Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk

Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

To proste!

zobacz szczegóły

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

zobacz szczegóły

Wyniki wyszukiwania

Wyniki 1-1 spośród 1 dla zapytania: authorDesc:"SŁAWOMIR KŁĄB"

» Gate level thermal simulation of CMOS ICs with emphasis on switching power

SŁAWOMIR KŁĄB

ANDRZEJ NAPIERALSKI

GILBERT De MEY

CMOS technology of ICs is the most dominant nowadays. The constant tendency to make circuits smaller and faster to reach better performance results in higher power density and higher operating temperature. The latter degrades IC performance and impacts reliability. Nowadays, more than 50% of chip failures is caused by overheating a circuit’s structure [1]. For those high-power ICs thermal investigations must be done. For further description of the simulation method it is necessary to define power dissipation in CMOS circuits and common sources of power consumption. Power consumption and heat generation in CMOS technology Every CMOS digital circuit dissipates power whether its logic state changes or remains unchanged. Its power consumption can be expressed as a sum of fo[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009/12

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »