Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk

Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

To proste!

zobacz szczegóły

r e k l a m a

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

zobacz szczegóły

Wyniki wyszukiwania

Wyniki 1-2 spośród 2 dla zapytania: authorDesc:"A. Klimasek"

» Badania składu chemicznego oraz odpowiedzi struktury czujnikowej SnO2 na suche i wilgotne syntetyczne powietrze

B. Adamowicz

SnO2 thin films fabricated by means of the rheotaxial growth and thermal oxidation (RGTO) method are important sensing structures applied in the detection of low concentration oxidising (NO2, O2) a[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2006/12

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Profilowanie składu chemicznego tlenkowych warstw pasywacyjnych metodą spektromikroskopii elektronów Augera

ALINA DOMANOWSKA

KATARZYNA KORWIN-MIKKE

SYLWIA GIERAŁTOWSKA

JANUSZ ŻYWICKI

Spektromikroskopia elektronów Augera (AES), sprzężona z trawieniem jonowym, pozwala na lokalną identyfikację zanieczyszczeń na powierzchni ciała stałego (do głębokości ok. 3 nm) oraz na wyznaczenie rozkładu koncentracji pierwiastków w funkcji odległości od powierzchni. Szczególnie ważne dla technologii struktur półprzewodnikowych jest określenie wgłębnych profili składu cienkich warstw o grubościach nanometrycznych, w tym tlenkowych warstw pasywacyjnych oraz obszarów granic fazowych. Jednakże, poważnym problemem w tym przypadku jest rozmycie profili koncentracji pierwiastków wskutek takich procesów, jak trawienie preferencyjne i mieszanie atomów, a także - w strukturach wieloskładnikowych - nakładanie się pików AES o zbliżonych energiach. Uzyskanie informacji ilościowej o składzie chemicznym wymaga więc, z jednej strony, systematycznego, starannego pomiaru serii widm pochodzących z kolejnych warstw próbki, a z drugiej - zastosowania odpowiedniej analizy linii widowych [1, 2]. W pracy zastosowano profilowanie AES oraz własną numeryczną procedurę analizy widm całkowych do określania składu chemicznego oraz grubości cienkich tlenkowych warstw pasywacyjnych: (i ) na powierzchni stali nierdzewnej zawierającej chrom, która jest stosowana w transplantologii oraz (ii ) w strukturze HfO2/SiO2/SiC, stosowanej w mikroelektronice do konstrukcji przyrządów półprzewodnikowych (diod, tranzystorów) dużej mocy i wysokich temperatur; struktura ta zawierała buforową nanowarstwę SiO2 o grubości 5 nm. Procedura numeryczna widm AES obejmuje odjęcie tła widma, dekompozycję nakładających się linii widmowych różnych pierwiastków w oparciu o algorytm ewolucyjny, z wykorzystaniem funkcji pseudo Voigta jako wzorca piku oraz identyfikację przesunięć chemicznych. W przypadku analizowanych warstw tlenkowych, kluczowym zagadnieniem było rozdzielenie nakładających się złożonych linii tlenu i chromu (w notacji spektroskopii AES oznaczanych odpowiednio [...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/9

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a