MARIUSZ DUDEK- zobacz i pobierz wszystkie publikacje autora MARIUSZ DUDEK w naszych czasopismach

Wyniki 1-6 spośród 6 dla zapytania: authorDesc:"MARIUSZ DUDEK"

» Struktura i właściwości warstw ITO wytwarzanych metodą reaktywnego rozpylania magnetronowego

Badania nad domieszkowanym cyną tlenkiem indu (ITO) są od wielu lat stymulowane potrzebą równoległego optymalizowania elektrycznych, optycznych i mechanicznych własności, jak również nowym wyzwaniem z[...] więcej»
w zeszycie INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2006/5

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Wpływ parametrów osadzania na właściwości warstw ITO wytwarzanych w procesie reaktywnego rozpylania magnetronowego typu pulse-DC

Mariusz Dudek

Domieszkowany cyn. tlenek indu wyst.puj.cy w literaturze pod angloj.zycznym akronimem ITO (ang. indium tin oxide) jest wysoko zdegenerowanym, z szerok. przerw. energetyczn., po.przewodnikiem typu n o relatywnie niskiej rezystancji (ƒĎ = 10.3€10.4 ƒ¶ cm) i wysokiej transmitancji w .wietle widzialnym (typowo >80%) [1, 2]. Dzi.ki tym unikatowym w.a.ciwo.ciom ITO jest jedn. z najwa.niejszych cienkich warstw z rodziny transparentnych przewodz.cych tlenkow (ang. transparent conducting oxides . TCO). Znalaz. on szerokie zastosowanie jako materia. elektrod w przyrz.dach optoelektronicznych, takich jak wy.wietlacze ciek.okrystaliczne (LCD . Lliquid Crystal Display), diody emisyjne (LED . Light- Emitting Diodes), wy.wietlacze elektroluminescyjne (ELD . Electroluminescent Displays), czy p.askie panele wy.wietlaj.ce (np. [3€5]). W.a.ciwo.ci optyczne i elektryczne ITO bardzo silnie zale.. od warunkow wzrostu warstwy. W wyniku tego wiele ro.nych technik osadzania jest u.ywanych do wytworzenia warstw o wysokiej jako.ci. Mo.na do nich zaliczy. mi.dzy innymi reaktywne odparowywanie, osadzanie za pomoc. wi.zki jonow, osadzanie metodami CVD i rozpylania magnetronowego [1, 6]. Ostatnia metoda jest szeroko wykorzystywana ze wzgl.du na dobr. powtarzalno.. i wysok. jako.. warstw oraz mo.liwo.. u.ycia dodatkowego napi.cia polaryzuj.cego pod.o.e [7€14]. Zastosowanie dodatkowego wy.adowania jarzeniowego cz.stotliwo.ci radiowej (ang. radio frequency . RF) w obszarze probki . polaryzacji RF pod.o.a, jest skutecznym sposobem prowadz.cym do wytwarzania transparentnej i przewodz.cej warstwy ITO bez dodatkowego wygrzewania w trakcie b.d. po procesie osadzania [11€14]. Nasuwa si. pytanie, czy mo.na w temperaturze pokojowej wytworzy. ITO bez wspomagania procesu plazm. RF. Interesuj.cym rozwi.zaniem jest zmiana sposobu zasilania magnetronu, a konkretnie zast.pienie sta.opr.dowego (ang. direct curre[...] więcej»
w zeszycie INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2010/4

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Modelowanie metodą elementów skończonych naprężeń własnych w warstwach węglowych osadzanych na stali medycznej

JACEK SAWICKI

MARIUSZ DUDEK

Wysoka wartość naprężeń mechanicznych występujących w osadzanych warstwach prowadzi poprzez pękanie i odwarstwienie do ich całkowitego zniszczenia, co znacząco organicza praktyczne wykorzystanie warstw węglowych. Od wielu lat są prowadzone badania mające na celu zredukowanie naprężeń bez pogorszenia pozostałych własności mechanicznych i biologicznych warstw poprzez modyfikacje procesu osadzan[...] więcej»
w zeszycie INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2008/6

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Kontrola temperatury powierzchni próbki w procesie RF PECVD przy użyciu kamery termowizyjnej

MARIUSZ DUDEK

BOGUSŁAW WIĘCEK

Wytwarzanie warstw w procesie plazmochemicznym PE CVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) ma wiele zalet, spośród których najważniejszą jest możliwość wytworzenia fazy przejściowej zbudowanej z połączonych składników podłoża ze składnikami wzrastającej warstwy, odpowiedzialnej w szczególności za dobrą adhezję wytwarzanej warstwy do podłoża. Jednym z najważniejszych czynników, mających wpływ na grubość tworzącej się międzywarstwy w trakcie procesu osadzania warstwy węglowej jest rodzaj oraz temperatura podłoża [1-5]. Ze względu na inherentną złożoność tej technologii i konieczność optymalizacji procesu dla każdego indywidualnego układu warstwa-podłoże, procesy te nie zaistniały w pełni na skalę przemysłową. Zewnętrznie kontrolowane parametry procesu w reaktorze plazmoc[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009/9

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Analiza przewodności cieplnej diamentu oraz cienkich warstw DLC

Elżbieta Gęsikowska

Mariusz Dudek

Diament, najbardziej fascynująca postać węgla, już od wieków rozpalał wyobraźnię ludzi przede wszystkim jako cenny surowiec sztuki jubilerskiej. Unikatowe właściwości diamentu, takie jak wysoka twardość (100 GPa), wysoki współczynnik przewodnictwa cieplnego (600÷2000 W/mK), obojętność chemiczna oraz przezroczystość sprawiły, iż obecnie jest on stosowany w najbardziej ekstremalnych warunkach w optyce, optoelektronice (lasery), mikroelektronice (układy scalone, tranzystory), przemyśle narzędziowym (wiertła, narzędzia do cięcia szkła, noże diamentowe) oraz w medycynie. Rosnące zainteresowanie diamentem w wielu branżach przemysłu sprawiło, iż od kilku dekad są prowadzone intensywne badania poświęcone wytwarzaniu w sztucznych warunkach diamentu oraz cienkich warstw, strukturą i właściwościami przypominających naturalny diament. Do najbardziej rozpowszechnionych technik wytwarzania diamentów na skalę przemysłową należy metoda detonacyjna. Jednakże ze względu na specyfikę procesu nie może być ona uży ta do kształtowania spójnej warstwy powierzchniowej na bazie diamentu. Do wytwarzania cienkich warstw zostały z powodzeniem wykorzystane procesy chemicznego oraz fizycznego osadzania z fazy gazowej. Między innymi do wytwarzania warstw polikrystalicznego diamentu od wielu lat są stosowane procesy CVD (Chemical Vapour Deposition) z gorącym włóknem oraz wspomagane wyładowaniem wysokiej częstotliwości - plazmą mikrofalową, częstotliwością radiową oraz ich równoczesnym wykorzystaniem w jednym procesie [1÷5]. W przypadku procesów PVD (Physical Vapour Deposition) do najbardziej rozpowszechnionych należy zaliczyć metodę łukową oraz rozpylanie magnetronowe [6, 7]. Właściwości warstw wytwarzanych w procesach PECVD i PVD, w zależności od zewnętrznie kontrolowanych parametrów tych procesów, zmieniają się w bardzo szerokim zakresie. Ma to swoje odzwierciedlenie w stosowanym nazewnictwie. Do najbardziej znanych należy zaliczyć określenie diamentopod[...] więcej»
w zeszycie INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2010/4

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Odwrotna analiza numeryczna temperatury stalowego podłoża w procesie RF PECVD

Ptzemysław Siedlaczek

JACEK Sawicki

MARIUSZ Dudek

Procesy plazmochemiczne (plasma enhanced chemical vapor deposition - PECVD) są zaliczane do jednych z najbardziej rozwijanych współcześnie metod kształtowania warstwy powierzchniowej. Między innymi proces PECVD z elektrodą częstotliwości radiowej (ang. radio frequency - RF) są stosowane z powodzeniem do wytwarzania cienkich warstw o wysokich walorach użytkowych, w tym do wytwarzania warstw węglowych. Do największych zalet procesu RF PECVD należy zaliczyć możliwość wytworzenia fazy przejściowej zbudowanej z połączonych składników podłoża ze składnikami wzrastającej warstwy, odpowiedzialnej w szczególności za dobrą adhezję wytwarzanej warstwy do podłoża. Zewnętrznie kontrolowane parametry procesu w reaktorze plazmo- chemicznym, a mianowicie ciśnienie, szybkość przepływu mieszaniny gazów, moc wyładowania (gęstość mocy) oraz częstotliwość zasilającego generatora, mające fundamentalny wpływ na procesy zachodzące w fazie gazowej [1, 2], wpływają także na zachodzące oddziaływanie na granicy plazmy i powierzchni, w szczególności na wzrost temperatury podłoża w trakcie trwania procesu [3÷5]. W przypadku warstw węglowych wytwarzanych w procesie RF PECVD, temperatura podłoża również determinuje właściwości użytkowe wytwarzanej warstwy przez zmianę jej mikrostruktury oraz grubości tworzącej się międzywarstwy [6÷8]. Przekroczenie pewnej krytycznej wartości temperatury powierzchni próbki, powoduje, iż wodór celowo wprowadzony do komory lub powstały w wyniku dysocjacji gazu węglowodorowego, będącego źródłem węgla, prowadzi do przejścia od procesu osadzania do procesu trawienia warstwy węglowej [9, 10]. Zauważono, że osadzanie warstw w temperaturze powyżej 225°C (przybliżona wartość temperatury, przy której zachodzi przejście od procesu wzrostu do procesu trawienia wytwarzanej warstwy węglowej) wpływa na szybki spadek oporności elektrycznej i znaczące zmiękczenie warstw - następuje proces grafityzacji warstwy węglowej [2, 6, 11]. Dlatego osa[...] więcej»
w zeszycie INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2010/4

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a