MAREK WESOŁOWSKI- zobacz i pobierz wszystkie publikacje autora MAREK WESOŁOWSKI w naszych czasopismach

Wyniki 1-4 spośród 4 dla zapytania: authorDesc:"MAREK WESOŁOWSKI"

» Technologia MOCVD materiałów zawierających antymon na podłożach GaSb dla zastosowań w optoelektronice

Grupa materiałów półprzewodnikowych III-V z antymonem staje się obecnie szeroko stosowana w konstrukcjach przyrządów elektronicznych i optoelektronicznych [1,2]. Drogę do zastosowań wyznacza wąska przerwa energetyczna. Jeśli rozpatrywać związki wąskoprzerwowe bazujące na GaSb, GaAs, InSb, InAs, AlSb i AlAs, to wartość przerwy odpowiada emisji lub absorpcji w pasmie od ok. 1,7 µm (GaSb) do ponad 7 µm (InGaSb). Wykonywane lub opracowywane są fotodetektory, diody świecące i lasery pólprzewodnikowe pracujące w tym zakresie, rozpatrywane jest także zastosowanie antymonków w ogniwach fotowoltaicznych. Bardzo obiecującym jest m.in. zagadnienie laserów półprzewodnikowych 2...2,8 µm na podłożach GaSb. Takie lasery mogą osiągać moce rzędu kilku watów i pracować w trybi[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009/5

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Epitaksja warstw GaSb, InGaSb oraz InGaAsSb na podłożach GaSb metodą MOCVD

MAREK WESOŁOWSKI

WŁODZIMIERZ STRUPINSKI

Warstwy epitaksjalne zawierające antymon na podłożach GaSb stają się podstawowym elementem całej grupy przyrządów elektronicznych i optoelektronicznych [1]. Głównym atrybutem tych warstw wykorzystywanym w aplikacjach jest wąska przerwa energetyczna umożliwiająca wytwarzanie przyrządów o emisji (lub absorpcji) dla długości fali powyżej 2 μm. Opracowane i opracowywane są obecnie detektory oraz lasery półprzewodnikowe, których zakres wypełnia wcześniejszą lukę w podczerwieni, wykonywane są także ogniwa fotowoltaiczne i termowoltaiczne wykorzystujące warstwy antymonków. Obok technologii MBE do otrzymywania warstw epitaksjalnych stosuje się technologię epitaksji ze związków metaloorganicznych MOCVD [2-5], która odznacza się pewnymi przewagami nad MBE, między innymi w postaci [...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/1

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Epitaksja węglika krzemu metodą CVD

WŁODZIMIERZ STRUPIŃSKI

KINGA KOŚCIEWICZ

MAREK WESOŁOWSKI

Obecnie standardową metodą wytwarzania warstw epitaksjalnych a-SiC jest technika CVD. Produkuje się warstwy o lustrzanej powierzchni w pewnym określonym zakresie stosunku ciśnień parcjalnych dwóch głównych reagentów: sianu, będącego źródłem krzemu i propanu - jako źródła węgla. Szybkość krystalizacji kontroluje się transportem masy - silanu (krzemu) przy utrzymywaniu optymalnego stosunk[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008/7-8

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Zastosowanie technologii MOCVD w dziedzinie laserów antymonkowych z heterozłączem I-go rodzaju

Marek Wesołowski

Włodek Strupinski

Emilia Pruszyńska -Karbownik

Marcin Motyka

Grzegorz Sęk

Anna Wójcik -Jedlińska

Heterozłaczowe lasery pólprzewodnikowe zakresu 1,9…3 μm ze strukturą wykonaną z antymonków są obecnie głównym rodzajem laserów pracujących w tym obszarze widmowym (rys. 1). Zapewniają tryb pracy ciągłej w temperaturze pokojowej oraz względnie wysokie moce. W przeciwieństwie jednak do większości laserów półprzewodnikowych technologia otrzymywania heterostruktur całkowicie zdominowana jest przez epitaksję z wiązek molekularnych (MBE), a technologia epitaksji ze związków metaloorganicznych (MOCVD) jest w tej dziedzinie prawie nieobecna. Obok szeregu przyczyn utrudniających zastosowanie MOCVD jak np. niskie temperatury topnienia, niepełna piroliza prekursorów, separacja faz czy brak możliwości zastosowania SbH3 jako prekursora antymonu występuje czynnik częściowo z nimi związany i prawie uniemożliwiający otrzymywanie warstw zawierających glin o jakości odpowiedniej do zastosowania w laserach. Czynnik ten ma postać silnego zanieczyszczenia węglem oraz tlenem i prowadzi do występowania wysokiej nieintencjonalnej koncentracji dziurowej [1-3]. Niezamierzona koncentracja typu p w warstwach zawierających więcej niż 60% atomów glinu wśród atomów grupy III przekracza zwykle 2E18 cm-3. Następstwem tych problemów jest prawie całkowity brak doniesień o laserach na GaSb wykonanych przy zastosowaniu MOCVD oraz brak jakiejkolwiek komercjalizacji tej technologii. W jedynym opublikowanym dotychczas przypadku [1] przyrządu o strukturze podobnej do przedstawionej na rys. 1 parametry lasera znacznie odbiegały od parametrów uzyskiwanych w przypadku stosowania MBE i nie przedstawiono trybu pracy ciągłej. Z drugiej strony technologia MOCVD odpowiada znacznie mniej wymagającemu zakresowi ciśnień i pojedynczy proces jest krótszy. W ogólności związana jest z mniejszymi kosztami oraz - jeśli jest już opracowana - z łatwiejszą komercjalizacją. Technologie MBE i MOCVD odpowiadają także różnym warunkom termodynamicznym, w związku z czym zdarza się[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a