Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk

Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

To proste!

zobacz szczegóły

r e k l a m a

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

zobacz szczegóły

Wyniki wyszukiwania

Wyniki 1-3 spośród 3 dla zapytania: authorDesc:"A. Konczakowska"

» Budowa i badania prototypowych podukładów funkcjonalnych elektronicznych i energoelektronicznych, w tym wysokotemperaturowych wykorzystujących...

A. Konczakowska

R. Barlik

K. Zymmer

Głównym celem zadania 3. projektu zamawianego nt: Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur jest przeprowadze[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2006/9

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Przeprowadzenie prób obejmujących miernictwo i charakteryzację opracowanych elementów, przyrządów i prototypowych podukładów

A. Konczakowska

W. Gwarek

A. Napieralski

J. Zarębski

Głównym celem zadania 4. projektu zamawianego nt: Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur jest analiza właś[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2006/9

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Ocena parametrów statycznych diod Schottky’ego z SiC

ARKADIUSZ SZEWCZYK

ALICJA KONCZAKOWSKA

BARBARA STAWARZ-GRACZYK

Prowadzone od wielu lat prace nad technologią wytwarzania elementów półprzewodnikowych z węglika krzemu (SiC) zakończyły się sukcesem w zakresie produkcji diod Schottky’ego z SiC. Dostępne są komercyjne diody Schottky’ego produkcji, np. firmy CREE i firmy INFINEON. Zgodnie z informacjami producentów diody te charakteryzują się pomijalnie małym wstecznym prądem przejściowym przy wyłączaniu diody, stosunkowo małym spadkiem napięcia w stanie przewodzenia diody Schottky’ego z SiC w porównaniu z diodą krzemową PIN.Wkartach katalogowych przytaczane są charakterystyki statyczne przy polaryzacji diod Schottky’ego w kierunku przewodzenia i zaporowym, które potwierdzają wyżej przytoczone właściwości [1,2]. Celem pomiarów było sprawdzenie powtarzalności parametrów[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009/6

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a