Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk

Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

To proste!

zobacz szczegóły

r e k l a m a

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

zobacz szczegóły

Wyniki wyszukiwania

Wyniki 1-2 spośród 2 dla zapytania: authorDesc:"Jacek Szuber"

» V international Workshop on semiconductor Gas sensors sGs 2006

Jacek Szuber

W dniach 10-13 września 2006 r. odbyła się w CRW MUFLON w Ustroniu, pod auspicjami Sekcji Nauki o Powierzchni oraz Sekcji Struktur Cienkowarstwowych Polskiego Towarzystwa Próżniowego, cykliczna mię[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2006/12

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Optymalizacja technologii reotaksjalnego osadzania nanowarstw wybranych przezroczystych tlenków przewodzących

JACEK SZUBER

MONIKA KWOKA

PIOTR KOŚCIELNIAK

MICHAŁ SITARZ

W ostatnich dwudziestu latach przedmiotem szczególnego zainteresowania mikroelektroniki są przezroczyste tlenki przewodzące, m.in. dwutlenek cyny (SnO2) oraz trójtlenek indu (In2O3). Ich wysoka przewodność elektryczna (~102 Ω-1⋅cm-1), oraz ich wysoka przezroczystość (~80%) w obszarze UV-VIS spowodowały, że znalazły one szerokie zastosowanie jako m.in. cienkie przezroczyste elektrody przewodzące w bateriach słonecznych, ale przede wszystkim w formie grubych i cienkich warstw do konstrukcji sensorów gazów toksycznych [1, 2]. Jedną z najbardziej powszechnych metod wytwarzania cienkich warstw w/w tlenków przewodzących dla celów sensorowych jest technologia reotaksjalnego osadzania warstw metali (Sn, In) połączona z ich utlenianiem termicznym w wysokiej temperaturze. Metoda ta znana w literaturze jako RGTO (Rheotaxial Growth and Thermal Oxidation), opracowana została przez grupę Sberveglieriego z Uniwersytetu w Bresci (Włochy) [3]. Polega ona na tym, że reotaksjalnie osadzone w warunkach wysokiej próżni (10-3 Pa) cienkie warstwy Sn lub In o grubości kilkuset nm utleniano następnie termicznie w suchym powietrzu w podwyższonej temperaturze (do 900°C). Metoda ma bardzo istotne ograniczenie ponieważ rozmiary ziaren tych tlenków (300…500 nm) są 2 rzędy większe od głębokości obszaru przypowierzchniowego ładunku przestrzennego (głębokości ekranowania Debye’a LD ~ kilka nm), na której zachodzi efekt sensorowy. Wcześniejsze badania własne chemii i morfologii cienkich warstw SnO2 otrzymanych w klasycznej technologii RGTO [3], przeprowadzone metodami dyfraktometrii rentgenowskiej (XRD) i skaningowej mikroskopii elektronowe[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/9

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a