Największa baza artykułów technicznych online - aktualnie 66233 publikacje.
Zaawansowane »          English [ENGLISH]
  • Aktualności
  • Prenumerata papierowa
  • Baza publikacji
  • Dostęp czasowy
  • KatalogFirm
  • O Wydawnictwie
profil Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk
  Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

zegar

To proste!

zobacz szczegóły
r e k l a m a
FAIL (the browser should render some flash content, not this).

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

baza zobacz szczegóły

Wyniki wyszukiwania

Wyniki 1-10 spośród 10 dla zapytania: authorDesc:"Krzysztof PYSZNIAK"

» Stanowisko do badania rozpylania jonowego wiązkami średniej energii

KRZYSZTOF PYSZNIAK  MARCIN TUREK  ANDRZEJ DROŹDZIEL  JULIUSZ SIELANKO  DARIUSZ MĄCZKA  
Procesem implantacji jonowej nazywamy wbijanie jonów pożądanego pierwiastka do tarczy za pomocą bombardowania jej powierzchni wiązką tych jonów. Technologie wykorzystujące implantację jonową są obecnie szeroko wykorzystywane w wielu dziedzinach nauki i techniki [1]. Podczas bombardowania tarczy wiązką jonów zachodzi również proces konkurencyjny do implantacji, a mianowicie zjawisko rozpylani[...] więcej»
 w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2007/10


 

» Komputerowe modelowanie procesu ekstrakcji wiązki z plazmowego źródła jonów
Marcin TUREK  Krzysztof PYSZNIAK  Andrzej DROŹDZIEL  Juliusz SIELANKO  Dariusz MĄCZKA  
W artykule przedstawiano badania ekstrakcji wiązki jonowej w numerycznym modelu plazmowego źródła jonów. Uzyskane zostały charakterystyki prądowo-napięciowe, zależności powierzchni menisku plazmy od napięcia ekstrakcyjnego itp. Wprowadzono pojęcia perweancji dynamicznej i efektywnej powierzchni emitującej. Abstract. Study of Ion beam extraction using numerical model of plasma ion source is pres[...] więcej»
 w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2008/3


 

» Źródło jonów dla potrzeb implantacji jonami Al+
MARCIN TUREK  KRZYSZTOF PYSZNIAK  SŁAWOMIR PRUCNAL  ANDRZEJ DROŹDZIEL  JERZY ŻUK  
Jednym z materiałów wykorzystywanych w technologii wytwarzania elektronicznych przyrządów półprzewodnikowych dużej mocy i odpornych na wysokie temperatury pracy (do 250oC) jest węglik krzemu (SiC). Charakteryzuje się on między innymi dużą wartością przerwy energetycznej (około 3,2 eV w zależności od politypu kryształu), a także wysoką temperaturą topnienia równą 2830oC. Wprowadzanie domieszek do materiału podkładki, celem wytworzenia obszarów typu p i n, może odbywać się różnymi metodami: domieszkowania w trakcie epitaksjalnego wzrostu kryształu (MBE), klasyczną metodą dyfuzji termicznej oraz w wyniku procesu implantacji jonowej. Metoda implantacji jonowej umożliwia dokładne określenie lokalizacji i koncentracji domieszki, co jest trudne do osiągnięcia metodą dyfuzji termiczne[...] więcej»
 w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009/9


 

» Źródło jonów z parownikiem ogrzewanym przez wyładowanie łukowe. Symulacje komputerowe i eksperymen
Marcin TUREK  Andrzej DROŹDZIEL  Krzysztof PYSZNIAK  Sławomir PRUCNAL  Jerzy ŻUK  
W artykule zaprezentowano nowy typ źródła jonów, szczególnie użyteczny w razie potrzeby uzyskania wiązek jonów pierwiastków metalicznych, także trudnotopliwych. Opisano także model numeryczny pozwalający na obliczenia wydajności jonizacji w zależności od parametrów pracy źródła. Przedstawiono wyniki symulacji. Pokazano wybrane doświadczalne charakterystyki źródła, otrzymane dla żelaza i glinu. Abstract. A new type of ion source is presented that is especially useful for metalic ion beams, also in the case of refractory metals. A numerical model enabling ion source efficiency calculations is described and some simulation results are discussed. Ion source characteristics measured for iron and aluminum are presented. (Arc discharge ion source with an evaporator. Computer simulations and experiment). Słowa kluczowe: źródła jonów, symulacje komputerowe, implantacja jonowa, jony pierwiastków metalicznych. Keywords: ion sources, computer simulations, ion implantation, metalic ions. Wstęp Implantacja jonowa jest techniką szeroko stosowaną do modyfikacji własności ciał stałych. Często zachodzi konieczności implantacji jonami pierwiastków metalicznych, o dość wysokiej temperaturze topnienia, przykładem może być wykorzystanie implantacji jonami pierwiastków ziem rzadkich dla potrzeb optoelektroniki [1] oraz spintroniki [2]. Kolejnym wyzwaniem, z jakim musieli zmierzyć się autorzy pracy, było domieszkowanie próbek węglika krzemu (SiC) jonami Al+ w celu wytworzenia warstw typu n [3]. Ze względu na dozy implantacji (rzędu 1016 cm-2), konieczne było zastosowanie źródła jonów wytwarzającego wiązkę jonów pierwiastków metalicznych o odpowiednio wysokim i stabilnym w czasie natężeniu prądu. W tym celu skonstruowano źródło jonów wyposażone w parownik z jonizowaną substancją, podgrzewany wyładowaniem łukowym. Źródło to łączy w innowacyjny sposób zasady pracy źródła jonów typu MEVVA [4] i źródła typu Nielsena [5], wykorzystywanego zazwyczaj do wytwarza[...] więcej»
 w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010/7


 

» Dwie konstrukcje plazmowych źródeł jonów z parownikiem
Marcin Turek  Andrzej Droździel  Krzysztof Pyszniak  Sławomir Prucnal  
Współczesne technologie mikroelektroniczne, a także metody wytwarzania nowych materiałów dla potrzeb optoelektroniki czy spintroniki, często wymagają implantacji jonami rozmaitych pierwiastków, celem modyfikacji właściwości fizykochemicznych przez domieszkowanie czy wytwarzanie defektów. Wytwarzanie nanostruktur metalicznych i półprzewodnikowych przez rozpylanie powierzchni [1, 2], implantację jonową i następujące po niej wygrzewanie stanowi wyzwanie ze względu na wielkość dawek implantacji (1016-1017 cm-2), potrzebnych do osiągnięcia odpowiednich koncentracji domieszek [3]. Trudności przysparza wytwarzanie wiązek jonów pierwiastków ziem rzadkich, a specyficzne ich właściwości sprawiają że domieszkowane nimi materiały są obiektem zainteresowania ze strony specjalistów zajmujących się spintroniką [4, 5], bądź nowymi źródłami światła [6]. Mimo, iż istnieje wiele innych metod domieszkowania, np. w trakcie epitaksjalnego wzrostu kryształów (MBE), bądź przez dyfuzję termiczną, to implantacja jonowa pozostaje atrakcyjną techniką ze względu na oferowaną szybkość i precyzję lokalizacji i koncentracji domieszki. Istnieje wiele sposobów wytwarzania wiązek jonów pierwiastków występujących zazwyczaj jako ciała stałe [7]. Podstawową techniką jest wytworzenie par substancji roboczej w zewnętrznym piecyku i doprowadzenie ich do komory źródła jonów. Zasadniczą trudnością tej metody jest efektywny transport par oraz konieczność stosowania grzejników o dużej mocy w przypadku substancji o wysokiej temperaturze topnienia. Kolejną popularną metodą jest stosownie związków lotnych takich jak np. chlorki i związki organometaliczne [8], jednakże są one często toksyczne i chemicznie agresywne. Stosuje się też rozpylanie jonowe [9], bądź elektronowe [10], a niekiedy nawet i mechaniczne [11]. Możliwość wytwarzania jonów, w tym wielokrotnie naładowanych, niemal z każdej substancji to zaleta źródeł jonowych wykorzystujących ablację laserową [12]. Niekied[...] więcej»
 w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/11


 

» Self assembled InN quantum structures in Si3N4 films produced by flash lamp processing
SŁAWOMIR Prucnal  MARCIN Turek  KRZYSZTOF Pyszniak  ANDRZEJ Dro Ździel  LARS Rebohle  WOLFGANG Skorupa  JERZY Żuk  
The III-V semiconductors with a direct band gap are widely used in optoelectronics e.g. as the light emitters operated in the wavelength range from ultra-violet to the infrared. Other applications of III-V compounds include single or tandem solar cells, high electron mobility transistors (HEMTs) and colour displays [1-3]. The most wide band gap variation offers group III-nitrides (AlGaIn)N changing form 6.2 eV for AlN down to 0.7-0.9 for InN [4, 5]. Compared to all other group-III nitrides, InN is characterized by the highest carrier mobility, the lowest electron effective mass and the highest saturation velocity. Therefore InN is the best candidate for high speed and high frequency electronic device applications. The fundamental properties of the InN crystals are intensively investigated since three decades. For a long time the band gap of InN was considered to be around 2 eV but detailed studies reveal that it is in the range of 0.7-1.0 eV, depending on the crystal quality and crystallography [6-8]. One of the most common techniques used for InN growth is molecular beam epitaxy. Due to very low dissociation temperature of InN and the lack of substrates with the same lattice parameter and similar thermal expansion coefficient the epitaxial growth of high quality single crystalline InN is very difficult. One of the best substrates used for InN growth is the (111) oriented silicon with a lattice mismatch of ~ 8% to InN(0001) [4]. The advantage of Si substrate over other materials is low cost, high crystal quality, thermal conductivity and the fact that it offers possibility to integrate InN directly with silicon technology. The key problem is that the MBE technique is time and costs consuming and not suitable for ultra-large-scale integrated (ULSI) circuits. In this paper we present the formation of InN crystalline structure in the Si3N4 films by ion implantation and millisecond flash lamp annealing. Samples were characterized b[...] więcej»
 w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/11


 

» Wyznaczanie rozkładów głębokościowych domieszek metodą PIPE
Krzysztof Pyszniak  Łukasz Gluba  Marcin Turek  Andrzej Droździel  Janusz Filiks  Artur Wójtowicz  Jerzy Żuk  Dariusz Mączka  
Jednym z ważnych zagadnień w inżynierii materiałów jest wyznaczanie rozkładów głębokościowych i koncentracji domieszek w ciałach stałych. Z różnym powodzeniem stosuje się w tym celu wiele metod doświadczalnych, takich jak: spektroskopia jonów wtórnych (SIMS) [1], spektroskopia rozpraszania rutherfordowskiego (RBS) [2], spektroskopia elektronów Augera (AES) [3], czy wykorzystanie znaczników radioaktywnych [4]. Kolejną metodą jest spektroskopia fotonów wzbudzanych bombardowaniem jonowym (PIPE). Polega ona na rejestracji i analizie promieniowania elektromagnetycznego, zazwyczaj w zakresie widzialnym i ultrafiolecie, powstałego w trakcie zjawisk zachodzących w czasie naświetlania powierzchni ciała stałego strumieniem jonów o energii od kilku do kilkuset kiloelektronowoltów. W trakcie bombardowania ciała stałego jonami, oprócz ich implantacji, zachodzi także, niekiedy bardzo intensywne, rozpylanie jego materiału. Spora część wybitych z tarczy atomów bądź molekuł jest w stanach wzbudzonych i przechodzi do stanu podstawowego emitując promieniowanie będąc w pewnej odległości od próbki. Świecenie to obserwowane jest w postaci jasnej poświaty, której rozciągłość wiąże się z czasami życia stanów wzbudzonych rozpylonych atomów i ich prędkościami. Obserwacja intensywności emisji charakterystycznych linii pierwiastka-domieszki podczas długotrwałych naświetleń, w trakcie których zachodzi erozja coraz to głębiej położonych warstw tarczy, pozwala na wyznaczanie m.in. profilu głębokościowego domieszki. Układ pomiarowy Stanowisko eksperymentalne służące do badania promieniowania optycznego emitowanego z tarczy bombardowanej wiązką jonów (PIPE), zbudowano na bazie implantatora jonów UNIMAS- 79. Składa się ono z komory eksp[...] więcej»
 w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/11


 

» Badania optyczne politypów 6H-SiC oraz 15R-SiC poddanych wielokrotnej implantacji jonami glinu w podwyższonej temperaturze
MIROSŁAW KULIK  JERZY ŻUK  WITOLD RZODKIEWICZ  KRZYSZTOF PYSZNIAK  ANDRZEJ DROŹDZIEL   MARCIN TUREK  SŁAWOMIR PRUCNAL  MARIUSZ SOCHACKI  JAN SZMIDT  
Węglik krzemu (SiC) ma właściwości fizyczne, chemiczne i mechaniczne, które predestynują ten materiał do zastosowań w elektronice wysokich temperatur, wysokich częstotliwości i dużych mocy. Przewodność cieplna SiC jest ponad trzykrotnie większa niż krzemu, a twardość osiąga wartość 9,2 w skali Mohsa. Węglik krzemu krystalizuje w formie około 200 różnych politypii. Ze względu na dużą wartość [...] więcej»
 w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008/7-8


 

» Charakteryzacja diod p-i-n wytworzonych metodą implantacji warstw epitaksialnych 4H-SiC jonami glinu
NORBERT KWIETNIEWSKI  MARIUSZ SOCHACKI  JAN SZMIDT  ANDRZEJ DROŹDZIEL  MIROSŁAW KULIK  SŁAWOMIR PRUCNAL  KRZYSZTOF PYSZNIAK  MICHAŁ RAWSKI  MARCIN TUREK  JERZY ŻUK  
Węglik krzemu jest szerokoprzerwowym półprzewodnikiem o właściwościach materiałowych korzystnych przy konstrukcji elementów elektronicznych wysokich mocy i częstotliwości, mogących pracować w wysokiej temperaturze i w środowisku agresywnym chemicznie. Jest to także materiał atrakcyjny ze względu na zastosowania w technice jądrowej i kosmicznej. W ostatnich kilku latach nastąpił znaczny postęp w otrzymywaniu wysokiej jakości monokryształów oraz warstw epitaksjalnych SiC. W szczególności polityp 4H-SiC o dużej wartości przerwy energetycznej równej 3,2 eV i ze względu na wyższe wartości ruchliwości nośników niż 6H-SiC ma obecnie największe znaczenie technologiczne. Implantacja jonami glinu jest najbardziej odpowiednią metodą powtarzalnego i selektywnego otrzymywania warstw typu p[...] więcej»
 w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009/6


 

» Zastosowania pochodnych ułamkowych w badaniach optycznych warstw półprzewodników modyfikowanych implantacją jonową
ŁUKASZ GLUBA  MIROSŁAW KULIK  WITOLD RZODKIEWICZ  JERZY ŻUK  ALEKSANDER P. KOBZEV  KRZYSZTOF PYSZNIAK  ANDRZEJ DROŹDZIEL  MARCIN TUREK  
Implantacja jonów jest znaną metodą domieszkowania warstw półprzewodników [1]. Dzięki niej możliwa jest zmiana właściwości fizycznych oraz chemicznych warstw przypowierzchniowych materiałów [1, 2]. Najbardziej popularne jest domieszkowanie półprzewodnika dla uzyskania określonego typu przewodnictwa przy produkcji urządzeń elektronicznych [3]. W ostatnich latach wykorzystuje się również metodę implantacji jonowej do wprowadzania domieszki aktywnej optycznie [4]. Wyżej wymienione kierunki badań są rozwijane od lat siedemdziesiątych ubiegłego wieku. W ostatnich pięciu latach implantacja jonowa była stosowana między innymi do syntezy półprzewodnikowych kropek kwantowych [5], sterowania ferromagnetyzmem w półprzewodnikach [6, 7]. Ponadto, przy jej pomocy ulepszać można właściwości powłok metalicznych [8]. Szczególnie ugruntowane są badania z zakresu optoelektroniki w celu poznania własności optycznych zaimplantowanych warstw. Można wymienić tutaj pracę Dinga i współpracowników [9], w której autorzy zaprezentowali metodę analizy funkcji dielektrycznej SiO2 zawierającego nanokrystality Si utworzone za pomocą implantacji jonowej. Ważne z punktu widzenia aplikacyjnego są pomiary poimplantacyjne warstw, w szczególności technikami optycznymi, których zaletą jest ich nieniszczący charakter oraz szybkość pomiarów. Uznanym sposobem badania optycznych własności cienkich warstw jest elipsometria spektralna (SE) [10]. Analiza danych elipsometrycznych może być wykonana za pomocą metody pochodnych ułamkowych (FDS), która posłuży nam do dokładnego określenia energii punktów krytycznych (CP) strefy Brillouina implantowanych materiałów. W pomiarach poimplantacyjnych bardzo często stosuje się SE oraz technikę wstecznego rozpraszania Rutherforda RBS. Przykładowo, w pracy [11] badano wpływ dawki 3×1015 cm-2 jonów In+ na zmiany własności optycznych materiału domieszkowanego oraz warstw tlenku naturalnego pokrywającego GaAs. Wpływ procesu implantacji m[...] więcej»
 w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/11


 

 Strona 1 
r e k l a m a
FAIL (the browser should render some flash content, not this).

Nasze czasopisma

kofeina biogaz pasteryzacja przemysł chemiczny tworzywa sztuczne chromatografia kontakt tłuszcz znakowanie bezpieczeństwo żywności Kociołek-Balawejder antocyjany przeciwutleniacze herbata soki owocowe gmo tłuszcze błonnik ciecze jonowe mleko suplementy diety osady ściekowe przegląd elektrotechniczny bhp barwniki mikrokapsułkowanie wino ocena ryzyka aluminium hydrokoloidy Aura Opakowanie opakowania karotenoidy 7 korozja Gospodarka wodna pompy ciepła cement pompa ciepła owies informacje dla autorów konserwanty ekstrakcja led mąka kolektory słoneczne six sigma problemy jakości czekolada żywność funkcjonalna nanotechnologia soja BRC kosmetyki skrobia jęczmień audit polifenole szkło pszenica jakość żywności jogurt jakość ocena ryzyka zawodowego haccp polimery kanalizacja inżynieria materiałowa praca materiały budowlane Gluten przegląd mleczarski kawa hutnik przemysł spożywczy orkisz tytan skrobia modyfikowana rfid 6 liofilizacja żywność enzymy mięso kompozyty biopaliwa chłodnictwo opakowania inteligentne probiotyki przegląd papierniczy miód magnez opakowania aktywne olej olej rzepakowy metale ciężkie napoje energetyzujące nanomateriały piwo biomasa makaron chleb elektronika dodatki do żywności logistyka gryka pestycydy ryzyko zawodowe fermentacja pieczywo żyto miedź prebiotyki aronia inulina servqual wentylacja recykling iso atest odpady drób napoje funkcjonalne transport biofilm mrożonki FMEA kwasy tłuszczowe jakość usług analiza sensoryczna iso 9001 ekstruzja biodiesel kukurydza cukier suszenie innowacje woda pszenżyto owoce IFS żywność wygodna witamina c kaizen piroliza wołowina masło utrwalanie żywności lody sól drożdże audyt prenumerator ścieki surfaktanty błonnik pokarmowy koszty jakości soki ryż żywność ekologiczna oczyszczanie ścieków tqm witaminy ochrona przed korozją OŁÓW zarządzanie jakością opakowania szklane zioła dioksyny zeolity napoje kakao sieci neuronowe transglutaminaza wzbogacanie żywności aromaty substancje dodatkowe przyprawy reologia celuloza ryby tekstura akryloamid sok mleczarstwo bioetanol iso 22000 Manufacturing Process Automation białka serwatkowe czosnek gospodarka mięsna owoce jagodowe produkcja piwa mikotoksyny akrylamid polichlorowane bifenyle antyoksydanty PET kasza

Budownictwo i Geodezja

Elektronika, Energetyka, Elektrotechnika

Hutnictwo, Górnictwo

Przemysł lekki

Przemysł spożywczy i gastronomia

Inne gałęzie przemysłu

Tematyka ogólnotechniczna

Czasopisma wielobranżowe
platnosci
O Wydawnictwiestr Prenumeratastr Reklamastr Drukarniastr Kolportażstr Regulamin Usługstr Englishstr
© 2006-2012 Wydawnictwo SIGMA-NOT Sp. z o.o. Wszelkie prawa zastrzeżone
projekt, wykonanie, obsługa: Pragma Software
b