JAN MISIEWICZ- zobacz i pobierz wszystkie publikacje autora JAN MISIEWICZ w naszych czasopismach

Wyniki 1-3 spośród 3 dla zapytania: authorDesc:"JAN MISIEWICZ"

» Fourierowska spektroskopia fotoluminescencyjna i fotoodbiciowa struktur półprzewodnikowych przeznaczonych na zakres średniej i długofalowej podczerwieni

Marcin Motyka

Grzegorz Sęk

Jan Misiewicz

W dzisiejszym świecie materiały półprzewodnikowe, czy też struktury niskowymiarowe wykonane z półprzewodników, takie jak np. studnie czy kropki kwantowe, są powszechnie wykorzystywane do konstrukcji urządzeń emitujących bądź wykrywających promieniowanie. Lasery i detektory znajdują powszechne zastosowania w różnych dziedzinach życia, na przykład w szeroko rozumianej optoelektronice towarzysząc w szybkiemu jej rozwojowi, ale też w ochronie środowiska do monitoringu i wykrywania wszelkiego rodzaju zanieczyszczeń. Obecne przyrządy półprzewodnikowe to skomplikowane konstrukcje wykorzystujące z jednej strony właściwości materiałowe z drugiej mechanikę kwantową. Wytwarzanie takich urządzeń wymaga ścisłej współpracy między "technologią i charakteryzacją". W swej konstrukcji urządzenia te składają się z wielu cienkich warstw niejednokrotnie tworzonych z kombinacji różnych półprzewodników jak i różnych koncentracji nośników prądu. Procesy technologiczne takie jak epitaksja z wiązki molekularnej wymagają technik pomiarowych pozwalających na kontrolowanie wzrostu i składów wzrastanych struktur. Oprócz badań strukturalnych niezwykle istotną rolę odgrywają badania spektroskopowe pozwalające na badanie właściwości optycznych. Ponieważ docelowo struktury czy urządzenia takie mają emitować bądź wykrywać promieniowanie elektromagnetyczne istotne jest poznanie ich takich właściwości jak: struktura energetyczna poziomów w potencjale wiążącym, mechanizmy ucieczki nośników z obszarów aktywnych, energie przerw wzbronionych i wiele innych składających się na wydajność pracy przyrządów z nich konstruowanych. Do bardzo użytecznych w tym względzie metod badawczych należą pomiar fotoluminescencji (PL (ang. Photoluminescence), czy fotoodbicia PR (Photoreflectance). Pomiar fotoluminescencji pozwala na zbadanie właściwości emisyjnych badanych/wytwarzanych struktur, które polega na analizie maksimów fotoluminescencyjnych (ich energii, intensywności czy po[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Spektroskopia modulacyjna nanostruktur półprzewodnikowych w zakresie bliskiej i średniej podczerwieni

JAN MISIEWICZ

MARCIN MOTYKA

GRZEGORZ SĘK

ROBERT KUDRAWIEC

Grupa Optycznej Spektroskopii Nanostruktur (OSN) Instytutu Fizyki Politechniki Wrocławskiej ma szerokie doświadczenie w badaniu i charakteryzacji niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych w szczególności przeznaczonych na zakres bliskiej i średniej podczerwieni. Przede wszystkim dotyczy to spektroskopii fotoodbiciowej (lub fototransmisyjnej) i bezkontaktowego elektroodbicia [1-5]. Metody te pozwalają wyznaczać widma optyczne dostarczające informacji o przejściach optycznych, analogicznie do widm absorpcji. Dzięki ich różniczkowemu charakterowi cechuje je jednak znacznie większa czułość, co pozwala na obserwację przejść z udziałem stanów wzbudzonych, w tym tych o bardzo niskiej intensywności jak np. przejścia nominalnie zabronione przez reguły wyboru. Takie podejście ekspery[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009/5

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Optyczne właściwości supersieci GaAs/AlGaAs badane za pomocą spektroskopii modulacyjnej

Filip Janiak

Ważnym źródłem promieniowania w zakresie średniej i dalekiej podczerwieni są lasery kaskadowe [1]. Wytwarzane są one często w oparciu o supersieci AlGaAs/GaAs [2, 3]. Znajdują zastosowanie w wielu dyscyplinach życia: w medycynie, spektroskopii czy detekcji szkodliwych gazów. Ze względu na skomplikowaną, wielomodułową budowę obszaru aktywnego lasery te wymagają bardzo dużej precyzji wykonania, w szczególności jeśli chodzi o grubości oraz składy poszczególnych warstw (barier oraz studni kwantowych) [4], jak również koncentracji nośników [5]. Ponadto z technologicznego punktu widzenia, niezbędne jest badanie powtarzalności procesu wytwarzania struktur. Spektroskopia modulacyjna [6-11] jest metodą pomiarową charakteryzującą się dużą czułością pozwalającą zdobywać informacje o przejściach optycznych, a w rezultacie o strukturze energetycznej badanych obiektów. W szczególności metoda ta w połączeniu z obliczeniami struktury pasmowej badanych próbek pozwala na wyznaczenie wielu istotnych parametrów struktur półprzewodnikowych, takich jak: przerwy energetyczne, masy nośników, nieciągłości pasm, grubości i składy warstw tworzących strukturę [12, 13]. Ponadto takie podejście pozwala np. na wyznaczenie wielkości wbudowanych pól elektrycznych [14], możliwość uzyskania informacji na temat położenia poziomu Fermiego w strukturze [15]. W badaniach do wyznaczenia optycznych właściwości supersieci GaAs/AlGaAs zastosowaliśmy jedną z metod spektroskopii modulacyjnej - fotoodbicie PR (ang. Photoreflectance). Badania wykonano dla serii próbek o różnej grubości warstw studni jak i warstw barier, celem potwierdzenia założonych w procesie wzrostu parametrów struktury. Ponadto wykonano serię pomiarów PR, które miały wykazać z jednej strony jednorodność badanych struktur w obszarze płytki epitaksjalnej, z drugiej strony powtarzalność procesów technologicznych. Eksperyment Supersieciowe struktury testowe wykonano z zastosowaniem technologii epitaks[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a