profil Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk
  Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

zegar

To proste!

zobacz szczegóły
r e k l a m a
FAIL (the browser should render some flash content, not this).

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

baza zobacz szczegóły

Wyniki wyszukiwania

Wyniki 1-9 spośród 9 dla zapytania: authorDesc:"ZBIGNIEW PRUSZOWSKI"

» Thermoelectric force in Ni-P resistive layers

ZBIGNIEW PRUSZOWSKI  PIOTR KOWALIK  
Thermo-electric force is a phenomenon known for a long time. The first attempt of industrial use of the thermo-electric effect took place in the 60’ s of the previous century. The main application of thermoelectric effect are: ● thermoelectric generators, ● thermoelectric cooling modules. Apart from using the thermoelectric force in the mentioned devices, it can be also th[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008/1


 

» Impulsowa stabilizacja warstw rezystywnych Ni-P

PIOTR KOWALIK  ZBIGNIEW PRUSZOWSKI  
Technologia bezprądowej metalizacji jest aktualnie stosowana do wytwarzania warstw rezystywnych [1] przy czym w ostatnich latach opracowano technologię pozwalająca na otrzymanie rezystorów warstwowych precyzyjnych [2] charakteryzujących się temperaturowym współczynnikiem rezystancji poniżej 25 ppm/K. Istotą opracowanej technologii jest minimalizacja tempa procesu chemicznej metalizacji, co [...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008/11


 

» Model matematyczny wiążący parametry elektrofizyczne warstw rezystywnych Ni-P z parametrami procesu bezprądowej metalizacji

PIOTR KOWALIK  ZBIGNIEW PRUSZOWSKI  
Proces chemicznej redukcji prowadzący do wytwarzania wysokojakościowych warstw rezystywnych Ni-P prowadzony jest w silnie kwaśnej kąpieli technologicznej (pH = 1,5…2,0) na uczulonej i aktywowanej powierzchni ceramicznej, przy czym podstawowymi substratami kąpieli technologicznej są chlorek niklawy oraz podfosforyn sodowy, będący reduktorem w tym procesie [1]. Proces ten prowadzi się zw[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008/11


 

» Wytwarzanie warstw rezystywnych typu Ni-Cu-P

PIOTR KOWALIK  ZBIGNIEW PRUSZOWSKI  
Technologia wytwarzania warstw amorficznych typu metaliczne szkło metodą chemicznej redukcji jest znana od lat czterdziestych ubiegłego stulecia [1], przy czym warstwy te osadzane są na poddanym procesom uczulania i aktywacji, podłożach niemetalicznych w szczególności na ceramice glinokrzemianowej. W latach 1960-1970 procers ten znalazł zastosowanie w firmie Welvyn do wytwarzania rezystorów warstwowych stałych na podstawie patentu Edge’a [2], w procesie tym wykorzystywano początkowo stopy Ni-P zaś w latach osiemdziesiątych i dziewięćdziesiątych ubiegłego stulecia także stopy Ni-Co-P[3] oraz Ni-W-P[4]. Dodatek miedzi do stopu niklowo-fosforowego jest znany [5], lecz technologia wytwarzania stopu Ni-Cu-P mogącego znaleźć zastosowanie w elektronice jest obwarowana licznymi [...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009/10


 

» Wytwarzanie stabilnych warstw rezystywnych metodą bezprądowej metalizacji

Zbigniew PRUSZOWSKI  Piotr KOWALIK  
W niniejszym artykule opisano zmodyfikowany sposób wytwarzania warstw rezystywnych Ni-P metodą chemicznej redukcji zachodzący w kąpieli wodnej prowadzący do otrzymania warstw rezystywnych o rezystancji powierzchniowej 0,510,0 charakteryzujących się minimalnym temperaturowym współczynnikiem rezystancji oraz minimalnymi zmianami rezystancji w próbie na stabilność. W artykule opisano szczegółowo zmiany rezystancji w funkcji temperatury oraz zmiany rezystancji w funkcji czasu dla prób określających stabilność długoczasową warstw rezystywnych. Abstract. In this paper is presented modified technology of preparation of Ni-P resistive layers. These layers are characterised by square resistance 0,5 - 10, minimised TCR and best stability. In this paper are described change of resistance with changes of temperature. (Technology of preparation of Ni-P resistive layers) Słowa kluczowe: TWR, metalizacja chemiczna, warstwy rezystywne, trwałość elektryczna Keywords: TCR, chemical metallisation, resistive layers, electrical durability Wprowadzenie i cel pracy Stopy amorficzne zawierające jako metal nikiel kobalt miedź lub metale przejściowe takie jak wolfram czy molibden oraz dodatki półprzewodnikowe takie jak fosfor czy bor są tworzywami szeroko stosowanymi w elektronice[1,2] do wytwarzania rezystorów warstwowych stałych[3] warstw magnetycznych[4] a także jako kompozyty stosowane w przemyśle maszynowym w lotnictwie czy nawet astronautyce[5]. Najszersze zastosowanie tych warstw sprowadza się do wytwarzania wysokojakościowych warstw rezystywnych służących jak półprodukt do wytwarzania rezystorów warstwowych precyzyjnych[6,7]. Wytworzone na tej drodze rezystory charakteryzują się:  temperaturowym współczynnikiem rezystancji (mierzonym zarówno w przedziale 218÷293K jak i przedziale 293÷398K) niskim TWR nie przekraczającym 25ppm/K  stabilnością długoczasową (mierzoną po 1000 godzinach przebywania w temperatur[...] więcej»
w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010/6


 

» Wpływ intensyfikacji procesu metalizacji bezprądowej na podstawowe parametry elektryczne rezystywnego stopu Ni-P

PIOTR KOWALIK  ZBIGNIEW PRUSZOWSKI  
Wytwarzanie rezystorów warstwowych stałych w procesie bezprądowej metalizacji prowadzonej na uczulonym i aktywowanym podłożu niemetalicznym jest znane od lat siedemdziesiątych ubiegłego stulecia [1]. W pierwszym patencie opisującym ten proces [1] omówiono sposób wytwarzania dwuskładnikowych warstw rezystywnych typu Ni-P charakteryzujących się rezystancją rzędu 1…1000 Ω przy temperaturowym współczynniku rezystancji mieszczącym się w granicach 50…150 ppm/K. W szeregu opisanych dalszych rozwiązań patentowych [2-5] opisano technologie pozwalające na zmniejszenie TWR stopu rezystywnego Ni-P do poziomu 25…50 ppm/K co było istotną poprawą parametrów produktu finalnego. Obniżenie TWR stopu jest możliwe w wyniku zwiększenia amorfizacji stopu rezystywnego co jest bezpośrednio związane z koncentracją fosforu w stopie [6]. Wzrost koncentracji fosforu z poziomu 7% wagowych do 12% powoduje zmianę struktury z "nanokrystaliczej" na amorficzną co daje możliwość obniżenia temperaturowego współczynnika rezystancji do wartości rzędu 5 ppm/K. Istotnym i nie do końca rozwiązanym problemem jest wytwarzania warstw rezystywnych o rezystancji poniżej 0,5 Ω charakteryzujących się minimalnym TWR mierzonym w zakresie temperatur 293…398K. Obniżenie wartości rezystancji końcowej jest związane ze stałym wzrostem TWR stopu rezystywnego. Wzrost TWR jest spowodowany kilkoma czynnikami wśród których niebagatelną rolę odgrywają rozpraszania na krawędziach warstwy rezystywnej minimalizowane w miarę obniżenia rezystancji czyli wzrostu grubości warstwy[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/9


 

» One-stage substrate activation using in resistive layer formation

PIOTR KOWALIK  ZBIGNIEW PRUSZOWSKI  DOROTA RYMASZEWSKA  
The process of chemical metal plating aimed at forming Ni- P-type layers on a non-metallic surface was first described by Brenner (1) and further developed in a series of papers by Saubestre (2, 3, 4, 5). The process involves sensitization and activation of a degreased and etched ceramic substrate, the two operations usually not being performed jointly but rather in sequence additionally separated by an intermediate washing (2). The process of sensitization of an evolved (as an outcome of etching) ceramic surface causes stannous ions to be absorbed, which in turn, in another process called activation, are exchanged with ions of precious metals (palladium, gold or platinum(3)). During the ion exchange, stannous ions undergo oxidation, whereas ions of precious metals are reduced to a metallic form creating a catalytic layer of a ‘patch-like’ structure on a surface. This layer initiates the process of nickelous ions reduction. Whereas the important element of the initiated reaction is the simultaneous release of hydrogen, in particular on atoms of the activator (6). This technology was first used in the production of fixed film resistors by an engineer of the Welvyn Edge company (7) to be then developed in 1980 s into the chemical metal plating process, as described by Swierczek (8), and used in production by Krakowskie Zakłady Elektroniczne Unitra-Telpod (Unitra-Telpod Electronic Plant in Kraków). In order to decrease the level of resistance dispersion of the end product of the latter method, a complex process of threestage activation was applied by separating the stages of sensitization and activation by means of an additiona[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/9


 

» Wpływ podstawowych parametrów procesu technologicznego wytwarzania stopu rezystywnego Ni-P na rezystancję i TWR warstwy rezystywnej osadzonej na podłożu glinokrzemianowym

Zbigniew PRUSZOWSKI  Piotr KOWALIK  Wojciech FILIPOWSKI  
W niniejszej pracy powiązano wpływ podstawowych parametrów bezprądowej metalizacji takich jak odczyn kąpieli, czas trwania procesu oraz stężenie podstawowych reagentów z rezystancją i temperaturowym współczynnikiem rezystancji stopu Ni-P osadzonego na korpusie ceramicznym będącym podłożem na którym wytwarza się rezystory warstwowe precyzyjne. Abstract. In this paper the parameters of technological process of manufacture the Ni-P resistive layers and based electrical parameters such resistance and TCR are correlated. The resistive layers based on Ni-P films are used to produce precise resistors. (Effect of basic parameters of the alloying process of formation Ni-P resistive layer on the resistance and TCR deposited on the substrate aluminosilicate) Słowa kluczowe: warstwa rezystywna Ni-P, TWR, model matematyczny Keywords: Ni-P resistive layer, TCR, mathematical model 1. Wprowadzenie i cel pracy Technologia bezprądowej metalizacji została wykorzystana w elektronice po raz pierwszy przez konstruktora firmy Welvyn J. Edge’a do wytwarzania rezystorów warstwowych stałych w 1971 roku [1]. Proces technologiczny oparty o koncepcję Brennera [2] polegał na wytwarzaniu warstwy rezystywnej niklowo-fosforowej na aktywowanym solami palladu podłożu ceramicznym, stabilizacji termicznej tak wytworzonej warstwy rezystywnej w zakresie temperatur 453÷513K, końcówkowaniu wałka z naniesioną warstwą rezystywną oraz hermetyzacji tak wytworzonego rezystora. Pierwsze wykonane tą technologią rezystory charakteryzowały się temperaturowym współczynnikiem rezystancji rzędu 50÷150ppm/K. W latach osiemdziesiątych oraz dziewięćdziesiątych ubiegłego stulecia technologia ta była stale udoskonalana a w wyniku modyfikacji parametrów technologicznych procesu [3], takich jak temperatura prowadzenia procesu, odczyn kąpieli technologicznej czy stężenia podstawowych substratów TWR stopu, zminimalizowano do wartości rzędu 25ppm/K [4]. Istotnym zagadnieniem które wym[...] więcej»
w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011/7


 

» Otrzymywanie i charakterystyka komponentów ogniwa tlenkowego Ni-YSZ/YSZ/Sr0.8Ce0.1La0.1 MnO3-δ-YSZ

DOROTA SZWAGIERCZAK  JAN KULAWIK  BARBARA GRÖGER  ZBIGNIEW PRUSZOWSKI  
W ostatnich dwóch dekadach nastąpił gwałtowny rozwój ogniw paliwowych umożliwiających bezpośrednie generowanie energii elektrycznej i ciepła z energii chemicznej pochodzącej z reakcji wodoru z tlenem, która zachodzi w ogniwie elektrochemicznym. Wysoka sprawność, duża gęstość energetyczna, duża niezawodność, długi czas życia, brak zanieczyszczenia środowiska, cicha praca i możliwość stosowania szerokiego wachlarza paliw stanowią ważne zalety tych urządzeń. Ogniwo paliwowe złożone jest z katody i anody przedzielonych elektrolitem. Na anodzie, do której dostarczane jest w sposób ciągły paliwo w postaci czystego wodoru lub związków bogatych w wodór, następuje utlenianie wodoru: H2 ⇒ 2H+ + 2e- . Na katodzie, do której dostarczany jest tlen lub powietrze, zachodzi redukcja tlenu do jonów O2-: O2 + 4e- ⇒ 2O2-. W ogniwie następuje transport jonów poprzez elektrolit od jednej elektrody do drugiej, a w obwodzie zewnętrznym zachodzi transport elektronów od anody do katody. Jeżeli zastosowany elektrolit jest przewodnikiem protonowym, na katodzie następuje reakcja jonów H+ z jonami O2- i powstaje woda: O2- + 2H+ ⇒ H2O. W przypadku gdy elektrolit stały przewodzi jony tlenu, reakcja ta ma miejsce na anodzie. Działanie ogniwa paliwowego jest limitowane jedynie dostarczeniem paliwa i wolno postępującą degradacją komponentów ogniwa. Ogniwa paliwowe znajdują coraz szersze zastosowanie jako generatory energii elektrycznej i ciepła - przenośne i stacjonarne, małej i dużej mocy. Wykorzystywane są m.in. w: przenośnych urządzeniach elektronicznych, elektrowniach stacjonarnych, systemach awaryjnego zasilania, pojazdach. Potrzebny jako paliwo wodór może być wytwarzany na drodze elektrolizy przy wykorzystaniu odnawialnych źródeł energii, takich jak wiatr czy energia słoneczna. Do produkcji wodoru znajdują również zastosowanie naturalne procesy biologiczne (np. fermentacja odpadów). Wodór z paliwa węglowodorowego można otrzymać wew[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/10


 

 Strona 1 
r e k l a m a
FAIL (the browser should render some flash content, not this).