profil Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk
  Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

zegar

To proste!

zobacz szczegóły
r e k l a m a
FAIL (the browser should render some flash content, not this).

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

baza zobacz szczegóły

Wyniki wyszukiwania

Wyniki 1-2 spośród 2 dla zapytania: authorDesc:"M. Tłaczała"

» Opracowanie technologii i konstrukcji tranzystorów HFET oraz diod Schottky?ego na bazie heterostruktur AIII-N-SiC...

M. Tłaczała  R. Paszkiewicz  B. Paszkiewicz  B. Boratyński  
Wśród wielu zastosowań tranzystorów mocy RF pracujących w dolnym paśmie b.w.cz. 1...5 GHz na czoło wybija się dziedzina telefonii komórkowej i łączy dla bezprzewodowych sieci lokalnych WLAN. Moduły na[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2006/9


 

» Planarne domieszkowanie krzemem...

B. Ściana  D. Radziewicz  B. Paszkiewicz  M. Tłaczała  P. Sitarek  J. Kovać  M. Florović  
Planarne domieszkowanie (ang. d-doping) jest nowoczesną techniką epitaksjalnego domieszkowania półprzewodników, polegającą na przestrzennym ograniczeniu wprowadzanej domieszki do jednej lub kilku wars[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005/2-3


 

 Strona 1 
r e k l a m a
FAIL (the browser should render some flash content, not this).