedzi impulsowej układów liniowych przy wykorzystaniu pobudzeń pseudolosowych i sprzętowego wspomagania obliczeń
 
W. Mickiewicz  
dr inż. WITOLD MICKIEWICZ, Politechnika Szczecińska, Instytut Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki Postęp w produkcji cyfrowych układów scalonych bardzo wielkiej skali integracji zaowocował dwie[...]
 
Badanie wpływu temperatury na parametry elektryczne struktur MOS
 
M. Lesko  H. M. Przewłocki  
inż. MAREK LESKO, doc. dr hab. inż. HENRYK M. PRZEWŁOCKI, Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa W ostatnich latach uzyskiwano rozbieżne wartości kontaktowej różnicy potencjałów ęMS dla (teoretyc[...]
 
Dwuwymiarowy model hybrydowy domieszkowania do symulacji statystycznej układów scalonych
 
A. Pfitzner  
dr hab. ANDRZEJ PFITZNER, Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Funkcjonowanie prototypów układów scalonych zależy od uwarunkowanych technologicznie zmian właściwości ic[...]
 
ELFNET-Europejska sieć dla lutów bezołowiowych
 
Zbigniew Moser  Wojciech Zakulski  
Od wielu lat na całym świecie podejmowane są wysiłki zmierzające do eliminacji szkodliwego dla zdrowia i naturalnego środowiska wpływu ołowiu. W 2003 roku Komisja Europejska opublikowała Dyrektywę 200[...]
 
Emisyjność warstw tlenków lantanowo-strontowo-kobaltowych LSCO i lantanowo-strontowo-żelazowych LSFO przeznaczonych na bolometr
 
A. Łoziński  K. Górecki  
dr hab. inż. ANDRZEJ ŁOZINSKI, Politechnika Gdańska, Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki dr inż. KRZYSZTOF GÓRECKI, Akademia Morska w Gdyni, Wydział Elektryczny Bolometr należy do termi[...]
 
GaN- materiał do konstrukcji przyrządów pracujących przy wysokich częstotliwościach (HEMT) i w ekstremalnych warunkach
 
A. Szczęsny  E. Kamińska  A. Piotrowska  J. Szmidt  
mgr inż. ARTUR SZCZĘSNY1 2, dr inż. ELIANA KAMIŃSKA2 prof. dr hab. inż. ANNA PIOTROWSKA2, dr hab. inż. JAN SZMIDT1 1 Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki 2 Instytut Tec[...]
 
Inteligentny system pomiarowy do badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych
 
M. Pawłowski  P. Kamiński  R. Kozłowski  M. Wierzbowski  S. Jankowski  M. Miczuga  
dr inż. MICHAŁ PAWŁOWSKI1 2, dr hab. inż. PAWEŁ KAMIŃSKI1, dr inż. ROMAN KOZŁOWSKI1 mgr inż. MARIUSZ WIERZBOWSKI3, dr inż. STANISŁAW JANKOWSKI3, mgr inż. MARCIN MICZUGA2 1 Instytut Technologii Materia[...]
 
Komputerowe modelowanie przyrządów opartych na heterostrukturzen AIGaN-GaN-Al2O3
 
T. Piasecki  W. Kośnikowski  
mgr inż. TOMASZ PIASECKI, mgr inż. WOJCIECH KOŚNIKOWSKI Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Materiały AIII-N są przydatne w konstrukcji półprzewodnikowych przyrządów [...]
 
KSIĄŻKI
 
Tadeusz Kaczorek, Andrzej Dzieliński, Włodzimierz Dąbrowski, Rafał Łopatka: Podstawy teorii sterowania. Wydawnictwo Naukowo-Techniczne, wy d. l, Warszawa 2005, stron 489, www.wnt.com.pl. Jest to podrę[...]
 
Mikroskopia sił shear force w badaniu topografii i właściwości emisyjnych powierzchni
 
A. Sikora  T. Gotszalk  R. Szeloch  
mgr inż. ANDRZEJ SIKORA, dr inż. TEODOR GOTSZALK, dr hab. inż. ROMAN SZELOCH Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Mikroskopia Bliskich Oddziaływań (ang. Scanning Próbę[...]
 
Modelowanie charakterystyk I-U tranzystora MOS na węgliku krzemu 4H-SIC oraz 6H-SiC
 
J. Stęszewski  A. Jakubowski  
inż. JĘDRZEJ STĘSZEWSKI, prof. dr hab. ANDRZEJ JAKUBOWSKI Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Węglik krzemu jest bardzo interesującym materiałem dla wysokotemperaturow[...]
 
Modelowanie dynamiki reaktywnego rozpylania magnetronowego
 
A. Stec  
dr inż. ANDRZEJ STEC, Politechnika Rzeszowska, Wydział Elektrotechniki i Informatyki Modelowanie procesu reaktywnego rozpylania magnetronowego rozpatrywane jest zwykle jedynie w odniesieniu do stanu u[...]
 
Następny Dipol Europejski-działalność Politechniki Wrocławskiej w programie CARE
 
M. Chorowski  B. Baudouy  F. Michel  J. Polinski  R. van Weelderen  
MACIEJ CHOROWSKI1, BERTRAND BAUDOUY2, FREDERIC MICHEL2, JAROSŁAW POLIŃSKI1 RÓB van WEELDEREN3 1 Wrocław University of Technology, 2 CEA, Saclay, 3 CERN, Geneva Plans for the Large Hadron Collider upgr[...]
 
NOWOŚCI TECHNIKI
 
Oprogramowanie YERITAS z implementacjami bazy danych Oracle 100 Zdaniem firmy VERITAS Software, istnieje 10 powodów, które przemawiajązatym, aby stosować wymienione oprogramowanie: 1. Elastyczność w ś[...]
 
Otrzymywanie i właściwości termoelektryczne CoSb3 typu p i n
 
K. T. Wojciechowski  J. Leszczyński  
dr inż. KRZYSZTOF T. WOJCIECHOWSKI, mgr inż. JULIUSZ LESZCZYŃSKI Akademia Górniczo-Hutnicza, Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki, Kraków Trójantymonek kobaltu jest półprzewodnikiem o wąskiej pr[...]
 
Planarne domieszkowanie krzemem...
 
B. Ściana  D. Radziewicz  B. Paszkiewicz  M. Tłaczała  P. Sitarek  J. Kovać  M. Florović  
Planarne domieszkowanie (ang. d-doping) jest nowoczesną techniką epitaksjalnego domieszkowania półprzewodników, polegającą na przestrzennym ograniczeniu wprowadzanej domieszki do jednej lub kilku wars[...]
 
Pomiary kierunku przyjścia sygnałów mikrofalowych
 
A. Rutkowski. B. Stec  
dr inż. ADAM RUTKOWSKI, dr hab. inż. BRONISŁAW STEC Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Elektroniki, Instytut Radiolokacji, Warszawa Kierunek przyjścia sygnału mikrofalowego jest jednym z ważniejszy[...]
 
Pomiary kierunku przyjścia sygnałów mikrofalowych
 
A. Rutkowski. B. Stec  
dr inż. ADAM RUTKOWSKI, dr hab. inż. BRONISŁAW STEC Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Elektroniki, Instytut Radiolokacji, Warszawa Kierunek przyjścia sygnału mikrofalowego jest jednym z ważniejszy[...]
 
Przegląd prac Politechniki Łódzkiej realizowanych w programie CARE
 
A. Napieralski  M. Grecki  P. Sękalski  D. Makowski  M. Wójtowski  W. Cichalewski  B. Kosęda  B. Świercz  
prof. dr hab. inż. ANDRZEJ NAPIERALSKI, dr inż. MARIUSZ GRECKI, mgr inż. PPRZEMYSŁAW SĘKALSKI mgr inż. DARIUSZ MAKOWSKI, mgr inż. MARCIN WÓJTOWSKI, mgr inż. WOJCIECH CICHALEWSKI mgr inż. BOGUSŁAW KOSĘ[...]
 
Rezystory grubowarstwowe RuO2 + szkło jako kriogeniczne czujniki temperatury
 
K. Mleczko  D. Żak  A. Kolek  A. W. Stadler. P. Szatański. Z. Zawiślak  
dr inż. KRZYSZTOF MLECZKO, mgr inż. DARIUSZ ŻAK, dr hab. inż. ANDRZEJ KOLEK dr inż. ADAM W. STADLER, mgr inż. PIOTR SZAŁAŃSKI, mgr inż. ZBIGNIEW ZAWIŚLAK Politechnika Rzeszowska, Katedra Podstaw Elekt[...]
 
Rezystory molibdenowe -ekonomiczna propozycja dla techniki grubowarstwowej
 
M. Jakubowska  J. Kalenik  R. Kisiel  
dr inż. MAŁGORZATA JAKUBOWSKA1, dr inż. JERZY KALENIK2, dr inż. RYSZARD KISIEL2 1 Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa 2 Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoe[...]
 
Selektywne osadzanie warstw GaN na podłożach krzemowych metodą reaktywnego sputteringu
 
B. Stańczyk  A. Jagoda  L. Dobrański  
mgr BEATA STAŃCZYK, mgr inż. ANDRZEJ JAGODA, dr inż. LECH DOBRZAŃSKI Insytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa W ostatnich latach azotki III grupy, takie jak GaN, AIN, które mają szerok[...]
 
Siatki Bragga w wodorowanych włóknach telekomunikacyjnych
 
K. Jędrzejewski  L. Lewandowski  J. Helszyński  W. Jasiewicz  
Siatki Bragga w wodorowanych włóknach telekomunikacyjnych dr inż. KAZIMIERZ JĘDRZEJEWSKI, dr inż. LECH LEWANDOWSKI, prof. dr hab. inż. JERZY HELSZTYŃSKI mgr inż. WIESŁAW JASIEWICZ, Politechnika Warsza[...]
 
Stabilność termiczna ultracienkich warstw tlenko-azotków osadzanych metodą PECVD
 
R. Mroczyński  M. Cuch  T. Bieniek  R. B. Beck  A. Jakubowski  
mgr inż. ROBERT MROCZYŃSKI, mgr inż. MICHAŁ CUCH, mgr inż. TOMASZ BIENIEK prof. nzw. dr hab. inż. R. B. BECK, prof. dr hab. inż. ANDRZEJ JAKUBOWSKI Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i[...]
 
Stany elektronowe w tranzystorze jednoelektronowym formowanym w heterostrukturze GaAs-AlxGa1-x As
 
E. Machowska-Podsiadło  M. Mączka  
dr inż. ELŻBIETA MACHOWSKA-PODSIADŁO, dr inż. MARIUSZ MĄCZKA Politechnika Rzeszowska, Katedra Podstaw Elektroniki Tranzystor jednoelektronowy (SET) formowany w heterostrukturze GaAs/AlxGai-xAs (rys. 1[...]
 
Strukturalne i optyczne właściwości cienkich warstw tlenków tytanu modyfikowanych przez domieszkowanie hafnem
 
J. Domaradzki  E. L. Prociów  D. Kaczmarek  A. Mulak  
dr inż. JAROSŁAW DOMARADZKI, mgr inż. EUGENIUSZ L. PROCIÓW, dr hab. inż. DANUTA KACZMAREK, prof. dr hab. inż. ANDRZEJ MULAK, Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Z lit[...]
 
TECHNIKA SENSOROWA Struktury epitaksjalne do mikrolaserów z pasywną modulacją dobroci rezonatora
 
J. Sarnecki  K. Kopczyński  Z. Mierczyk  J. Skwarcz  J. Mtyriczak  
mgr JERZY SARNECKI1, dr inż. KRZYSZTOF KOPCZYŃSKI2, dr hab. inż. ZYGMUNT MIERCZYK2 mgr inż. JERZY SKWARCZ1, mgr inż. JAROSŁAW MŁYŃCZAK2 1 Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa 2 In[...]
 
Trawienie fosforku indu w plazmie chlorowej metodą lCP
 
Ł. Ruta  A. Turała  A. Kalinowski  G. Fałkowski  M.P. Besland  
mgr inż. ŁUKASZ RUTA, mgr inż. ARTUR TURAŁA, mgr inż. ARTUR KALINOWSKI mgr inż. GRZEGORZ FAŁKOWSKI, Instytut Elektroniki, Politechnika Łódzka dr MARIE-PAULE BESLAND, LEOM Ecole Centrale de Lyon, Franc[...]
 
Udział Politechniki Warszawskiej w programie CARE
 
R. S. Romaniuk  K. Pożniak  T. Czarski  
dr hab. inż. RYSZARD S. ROMANIUK, dr inż. KRZYSZTOF POŹNIAK, mgr TOMASZ CZARSKI Politechnika Warszawska, Instytut Systemów Elektronicznych W Politechnice Warszawskiej realizatorem wspólnych działań ba[...]
 
Warstwa diamentopodobna jako obszar czynny dla czujników światłowodowych
 
M. Śmietana  J. Szmidt  M. Dudek  
mgr inż. MATEUSZ ŚMIETANA, dr hab. inż. JAN SZMIDT Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki dr inż. MARIUSZ DUDEK, Politechnika Łódzka, Instytut Inżynierii Materiałowej War[...]
 
Warstwowy czujnik do pomiarów parametrów cieplnych materiałów
 
J. Brzeziński  M. Berlicki  
mgr inż. JAKUB BRZEZIŃSKI, dr hab. inż. TADEUSZ M. BERLICKI prof. PWr. Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Zaprezentowano metodę i wyniki pomiarów parametrów cieplnyc[...]
 
Wpływ dodatków alkoholowych do roztworów KOH na morfologię różnych płaszczyzn Si hkl
 
M. Kramkowska. l. Zubel  
dr inż. MAŁGORZATA KRAMKOWSKA, dr inż. IRENA ZUBEL Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Dodatki alkoholowe do roztworu KOH zmieniają anizotropię trawienia. Jest to kor[...]
 
Wpływ grubości na optyczne, strukturalne i elektryczne właściwości cienkich warstw CdS otrzymywanych metodą CBD
 
E. Schabowska-Osiowska  T. Pisarkiewicz  T. Kenig  B. Handke  Z. Porada  
dr ELŻBIETA SCHABOWSKA-OSIOWSKA, prof. dr hab. TADEUSZ PISARKIEWICZ, dr inż. TERESA KENIG Akademia Górniczo-Hutnicza, Katedra Elektroniki, Kraków dr inż. BARTOSZ HANDKE, Polska Akademia Nauk, Instytut[...]
 
Wpływ materiału przekładki na odporność na zarysowanie supersieci TiN-CrN
 
H. Wrzesińska  K. Małyska. Z. Rymuza  Ł. Ratajczyk  
mgr inż. HANNA WRZESIŃSKA, Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa KAROLINA MAŁYSKA, dr hab. inż. ZYGMUNT RYMUZA, prof. nzw. PW, ŁUKASZ RATAJCZYK Politechnika Warszawska, Instytut Mikromechaniki i[...]
 
Wpływ pola elektrycznego repelera na reakcje jonowo-molekularne w wysokociśnieniowym źródle jonów
 
L. Wójcik  A. Markowski  
dr hab. LESZEK WÓJCIK, dr ARTUR MARKOWSKI Uniwersytet im. Marii Curie-Skłodowskiej, Instytut Fizyki, Lublin Generalnie istnieją dwie metody badania reakcji jonowo-molekularnych przy wykorzystaniu meto[...]
 
Wybrane problemy projektowania układów RF
 
E. Kurjata-Pfitzner  A. J. Szymański  
mgr inż. EWA KURJATA-PFITZNER, mgr inż. ANDRZEJ J. SZYMAŃSKI Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa Układy scalone do systemów komunikacji bezprzewodowej różnych typów określane są wspólną nazwą [...]
 
Wydajność otrzymywania warstw dielektrycznych nanoszonych metodą reaktywnego rozpylania magnetronowego
 
W.M. Posadowski  J. Kudzia  A. Wiatrowski  
dr hab. inż. WITOLD M. POSADOWSKI Politechnika Wrocławska, Zwiększanie wydajności nanoszenia warstw otrzymywanych za pomocą układów magnetronowych to z jednej strony minimalizowanie wpływu niepożądany[...]
 
Wysokorozdzielczy moduł pomiaru odcinka czasowego z odczytem noniuszowym
 
M. Zieliński  S. Grzelak  D. Chaberski. R. Frankowski  M. Kowalski  
dr hab. inż. MAREK ZIELIŃSKI, prof. UMK, SŁAWOMIR GRZELAK, mgr DARIUSZ CHABERSKI mgr ROBERT FRANKOWSKI, mgr MARCIN KOWALSKI Uniwersytet Mikołaja Kopernika, Instytut Fizyki, Zakład Fizyki Technicznej i[...]
 
Z DZIAŁALNOŚCI STOWARZYSZENIA SEP III, IV
 
Największa polska organizacja naukowo- -techniczna, jakąjest Stowarzyszenie Elektryków Polskich, obchodziła w 2004 roku jubileusz 85-lecia swojej działalności. Środowisko słaboprądowe zawsze stanowiło[...]
 
Zależność pojemności pasożytniczych od konfiguracji magistrali połączeń
 
A. Jarosz  A. Pfitzner  
mgr inż. ADAM JAROSZ, dr hab. ANDRZEJ PFITZNER Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Zwiększeniu skali integracji współczesnych układów towarzyszy wzrost ich powierzchni[...]
 

Czasowy dostęp

zegar Wykup czasowy dostęp do tego czasopisma.
Zobacz szczegóły»