» Mechanizm przewodnictwa elektrycznego w arsenku galu implantowanym jonami
|
|
PAWEŁ WĘGIEREK  MARCIN KOWALSKI
Stopień zdefektowania półprzewodnika determinuje sposób
przewodzenia prądu elektrycznego. Można wyróżnić dwie
formy: przewodzenie pasmowe, charakterystyczne dla
półprzewodnika krystalicznego i skokowe, związane z dużą
koncentracją defektów radiacyjnych, spowodowaną np. przez
implantację jonową. Przewodność odpowiadająca tej formie
wymiany ładunków wykazuje silną zależność od częstotliwości
[1], którą można opisać funkcją σ = σHf S. Natomiast przewodzenie
pasmowe nie zależy od częstotliwości aż do 108 Hz.
Z uwagi na fakt, że implantowany protonami H+ arsenek
galu jest silnie zdefektowany, z dużym prawdopodobieństwem
można przyjąć, że występują w nim obydwa wymienione mechanizmy
przewodzenia prądu, a całkowita konduktywność
jest superpozycją dwóch składowych, tj. pasmo[...]
więcej»
w zeszycie
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009/9
|
|
|
|
|
|
» Charakterystyki czasowe skokowej wymiany ładunków w arsenku galu napromieniowanym jonami H+
|
|
Paweł Węgierek Piotr Billewicz
W pracach [1, 2] przeanalizowano możliwość zastosowania polienergetycznej
implantacji GaAs jonami H+ w celu wytwarzania
izolacji pionowej w układach scalonych. Zastosowanie przez nas
symulacji komputerowej do wyboru wielu dawek i energii jonów
H+ pozwoliło na uzyskanie równomiernego rozkładu defektów radiacyjnych
do głębokości ok. 3,5 μm, przy wykorzystaniu maksymalnej
energii jonów 400 keV. Ze względu na wykorzystaną przez
nas metodę badawczą, polegającą na pomiarach właściwości
elektrycznych przy prądzie przemiennym przy częstotliwościach
50 Hz do 5 MHz w zakresie temperatur od LNT do 400K oraz
na 15-minutowym wygrzewaniu termicznym w piecu rurowym,
uzyskano optymalne warunki implantacji i stabilizacji parametrów
warstw izolacji pionowej [3]. W wyniku tych badań uzyskano również
wiele wyników, dotyczących mechanizmów przenoszenia
ładunków w silnie zdefektowanym GaAs, z których głównym jest
stwierdzenie skokowego mechanizmu przenoszenia ładunków [4]
oraz opracowanie modelu tego zjawiska, zarówno przy prądzie
stałym jak i zmiennym [5].
W modelu zakłada się, że po przeskoku elektronu z jednej
neutralnej studni potencjału do drugiej pozostaje on w niej
przez czas τ, a następnie wykonuje przeskok z prawdopodobieństwem
p do studni trzeciej w kierunku określonym polem
elektrycznym. Powoduje to przewodzenie przy prądzie stałym
lub przy niskich częstotliwościach prądu zmiennego. Po czasie
τ[...]
więcej»
w zeszycie
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/11
|
|
|
» Badania temperaturowe energii aktywacji defektów radiacyjnych w silnie zdefektowanym krzemie
|
|
Paweł WĘGIEREK Paweł ZHUKOWSKI Piotr BILLEWICZ
W artykule zaprezentowano rezultaty badań silnie zdefektowanego krzemu i omówiono występujące w nim mechanizmy
zmiennoprądowego przewodnictwa. Uzyskane rezultaty potwierdzają występowanie dwóch mechanizmów przewodzenia w silnie zdefektowanych
półprzewodnikach, tj. pasmowego, charakterystycznego dla małych częstotliwości i skokowego, odpowiadającego wyższym częstotliwościom.
Abstract. The article presents results of testing electrical properties of ion-implanted silicon and discusses mechanisms of alternating-current
electrical conduction that occurs in it. The obtained results have confirmed the occurrence of two conduction mechanisms in strongly defected
semiconductors i.e. the band one that is characteristic for low frequency values and the jump one that corresponds to higher frequencies.
(Temperature testing of radiation defect activation energy in strongly defected silicon).
Słowa kluczowe: defekty radiacyjne, energia aktywacji, przewodność skokowa, krzem, implantacja jonowa.
Keywords: radiation defects, activation energy, hopping conductivity, silicon, ion-implantation.
Wstęp
Badaniom poddano krzem domieszkowany borem,
o = 0,07 ·cm, implantowany jonami Ne++ o energii
E=100 keV i dawce D=2,2·10-14 cm-2. Próbki wygrzewano
izochronicznie przez 15-min. w temperaturach od 323 K do
873 K ze średnim skokiem 50 K. Pomiary parametrów
elektrycznych (Cp, ) wykonywano w zakre[...]
więcej»
w zeszycie
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010/7
|
|
|
|
|
|
|
|
|
» Peculiarities of conductivity, structure and magnetization of oxidized FeCoZr-Al2O3 granular nanocomposites
|
|
|
Julia KASIUK Julia FEDOTOVA Ivan SVITO Aleksander AKIMOV Tomasz N. KOŁTUNOWICZ Paweł WĘGIEREK
(FeCoZr)x(Al2O3)100-x composites have been obtained with ion-beam sputtering in atmosphere Ar and O. Mössbauer spectroscopy,
inductive magnetometry and conductivity measurements were carried out for investigation of nanocomposites structure and properties. Performed
investigation revealed the opportunity to influence by hydrogenation on FeCoZr-Al2O3 structure and magnetic properties.
Streszczenie. Kompozyty (FeCoZr)x(Al2O3)100-x były uzyskane przez rozpylanie jonowe w atmosferze Ar i O. Przeprowadzono pomiary
konduktywności oraz badania struktury i właściwości nanokompozytów przy użyciu spektroskopii Mössbauerowskiej i magnetometrii indukcyjnej.
Przeprowadzono badania wykazują pływ hydrogenizacji na strukturę i właściwości magnetyczne FeCoZr-Al2O3. (Cechy charakterystyczne
konduktywności, struktura i magnetyzacja utlenionych ziarnistych nanokompozytów FeCoZr-Al2O3)
Keywords: nanocomposite, hydrogenation, iron oxides, Mössbauer spectroscopy, magnetization, electrical conductivity
Słowa kluczowe: nanokompozyt, hydrogenizacja, tlenki żelaza, spektroskopia Mössbauer-owska, magnetyzacja, przewodnictwo
elektryczne.
Introduction
Nowadays one of the most relevant directions in
material science is investigation of nanocomposite metaldielectric
materials that demonstrate unique combination of
physical properties. Controlled incorporation of impur[...]
więcej»
w zeszycie
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010/7
|
|
|
|
|
|
» Imaginary part of admittance in (Fe0.45Co0.45Zr0.10)x(Al2O3)(1-x) nanocomposites
|
|
|
Andrey V. LARKIN Anis SAAD Aleksander K. FEDOTOV Julia A. FEDOTOVA Aleksy PATRYN Bohdan ANDRIYEVSKYY Zbigniew CZAPLA Sławomir DACKO Tomasz N. KOŁTUNOWICZ Paweł WĘGIEREK
Temperature and frequency dependences of the imaginary part of admittance σ′′(T, f) in granular (Fe0.45Co0.45Zr0.10)x(Al2O3)(1-x)
nanocomposite films around the percolation threshold xC have been investigated. The films of 3 - 6 μm thickness were deposited in Ar gas
atmosphere using sputtering method. The behavior of σ′′(T, f) dependences for the samples studied in the range of 100 - 340 K and 102 - 106 Hz
displayed the predominance of activational conductivity mechanism for the samples with х 43 at.% and metallic one at х 48 at.%.
Streszczenie. Zbadane zostały temperaturowe i częstotliwościowe zależności susceptancji (urojona część admitancji) σ′′(T, f) cienkich warstw
nanokompozytów (Fe0.45Co0.45Zr0.10)x(Al2O3)(1-x) w pobliżu progu perkolacji xC. Cienkie warstwy o grubości 3 - 6 μm wytworzone były w atmosferze Ar
przy użyciu metody rozpylania jonowego. Określono zachowanie się zależności σ′′(T, f) dla próbek zbadanych w zakresie temperatur
100 - 340 K i częstotliwości 102 - 106 Hz wykazujące przewagę aktywacyjnego mechanizmu przewodnictwa dla próbek z х 43 at.%
i przewodnictwa metalicznego dla х 48 at.%). (Urojona część admitancji w nanokompozytach (Fe0.45Co0.45Zr0.10)x(Al2O3)(1-x))
Keywords: admittance, conductivity, nanocomposites, percolation threshold.
Słowa kluczowe: admitancja, konduktywność, nanokompozyty, próg perkolacji.
Introduction
Nowadays the synthesis and investigation of the
materials, usually called the granular nanocomposites, are
of a great interest for the material engineers. Particular
attention is given to the nanocomposites in which granules
of soft ferromagnetic alloys with sizes about some
nanometres are randomly distributed in dielectric matrix.
The interest to such systems is mainly due to wide
possibilities of their application (e.g. for saving and
recording of information[...]
więcej»
w zeszycie
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010/7
|
|
|
» Comparative analysis of the influence of low-energy hydrogen and helium ion-beam treatments on the structural and electrical properties of CzSi wafers
|
|
|
Olga ZINCHUK Alexander FEDOTOV Ngo Xuan CUONG Alexander MAZANIK Nina KREKOTSEN Viktor UKHOV Nikolai STAS’KOV Alexander SOTSKI Sergey TURISHCHEV Paweł WĘGIEREK
Standard commercial 4.5 - 40 Ωcm both n- and p-type CzSi wafers were subjected to hydrogen or helium ion-beam treatments at 25-
350°C. The ion energy was equal to 300 eV, current density - 0.15 mA/cm2, treatment duration - 30 min. According to the conducted experiments,
the hydrogen and helium ion beam treatments had similar influence on the sheet resistance, thermo EMF sign and photovoltage spectra of Cz Si
wafers. In case of the p-type wafers, in particular, a growth of the sheet resistance and a change of the thermo EMF sign on the ion treated surface
as well as the appearance of a photovoltage signal over a wide spectral range were observed, pointing to the occurrence of the near-surface band
bending. As found from our experiments, both hydrogen and helium ion beam treatments lead to the formation of a thin (several nanometers)
oxygen-containing insulating layer on the treated surface. However, a thickness of this layer and the oxygen in-depth distribution strongly depend on
the regime of ion-beam treatment and type of the ions used, namely in the case of H+ ion-beam treatment the oxygen-containing layer is much
thicker compared to that with the use of He+.
Streszczenie. Standardowe płytki CzSi 4,5 - 40 Ωcm typu n oraz p zostały poddane działaniu wiązek jonowych wodoru i helu o energii 200eV, w
zakresie temperatur 25-350°C. Gęstość prądu wynosiła 0,15mV/cm2, a czas trwania obróbki - 30 min. Na podstawie przeprowadzonych
eksperymentów stwierdzono, że jonowe wiązki helu i wodoru mają podobny wpływ na rezystancję warstwy, zwrot sił termoelektromotorycznych oraz
widma fotonapięcia w płytkach CzSi. Szczególnie a przypadku płytek typu p zaobserwowano wzrost rezystancji warstw i zmianę znaku sił
termoelektromotorycznych w obrabianej jonowo powierzchni jak również pojawienie się sygnału fotonapięcia w szerokim zakresie widmowym, co
wskazuje na pojawienie się okołopowierzchniowego ugięcia pasma. Przeprowadzone eksperyment[...]
więcej»
w zeszycie
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010/7
|
|
|
|
Strona 1
|
Twój Profil
Twój koszyk
