Wyniki wyszukiwania

Dzięki zastosowaniu metod galwanomagnetycznych do charakteryzacji materiałów i struktur heterozłączowych, wytwarzanych metodą MBE z warstw In0,53Ga0,47As/(100)InP i InAs/ GaAs, określono podstawowe parametry transportowe, zależności między nimi i ich wpływ na potencjalne zastosowanie [1-8]. Pomiary ruchliwości Halla nośników H, koncentracji powierzchniowej nS, grubości warstwy aktywnej t są[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2007/1

» Parametry galwanomagnetyczne i przewodnościowe warstw epitaksjalnych MBE z InAs/GaAs, In0,53Ga0,47 As/InP i GaAs/GaAs

Opublikowano liczne prace dotyczące heteroepitaksjalnego wzrostu warstw typu InxGa1-x As (0 ≤ × ≤ 1) na izolacyjnych podłożach GaAs i InP zarówno w urządzeniach MBE, jak i MOCVD [1-4]. Takie struktury zostały użyte do wykonywania magnetorezystorów, stosowanych w magnetycznych czujnikach położenia oraz w pamięciach magnetycznych. Uzasadnia to badania transportu ładunków elektryczn[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2007/6

» Wpływ grubości epitaksjalnych warstw InAs na GaAs, wykonywanych w technologii MBE, na ich parametry transportu ładunków elektrycznych

Celem badań było określenie wpływu właściwości pierwszych kilku lub kilkunastu warstw atomowych znajdujących się przy międzypowierzchni InAs/GaAs na budowę krystalograficzną i parametry elektryczne całej warstwy epitaksjalnej. Przedmiotem badań były niedomieszkowane warstwy epitaksjalne InAs osadzane na monokrystalicznym izolacyjnym SI GaAs (niedopasowanie sieciowe ~7%). Na podstawie a[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2007/7

» Influence of the magnetic field on the charge transport in InxGa1-xAs (0 < x < 1) MBE layers

The InAs, InGaAs and GaAs are the semiconductor compounds composed of two or three intermetallic phases In, Ga and As. The InAs has relatively narrow energy gap EG ~ 0.354 eV at 300 K, intrinsic concentration relatively high ~ 1 * 1015 cm-3. The In0.53Ga0.47As is a compound of three intermetallic phases In, Ga and As. The In0.53Ga0.47As has not so narrow energy gap as InAs, EG ~ 0.743 [...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008/2

» Conductance at InAs, InGaAs and GaAs MBE Epi - layers

JANUSZ KANIEWSKI

Structural inaccuracy, especially in layered structures, is one factor that affects how the magnitude of a magnetic field influences measured charge transport properties [1]. Gold and Nelson [2], while studying transport properties of HgCdTe layers, reported on the influence of different charge carriers using Hall characterization. An exhaustive review concerning these phenomena was undertaken by Meyer et all [3]. Such disorder was first described and interpreted by the so-called mobility spectrum by Beck and Anderson [4] and many papers have focused on this problem [5-10]. For proper characterization of a multi-carrier conduction system, the number of independent measurements must match the number of desired physical quantities. In actuality, complete characterization of mult[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009/2