Największa baza artykułów technicznych online - aktualnie 66233 publikacje.
Zaawansowane »          English [ENGLISH]
  • Aktualności
  • Prenumerata papierowa
  • Baza publikacji
  • Dostęp czasowy
  • KatalogFirm
  • O Wydawnictwie
profil Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk
  Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

zegar

To proste!

zobacz szczegóły
r e k l a m a
FAIL (the browser should render some flash content, not this).

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

baza zobacz szczegóły

Wyniki wyszukiwania

Wyniki 1-8 spośród 8 dla zapytania: authorDesc:"EDYTA WRÓBEL"

» Wpływ warunków nanoszenia szkliw krzemowych na jakość uzyskanej powierzchni
EDYTA WRÓBEL  RZYSZTOF WACZYŃSKI  
Wytworzone na bazie tetraetoksysilanu i rozpuszczalników roztwóry nanosi się na umyte i wysuszone płytki w bezpyłowym pomieszczeniu, aby wyeliminować w jak największy sposób wpływ zanieczyszczeń na parametry szkliwa domieszkowego, a w późniejszym etapie na parametry warstwy dyfuzyjnej. Nanoszenie roztworu odbywa się w temperaturze pokojowej (293K) i przy odpowiednio niskiej wilgotności względnej otoczenia (ok. 40 %), ponieważ roztwory krzemowe wykazują silne właściwości higroskopijne, a jest to zjawiskiem niekorzystnym. Nanoszenie roztworu na powierzchnię płytki może odbywać się przez wirowanie, natrysk, rozprowadzanie pędzlem lub zanurzenie płytek w roztworze.Wcześniejsze badania [1] wykazały, że najlepszym sposobem jest wirowanie. Pomimo pozornej prostoty, proces rozwirowywa[...] więcej»
 w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009/10


 

» Badania nad źródłami domieszek o dużej zawartości fosforu, stosowanymi w technologii wytwarzania krzemowych ogniw słonecznych
EDYTA WRÓBEL  KRZYSZTOF WACZYŃSKI  WOJCIECH FILIPOWSKI  
Celem badań było wykonanie i przebadanie fosforowych roztworów o wysokim stężeniu domieszki do niskotemperaturowych procesów dyfuzji, pod kątem zastosowania ich do wytwarzania struktur fotowoltaicznych. Wytworzenie emiterowej warstwy n+ jest jednym z etapów wytwarzania fotowoltaicznych struktur krzemowych. W tym celu wykorzystano roztwory domieszkowo-krzemowe na bazie fosforu, które nanoszon[...] więcej»
 w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008/1


 

» Kształtowanie warstw dyfuzyjnych przy wykorzystaniu domieszek wolnodyfundujących
EDYTA WRÓBEL  WOJCIECH FILIPOWSKI  KRZYSZTOF WACZYŃSKI  
Jednym z podstawowych źródeł wiedzy o właściwościach danej struktury półprzewodnikowej jest profil elektryczny, który opisuje rozkład przestrzenny atomów domieszki. Dobierając odpowiednio parametry procesu domieszkowania można kształtować profil koncentracji, a więc wpływać na właściwości elektryczne struktury półprzewodnikowej. Właściwy dobór rodzaju domieszki, jej źródło oraz precyzyjny do[...] więcej»
 w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008/11


 

» Domieszkowanie dyfuzyjne krzemu ze szkliw o podwyższnej zawartości koncentracji domieszki
EDYTA WRÓBEL  KRZYSZTOF WACZYŃSKI  WOJCIECH FILIPOWSKI  
Metoda domieszkowania monokrystalicznych podłoży Si ze szkliwa domieszkowego osadzonego z rozwirowywanych roztworów domieszkowych w aspekcie zastosowań do wytwarzania silnie domieszkowanej warstwy n+ wymaganej w konstrukcji ogniwa fotowoltaicznego stała się przedmiotem szerokiego zainteresowania w literaturze z uwagi na niskie koszty otrzymywania szkliw, bezpieczeństwo prowadzenia procesu wytwarzania (stosunkowo niewysokie temperatury - ok. 400K) i minimalną toksyczność otrzymanych produktów (użycie związków chemicznych w niewielkiech ilościach) [1-7]. Metoda ta polega na tym, że specjalnie preparowany roztwór domieszkowy, w skład którego wchodzą: związek krzemu (najczęściej tetraetoksysilan - TEOS), rozpuszczalnik organiczny np. alkohol etylowy oraz związek domieszki np. kwas fosforowy, jest rozwirowany na płytce krzemowej, a następnie poddawany obróbce termicznej w celu uformowania stabilnej warstwy tlenkowo-domieszkowej, z której następuje właściwy proces dyfuzji. Zaletą tej technologii jest prostota procesu wytwarzania szkliw, natomiast wadą - duża wrażliwość tej metody na warunki, w jakich szkliwa są wytwarzane [8]. Wcześniejsze badania opisane w literaturze wykazały, że dla roztworu domieszkowego najważniejszym parametrem jest lepkość, która decyduje o zdolności danego typu roztworu do tworzenia w procesie rozwirowywania ciągłej i jednorodnej warstwy szkliwa [9, 10]. Z kolei sam proces nakładania roztworów domieszkowych silnie zależy od parametrów procesu rozwirowywania, takich jak temperatura, wilgotność względna, szybkość wirowania, ilość nakładanej emulsji domie[...] więcej»
 w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/9


 

» Badania nad możliwościami jednorodnego domieszkowania warstwy emiterowej struktury fotowoltaicznej w niskiej temperaturze procesu dyfuzji
WOJCIECH FILIPOWSKI  KRZYSZTOF WACZYŃSKI  EDYTA WRÓBEL  KAZIMIERZ DRABCZYK  
W przeprowadzonych badaniach skupiono się na domieszkowaniu dyfuzyjnym podłoży krzemowych typu "p" z wykorzystaniem jako źródła donorów fosforu. Fosfor jako domieszka dyfundująca pozwala na szybkie obniżenie kosztów produkcji masowej ogniw słonecznych, co w pełni uzasadnia kontynuację wybranego kierunku badań. Jako pierwsze źródło domieszki wykorzystano rozwirowywane szkliwa domieszkowe, w których źródłem domieszki był kwas ortofosforowy. Ich skład jest przedmiotem wieloletnich badań prowadzonych w Instytucie Elektroniki Politechniki Śląskiej [1-3]. Drugim źródłem domieszki była pasta fosforowa P101 firmy Soltech. Technologia wytwarzania roztworów domieszkowo-krzemowych Przygotowanie roztworu domieszkowego składało się z dwóch etapów. W pierwszym przygotowano roztwór bazowy, w drugim właściwy roztwór domieszkowy. Taki podział jest niezwykle istotny, gdyż na podstawie tego samego roztworu bazowego można przygotować różne roztwory domieszkowe. Badany roztwór domieszkowy został przygotowany w oparciu o kwas ortofosforowy. Kolejne etapy wytwarzania roztworu domieszkowego przedstawiono w tabeli 1. Następnie szkliwo było nanoszone na płytki krzemowe metodą spin-off. Na każdą płytkę nanie[...] więcej»
 w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/5


 

» Model dyfuzji fosforu w krzemie wykorzystywany do wyznaczania profilu koncentracji domieszki w warstwie emiterowej ogniwa słonecznego
WOJCIECH FILIPOWSKI  KRZYSZTOF WACZYŃSKI  EDYTA WRÓBEL  KAZIMIERZ DRABCZYK  
Celem prowadzonych przez autorów badań było opracowanie modelu opisującego proces dyfuzji i pozwalającego na wyznaczenie profilu koncentracji fosforu (domieszki szybkodyfundującej) w technologii wytwarzania warstwy emiterowej jednozłączowego krystalicznego krzemowego ogniwa fotowoltaicznego. Złącze w takiej strukturze jest złączem położonym na głębokości kilku dziesiątych mikrometra. Wytworzenie tak płytko położonego złącza z wykorzystaniem fosforu jako domieszki donorowej wymaga stosowania niskich temperatur procesu i krótkich czasów dyfuzji (rzędu 5-10 minut). Takie warunki wytwarzania warstwy emiterowej są wymagane w technologii wytwarzania tanich ogniw słonecznych wykorzystującej nanoszenie źródła domieszki w postaci pasty na płytkę krzemową metodą sitodruku. Ze względu na bardzo duże rozbieżności pomiędzy profilami wyznaczonymi na podstawie opisywanych w literaturze modeli [1-15], a pomiarami rzeczywistych struktur konieczne stało się opracowanie modelu pozwalającego na wyznaczenie rozkładu koncentracji domieszki zbliżonego do wyników uzyskanych z pomiarów. Parametry procesu dyfuzji Dyfuzje prowadzono z użyciem, jako źródła domieszki, pasty fosforowej o symbolu P101 wyprodukowanej przez znanego producenta, firmę Soltech. Pasta ta zapewnia: - dobrą stabilność parametrów i długoterminową trwałość, - dużą zawartość domieszki, - dobre właściwości związane ze sposobem nakładania (sitodruk). Naniesiona na pytki krzemowe warstwa pasty stanowiła wydajne źródło fosforu dla całego procesu domieszkowania dyfuzyjnego. Sposób nanoszenia pozwala na obniżenie kosztów co ma szczególne znaczenie dla produkcji wielkoskalowej [16]. W tabeli 1 przedstawiono parametry procesów domieszkowania dyfuzyjnego prowadzonych w strefie grzejnej pieca oporowego z jednostronnie otwartą rurą (w atmosferze ochronnej azotu). Dla każdej z próbek, na podstawie profilu rozkładu domieszki w emiterze ogniwa fotowoltaicznego, wyznaczono głębokość położenia[...] więcej»
 w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/5


 

» Efektywne wartości współczynnika dyfuzji dla modelu domieszkowania dyfuzyjnego warstwy emiterowej ogniwa słonecznego
WOJCIECH FILIPOWSKI  KRZYSZTOF WACZYŃSKI  EDYTA WRÓBEL  AGATA SKWAREK  KAZIMIERZ DRABCZYK  
Głównym celem przeprowadzonych badań było wyznaczenie efektywnych wartości współczynnika dyfuzji dla modelu procesu dyfuzji zakładającego niezależność współczynnika dyfuzji od koncentracji dyfundującej domieszki. Ze względu na bardzo duże rozbieżności pomiędzy profilami wyznaczanymi na podstawie opisywanych w literaturze modeli [1-8], a pomiarami rzeczywistych profili koncentracji metodą SIMS konieczne stało się wyznaczenie współczynników modelu pozwalających na wyznaczenie rozkładu koncentracji domieszki zbliżonego do wyników uzyskanych z pomiarów. Matematyczny opis procesu dyfuzji - prawa Ficka Ilość domieszki dyfundującej w jednostce czasu przez jednostkę powierzchni przekroju jest proporcjonalna do gradientu koncentracji, przy czym przesuwanie się domieszki zachodzi w kierunku mniejszych koncentracji. W przypadku dyfuzji izotropowej, co zachodzi dla półprzewodników monokrystalicznych, można napisać tzw. pierwsze prawo Ficka: (1) gdzie: J - strumień dyfundujących atomów domieszki, N - koncentracja atomów domieszki, D - współczynnik dyfuzji. J = -D⋅ gradN Stosując równanie ciągłości do (1) otrzymuje się tzw. drugie prawo Ficka: (2) gdzie: t - czas. W technologii ogniw słonecznych wytwarza się na ogół struktury płaskorównoległe i dlate[...] więcej»
 w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/4


 

» Badanie właściwości cienkich warstw pasywujących z SiO2 w strukturze ogniwa fotowoltaicznego
EDYTA WRÓBEL  NATALIA WACZYŃSKA  KAZIMIERZ DRABCZYK  WOJCIECH FILIPOWSKI  
Opracowano wiele technologii wytwarzania krzemowych, jednozłączowych ogniw fotowoltaicznych. Na rysunku 1 przedstawiono jeden z wariantów taniej technologii wytwarzania z wykorzystaniem techniki druku sitowego. W strukturze klasycznego krzemowego jednozłączowego ogniwa słonecznego (rys. 1) istotną rolę pełni warstwa pasywująca, wykonana najczęściej z ditlenku krzemu SiO2. Warstwy tego typu wytwarzane są standardowo przy wykorzystaniu procesu utleniania termicznego w klasycznych piecach do obróbki termicznej półprzewodników (rys. 2). Dozowniki gazów, wyposażone są w saturatory umożliwiające wykonanie procesu utleniania termicznego w tlenie "suchym" lub "mokrym". W saturatorze jest stosowana woda dejonizowana o rezystywności na poziomie18 MΩcm. Obecność na powierzchni krzemu cienkiej warstwy dielektrycznej poprawia parametry ogniwa. W tabeli 1 przedstawiono wyniki ilustrujące wpływ obecności warstwy pasywującej powierzchnię krzemu na parametry struktury fotowoltaicznej. Tab. 1. Porównanie parametrów jednozłączowego krzemowego ogniwa słonecznego z war[...] więcej»
 w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/4


 

 Strona 1 
r e k l a m a
FAIL (the browser should render some flash content, not this).

Nasze czasopisma

kofeina biogaz pasteryzacja przemysł chemiczny tworzywa sztuczne chromatografia kontakt tłuszcz znakowanie bezpieczeństwo żywności Kociołek-Balawejder antocyjany przeciwutleniacze herbata soki owocowe gmo tłuszcze błonnik ciecze jonowe mleko suplementy diety osady ściekowe przegląd elektrotechniczny bhp barwniki mikrokapsułkowanie wino ocena ryzyka aluminium hydrokoloidy Aura Opakowanie opakowania karotenoidy 7 korozja Gospodarka wodna pompy ciepła cement pompa ciepła owies informacje dla autorów konserwanty ekstrakcja led mąka kolektory słoneczne six sigma problemy jakości czekolada żywność funkcjonalna nanotechnologia soja BRC kosmetyki skrobia jęczmień audit polifenole szkło pszenica jakość żywności jogurt jakość ocena ryzyka zawodowego haccp polimery kanalizacja inżynieria materiałowa praca materiały budowlane Gluten przegląd mleczarski kawa hutnik przemysł spożywczy orkisz tytan skrobia modyfikowana rfid 6 liofilizacja żywność enzymy mięso kompozyty biopaliwa chłodnictwo opakowania inteligentne probiotyki przegląd papierniczy miód magnez opakowania aktywne olej olej rzepakowy metale ciężkie napoje energetyzujące nanomateriały piwo biomasa makaron chleb elektronika dodatki do żywności logistyka gryka pestycydy ryzyko zawodowe fermentacja pieczywo żyto miedź prebiotyki aronia inulina servqual wentylacja recykling iso atest odpady drób napoje funkcjonalne transport biofilm mrożonki FMEA kwasy tłuszczowe jakość usług analiza sensoryczna iso 9001 ekstruzja biodiesel kukurydza cukier suszenie innowacje woda pszenżyto owoce IFS żywność wygodna witamina c kaizen piroliza wołowina masło utrwalanie żywności lody sól drożdże audyt prenumerator ścieki surfaktanty błonnik pokarmowy koszty jakości soki ryż żywność ekologiczna oczyszczanie ścieków tqm witaminy ochrona przed korozją OŁÓW zarządzanie jakością opakowania szklane zioła dioksyny zeolity napoje kakao sieci neuronowe transglutaminaza wzbogacanie żywności aromaty substancje dodatkowe przyprawy reologia celuloza ryby tekstura akryloamid sok mleczarstwo bioetanol iso 22000 Manufacturing Process Automation białka serwatkowe czosnek gospodarka mięsna owoce jagodowe produkcja piwa mikotoksyny akrylamid polichlorowane bifenyle antyoksydanty PET kasza

Budownictwo i Geodezja

Elektronika, Energetyka, Elektrotechnika

Hutnictwo, Górnictwo

Przemysł lekki

Przemysł spożywczy i gastronomia

Inne gałęzie przemysłu

Tematyka ogólnotechniczna

Czasopisma wielobranżowe
platnosci
O Wydawnictwiestr Prenumeratastr Reklamastr Drukarniastr Kolportażstr Regulamin Usługstr Englishstr
© 2006-2012 Wydawnictwo SIGMA-NOT Sp. z o.o. Wszelkie prawa zastrzeżone
projekt, wykonanie, obsługa: Pragma Software
b