profil Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk
  Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

zegar

To proste!

zobacz szczegóły
r e k l a m a
FAIL (the browser should render some flash content, not this).

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

baza zobacz szczegóły

Wyniki wyszukiwania

Wyniki 1-8 spośród 8 dla zapytania: authorDesc:"Paweł ŻUKOWSKI"

» Badanie właściwości powłok ochronnych naniesionych metodą jednowiązkowego dynamicznego mieszania jonowego na powierzchnie styków łączników powszechnego użytku

Czesław KARWAT  Mariusz KOLASIK  Czesław KOZAK  Paweł ŻUKOWSKI  
W artykule przedstawione zostały badania rezystancji przejścia, temperatury i energii łuku palącego się w przerwie międzystykowej, w zależności od rodzaju naniesionej powłoki ochronnej. Abstract. The paper presents testing of transition resistance, temperature and energy of an arc occurring in the contact gap depending on the kind of an applied protective coating. (Testing of properties of prot[...] więcej»
w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2008/3


 

» Wpływ grubości powłok ochronnych ze srebra na parametry eksploatacyjne łączników powszechnego użytku

Paweł ŻUKOWSKI  Mariusz KOLASIK  Czesław KARWAT  Czesław KOZAK  
W artykule przedstawiono wyniki badań szybkości degradacji warstwy ochronnej ze srebra o danej grubości naniesionej na styki. Sformułowano odpowiednie wnioski dotyczące doboru odpowiedniej grubości pokrycia srebrem dla danych warunków pracy łącznika. Abstract. The paper presents results of testing of the damage rate of protective silver coating spread on the switch contacts. There have been for[...] więcej»
w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2008/3


 

» Application of semiconductor sensors for quality control of food products

VITALY ZARAPIN  VALERY LUHIN  PAWEŁ ŻUKOWSKI  TOMASZ KOŁTUNOWICZ  
Semiconductor sensors represent an independent class of analytical devices and make possible to get reliable, quick and easily processed information. Their use gives the possibility of control, diagnostics and management of various processes, as well as the possibility of analyzing indications of raw material and final product quality. The application of semiconductors in this field can be q[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008/6


 

» Stabilizacja temperatury pracy łączników przy zastosowaniu powłok wieloskładnikowych wytwarzanych metodą dynamicznego mieszania jonowego

MARIUSZ KOLASIK  CZESŁAW KARWAT  CZESŁAW KOZAK  PAWEŁ ŻUKOWSKI  
Podczas pracy łącznika jego parametry eksploatacyjne pod wpływem powstającego między rozchodzącymi się stykami łuku elektrycznego ulegają znacznemu pogorszeniu. Związane jest to z degradacją powierzchni styczności, która staje się chropowata i pokrywa się warstwą nalotową. Jedną z metod poprawy właściwości styków jest galwaniczne nanoszenie warstw ochronnych wykonanych np. ze srebra. Przebieg zmian rezystancji zestykowej i temperatury pracy takiego łącznika zarejestrowanych za pomocą stanowiska do badań łączników, opisanego w pracy [1] przedstawia rys. 1. W początkowym okresie badań łącznik charakteryzuje się niską wartością rezystancji przejścia i temperatury łuku. Stan ten utrzymuje się dopóki z powierzchni styku pod wpływem palącego się łuku nie nastąpi odparowanie srebra. [...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009/9


 

» Wpływ wygrzewania na właściwości elektryczne nanokompozytów (CoFeZr)x + (Al2O3)1-x

Paweł ŻUKOWSKI  Tomasz KOŁTUNOWICZ  Janusz PARTYKA  Paweł WĘGIEREK  Julia A. FEDOTOVA  Alexander K. FEDOTOV  Andrej V. LARKIN  
W pracy zbadano wpływ wygrzewania termicznego na przewodność skokową nanokompozytu (CoFeZr)x + (Al2O3)1-x. Pomiary wykonano na prądzie przemiennym z zakresu częstotliwości od 50 Hz do 1 MHz dla 60-ciu wybranych temperatur pomiarowych z przedziału od 77 K do 303 K. Abstract. The paper presents the results of measurement of the influence of the thermal’s annealed on the hopping conductivity[...] więcej»
w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2008/3


 

» Badania szybkości degradacji powłok ochronnych styków łączników prądu przemiennego za pomocą elektronowej mikroskopii skaningowej i mikroanalizy rentgenowskiej

Paweł ŻUKOWSKI  Mariusz KOLASIK  Czesław KARWAT  Czesław KOZAK  Valery G. LUHIN  
W pracy przedstawiono wyniki badań zmian koncentracji powierzchniowej srebra zachodzących w trakcie eksploatacji w powłokach ochronnych naniesionych galwanicznie na styki miedziane łączników powszechnego użytku. Abstract. The paper presents results of investigations into operating changes in the surface concentration of silver of protective coatings electroplated onto copper contacts of commonl[...] więcej»
w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2008/3


 

» Zastosowanie sensorów termoelektrycznych do analizy gazów

VALERY LUHIN  VITALY ZARAPIN  IVAN ZHARSKY  PAWEŁ ŻUKOWSKI  MARIUSZ KOLASIK  CZESŁAW KOZAK  
W ostatnich latach dużo uwagi poświęcono opracowaniu mikroelektronicznych przetworników (czujników) pomiarowych różnych wielkości fizycznych i chemicznych, takich jak czujniki temperatury, ciśnienia, przyspieszenia, indukcji pola magnetycznego, natężenia promieniowania, wilgotności oraz składu chemicznego gazów. Czujniki gazów mają duże zastosowanie w przemyśle chemicznym, elektronicznym, l[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008/6


 

» Model przewodności skokowej i jego weryfikacja dla nanostruktur wytwarzanych technikami jonowymi

Paweł ŻUKOWSKI  Tomasz KOŁTUNOWICZ  Janusz PARTYKA  Paweł WĘGIEREK  Mariusz KOLASIK  Andrej V. LARKIN  Julia A. FEDOTOVA  Alexander K. FEDOTOV  Fadei F. KOMAROV  Ludmila A. VLASUKOVA  
W pracy przedstawiono model przewodności skokowego przenoszenia ładunków, zlokalizowanych w studniach potencjału, w przypadku przemiennego pola elektrycznego. Abstract: The paper presents a conductivity model of a hopping transfer of charges located in potential wells in the case of an alternating current field. (A model of hopping recharging and its verification for nanostructures formed by th[...] więcej»
w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2008/3


 

 Strona 1 
r e k l a m a
FAIL (the browser should render some flash content, not this).