profil Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk
  Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

zegar

To proste!

zobacz szczegóły
r e k l a m a
FAIL (the browser should render some flash content, not this).

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

baza zobacz szczegóły

Wyniki wyszukiwania

Wyniki 1-6 spośród 6 dla zapytania: authorDesc:"ELŻBIETA STARYGA"

» Wpływ domieszkowania azotem warstw diamentowych na właściwości emisyjne układu DF/Si

ELŻBIETA STARYGA  ZBIGNIEW ZNAMIROWSKI  KAZIMIERZ FABISIAK  
Wzrost zainteresowania warstwami diamentowymi wytwarzanymi przy użyciu metod plazmo-chemicznych postępuje między innymi, ze względu na atrakcyjne właściwości fizykochemiczne tego materiału, takie jak, np. wysoka twardość, dobre przewodnictwo cieplne, dobra adhezja do podłoża i stosunkowo niska wartość powinowactwa elektronowego, co ma istotne znaczenie dla emisji elektronów z powierzchni warstw. W literaturze przedmiotu wskazuje się, że istotnymi czynnikami sprzyjającymi emisji elektronów z tego materiału są ujemna wartość powinowactwa elektronowego powierzchni warstwy diamentowej [1-3] oraz wysoka zawartość inkluzji grafitowych w warstwie diamentowej [4]. Ujemna wartość powinowactwa elektronowego efektywnie obniża barierę na granicy warstwa/próżnia umożliwiając tunelowanie e[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009/1


 

» Naprężenia dwuosiowe w warstwach diamentowych nanoszonych na podłoża krzemowe

ELŻBIETA STARYGA  LESZEK KLIMEK  KAZIMIERZ FABISIAK  MARCIN KOZANECKI  DAGMARA JARZYŃSKA  
W pracy przedstawione są rezultaty badań naprężeń w polikrystalicznych warstwach diamentowych naniesionych przy użyciu metody HF CVD na podłoża krzemowe. Charakterystykę warstw przeprowadzono przy zas[...] więcej»
w zeszycie INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2006/5


 

» Analiza składu chemicznego układu DLC-Si przy użyciu metody SIMS i spektroskopii elektronów Augera

ELŻBIETA STARYGA  JACEK ROGOWSKI  MAŁGORZATA KNAPIK  DAGMARA JARZYŃSKA  MARIAN CŁAPA  
Warstwy diamentopodobne (DLC) są atrakcyjnym materiałem ze względu na unikalne właściwości, takie jak duża twardość, odporność chemiczna oraz dobre przewodnictwo cieplne i elektryczne. Właściwości te [...] więcej»
w zeszycie INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2006/5


 

» Czy diament jest właściwym materiałem do wytworzenia emitera polowego?

DAGMARA JARZYŃSKA  ELŻBIETA STARYGA  ZBIGNIEW ZNAMIRoWSKI  KAZIMIERZ FABISIAK  
W ciągu ostatnich lat wzrasta zainteresowanie warstwami węglowymi wytwarzanymi metodami plazmochemicznymi przy niskim ciśnieniu ze względu na ich atrakcyjne właściwości fizykochemiczne. Warstwy diamentowe charakteryzują się m.in. wysoką twardością, odpornością chemiczną, wysokim przewodnictwem termicznym, a także ujemną wartością powinowactwa elektronowego (nEa), co ma istotne znaczenie dla [...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2007/2


 

» Wpływ warunków wytwarzania na właściwości emisyjne warstw diamentopodobnych

ELŻBIETA STARYGA  ZBIGNIEW ZNAMIROWSKI  PIOTR PISZCZEK  MARIAN CŁAPA  DAMIAN BATORY  
W ostatnich latach wzrosło zainteresowanie warstwami diamentopodobnymi DLC (ang. Diamond-Like Carbon) wytwarzanymi przy użyciu metod plazmochemicznych, ze względu na ich atrakcyjne właściwości fizykochemiczne.Warstwy DLC charakteryzują się m.in. wysoką twardością, odpornością chemiczną, wysokim przewodnictwem termicznym, a także stosunkowo niską wartością powinowactwa elektronowego, co ma istotne znaczenie dla emisji elektronów z powierzchni tych warstw [1]. Ujemna wartość powinowactwa elektronowego efektywnie obniża barierę na granicy warstwa diamentowa/ próżnia umożliwiając tunelowanie elektronów do próżni przy niskich polach elektrycznych [2]. Istotnym czynnikiem sprzyjającym emisji elektronów z powierzchni warstw DLC jest wysoka zawartość węgla amorficznego w warstwie diam[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009/1


 

» Wpływ struktury warstwy diamentowej na emisję elektronów z układu powłoka diamentowa/krzem

ELŻBIETA STARYGA  KAZIMIERZ FABISIAK  MACIEJ DŁUŻNIEWSKI  ZBIGNIEW ZNAMIROWSKI  
Atrakcyjne właściwości fizykochemiczne warstw diamentowych wytwarzanych przy użyciu metod plazmo-chemicznych, takie jak, np. wysoka twardość, dobre przewodnictwo cieplne, dobra adhezja do podłoża i stosunkowo niska wartość powinowactwa elektronowego sprawiają, że materiał ten pozostaje ciągle w szerokim zainteresowaniu. W literaturze przedmiotu wskazuje się, że istotnymi czynnikami sprzyjającymi emisji elektronów z tego materiału jest wartość powinowactwa elektronowego powierzchni warstwy diamentowej, która w zależności od rodzaju atomów wysycających wolne wiązania (terminacji) na powierzchni, zmienia się od -1,3 do +1,7 eV [1, 2]. Istotne znaczenia ma również obecność inkluzji grafitowych w warstwie diamentowej [3]. Ujemna wartość powinowactwa elektronowego dla warstw terminowanych wodorem efektywnie obniża barierę potencjału na granicy warstwa/próżnia umożliwiając tunelowanie elektronów do próżni przy niskich polach elektrycznych. Domieszka azotu w warstwie diamentowej może wpływać na zmianę właściwości elektrycznych warstwy, co sugerują Helmbold i inni [4]. Wskazują oni, że wzrost przewodności elektrycznej, w domieszkowanych warstwach węglowych jest spowodowany wzrostem grafityzacji struktury, wywołanym wprowadzeniem domieszki. Zhao i inni [5] uzyskali obniżenie natężenia pola włączeniowego Et-on od wartości około 17 V/μm (dla warstw diamentowych niedomieszkowanych) do wartości 14 V/μm, dla warstw implantowanych atomami azotu o dawce 20·1015 atomów/cm2. W celu otrzymania układów o wydajnej emisji elektronów przeprowadzono badania układów o stosunkowo niskim powinowactwie elektronowym i strukturze charakteryzującej się wysoką zawartością wtrąceń grafitopodobnych oraz dużym zdefektowaniem. W pracy przedstawiono wyniki badań wpływu struktury warstw diamentowych oraz ich domieszkowania azotem na emisję elektronów. Zaproponowano w oparciu o model stochastycznego rozkładu promieni kanałów przewodzenia w warstwi[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/8


 

 Strona 1 
r e k l a m a
FAIL (the browser should render some flash content, not this).