WŁODZIMIERZ STRUPIŃSKI- zobacz i pobierz wszystkie publikacje autora WŁODZIMIERZ STRUPIŃSKI w naszych czasopismach

Wyniki 1-5 spośród 5 dla zapytania: authorDesc:"WŁODZIMIERZ STRUPIŃSKI"

» Technologia MOCVD materiałów zawierających antymon na podłożach GaSb dla zastosowań w optoelektronice

Grupa materiałów półprzewodnikowych III-V z antymonem staje się obecnie szeroko stosowana w konstrukcjach przyrządów elektronicznych i optoelektronicznych [1,2]. Drogę do zastosowań wyznacza wąska przerwa energetyczna. Jeśli rozpatrywać związki wąskoprzerwowe bazujące na GaSb, GaAs, InSb, InAs, AlSb i AlAs, to wartość przerwy odpowiada emisji lub absorpcji w pasmie od ok. 1,7 µm (GaSb) do ponad 7 µm (InGaSb). Wykonywane lub opracowywane są fotodetektory, diody świecące i lasery pólprzewodnikowe pracujące w tym zakresie, rozpatrywane jest także zastosowanie antymonków w ogniwach fotowoltaicznych. Bardzo obiecującym jest m.in. zagadnienie laserów półprzewodnikowych 2...2,8 µm na podłożach GaSb. Takie lasery mogą osiągać moce rzędu kilku watów i pracować w trybi[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009/5

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Epitaksja węglika krzemu metodą CVD

WŁODZIMIERZ STRUPIŃSKI

KINGA KOŚCIEWICZ

MAREK WESOŁOWSKI

Obecnie standardową metodą wytwarzania warstw epitaksjalnych a-SiC jest technika CVD. Produkuje się warstwy o lustrzanej powierzchni w pewnym określonym zakresie stosunku ciśnień parcjalnych dwóch głównych reagentów: sianu, będącego źródłem krzemu i propanu - jako źródła węgla. Szybkość krystalizacji kontroluje się transportem masy - silanu (krzemu) przy utrzymywaniu optymalnego stosunk[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008/7-8

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Heterostruktury AlGaN/AlN/GaN na podłożach 4H-SiC uzyskane metodą LP MOVPE do zastosowań w technologii tranzystorów HEMT

PIOTR CABAN

WŁODZIMIERZ STRUPIŃSKI

JAN SZMIDT

W elektronice wysokich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur konieczne jest wykorzystywanie takich materiałów półprzewodnikowych, które cechuje m.in. wytrzymałość na działanie dużego natężenia pola elektromagnetycznego, szeroka przerwa energetyczna, duża ruchliwość nośników oraz wysokie przewodnictwo cieplne. Największe możliwości aplikacyjne w przyrządach wysokiej częstotliwości i dużej mocy dostarcza węglik krzemu (SiC) oraz azotek galu (GaN) i jego związki. Szczególne zainteresowanie budzą przyrządy o wielkich i wciąż nie do końca wykorzystywanych możliwościach, czyli tranzystory typu HEMT (z ang. High Electron Mobility Transistor), których działanie opiera się na wytworzeniu i wykorzystaniu dwuwymiarowego gazu elektronowego o wysokiej ruchliwości nośników, pow[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/3

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Diody laserowe dużej mocy i matryce diod laserowych na pasmo 800 nm

ANDRZEJ MALĄG

WŁODZIMIERZ STRUPIŃSKI

Głównym obszarem zastosowań diod laserowych na pasmo 800 nm są układy pompowania optycznego laserów na ciele stałym (Nd: YAG), krystalicznych i ceramicznych. Ważnym obszarem są też zastosowania przemysłowe i medyczne. W pierwszym z wymienionych tolerancja na długość fali emitowanej jest najostrzejsza (λ = 808 ± 1 nm). Wymagania dla mocy emitowanej są rzędu watów przy pompowaniu o[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008/11

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Kwantowy efekt Hall'a w epitaksjalnym grafenie otrzymanym w ITME

Lech Dobrzański

Włodzimierz Strupiński

Warstwy grafenu otrzymano w ITME oryginalną opatentowaną metodą wzrostu epitaksjalnego [1] na podłożu z węglika krzemu firmy Cree. Wzrost warstw był prowadzony na wypolerowanej stronie krzemowej płytki 4H-SiC o orientacji krystalograficznej (0001). Struktura do pomiaru efektu Hall’a została wykonana metodą fotolitografii i trawienia warstwy grafenu w plazmie tlenowej. Metalizacja kontaktów składała się z dwóch warstw Ti/Au o grubościach odpowiednio 5/200 nm. Wzór metalizacji powstał w wyniku fotolitografii odwrotnej (lift off ). Konstrukcję struktury przedstawiono na rys. 1. Wartość rezystancji ρXX w tym zakresie pól spada, jednak nie do zera, a do wartości ok. 0,1RK. Zmiana nachylenia wykresu ρXY na rys. 2 dla wartości pola ok. ±2T ma miejsce dla wartości rezystancji równej 1/6 RK. Na rysunku 3 przedstawiono wynik pomiaru innej struktury wykonanej na tej samej płytce SiC. Przy wartości rezystancji 1/6 RK występuje wyraźna półka. Rys. 1. Struktura badawcza do pomiaru efektu Hall’a Fig. 1. Hall bar test structure Przepływ prądu wymuszano pomiędzy kontaktami 1-5. Szerokość rezystora wynosi 20 μm, a jego długość 240 μm. W przedstawionej strukturze jest możliwy pomiar napięcia Hall’a pomiędzy kontaktami 3-7, 2-8, [...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012/4

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a