|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
» Super-hard covering formation on metals by ion-beam assisted deposition: modeling
|
|
Fadei F. KOMAROV  Aleksander F. KOMAROV Andrey M. MIRONOV Paweł ZHUKOWSKI Czesław KARWAT Kokstantin N. ARYUTKIN
Theoretical model of the process of the ion-assisted deposition of titanium layers on the metal substrate is developed. The model allows
us to make a choice of the optimal ion beam energy, the ion current density, and the rate of layer deposition in order to improve the tribological and
mechanical properties of the system film/metal. Results of the modeling are compared with experimental data.
Streszczenie. W pracy przedstawiono model teoretyczny procesu dynamicznego mieszania jonowego warstw tytanu na podłoża metaliczne. Model
umożliwia określenie optymalnych wartości energii jonów, gęstości prądu jonowego i szybkości osadzania warstwy w celu poprawy właściwości
trybologicznych i mechanicznych układu warstwa-podłoże. Wyniki symulacji porównano z danymi doświadczalnymi. (Model teoretyczny procesu
dynamicznego mieszania jonowego warstw tytanu na podłoża metaliczne)
Keywords: ion-beam assisted deposition, super-hard layers, TiNx.
Słowa kluczowe: dynamiczne mieszanie jonowe, warstwy utwardzone, TiNx.
Introduction
The method of ion-plasma deposition with a simultaneous
ion implantation is one of the promising methods for the
formation of wear-resistant thin-film coatings [1]. The results
of recent experiments demonstrate that the structure,
tribological and mechanical properties of films formed
during ion deposition depend upon the characteristics of the
accompanying ion irradiation (the ion beam density, its
energy, the accumulated fluence). For stoichiometric
fluences the formation of impurity distribution profiles is
determined not only by the kinetics of atomic collisions but
also by the processes connected with the accumulation of
impurity in the target, sputtering of the target surface,
impurity diffusion, atomic mixing, formation of new phases
in the course of implantation, and irradiation-induced
swelling. The problems connected with the synthesis of
nitride phases like TiNx are timely. In particular, in this work
we present a[...]
więcej»
w zeszycie
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010/7
|
|
|
» Silicide formation on silicon by dense compression plasma treatment
|
|
|
Victor ANISHCHIK Vladimir UGLOV Nicolai KVASOV Yury PETUKHOU Valyantsin ASTASHYNSKI Anton KUZMITSKI3 Pawel ZHUKOWSKI Czesław KARWAT Jan ZUKROWSKI Julia FEDOTOVA
In the present paper the means of applying compression plasma flows (CPF) for deep metal doping of silicon, formation of single- and
multiphase metal silicide as well as submicron silicide structures are discussed. The action of CPF on Fe/Si and Ni/Si systems results in the
formation of silicon dendries and metal silicides α-FeSi2 and NiSi, NiSi2 respectively. Metal silicides are preferably localized between the silicon
dendrites’ branches.
Streszczenie. Prezentowany artykuł omawia zastosowanie strumieniowej plazmy kompresyjnej do głębokiego domieszkowania krzemu metalem
oraz powstawanie jedno- i wielofazowych krzemków metali oraz submikroskopowych struktur krzemkowych. Działanie strumieniowej plazmy
kompresyjnej na układy Fe/Si oraz Ni/Si powoduje tworzenie się dendrytów krzemowych i krzemków metali odpowiednio - -FeSi2 i NiSi.
(Powstawanie krzemków na krzemie pod wpływem działania gęstej plazmy kompresyjnej).
Keywords: silicides, compression plasma, dendrites, solidification.
Słowa kluczowe: krzemki, plazma kompresyjna, dendryty, krzepnięcie.
Introduction
The formation of new electronical silicon-based
materials with high-energy flows of charged particles is an
urgent problem of the modern solid-state physics and
electronics engineering. Of processing methods the widest
recognition received those using lasers, plasma flows, and
ion beams [1-3]. Wide variety of effects caused by the
action of high-energy flows produce novel structure-phase
states in solids, as well as stable and/or metastable.
The action of high-energy flows on metal-on-silicon
systems makes it possible to carry out silicon doping via the
melting of the metal coating and the near-surface silicon
layer followed by metal-silicon intermixing in the melt.
In the present paper the results of investigations on
structural and phase changes in the pre-surface layes of
nickel-on-silicon and iron-on-silicon systems subjected to
the action of[...]
więcej»
w zeszycie
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010/7
|
|
|
|
Strona 1
Następna strona »
|
Twój Profil
Twój koszyk
