Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk

Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

To proste!

zobacz szczegóły

r e k l a m a

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

zobacz szczegóły

Wyniki wyszukiwania

Wyniki 1-2 spośród 2 dla zapytania: authorDesc:"MICHAŁ A. BORYSIEWICZ"

» Trójwymiarowa wizualizacja naprężeń w podłożach hybrydowych i strukturach cienkowarstwowych

MICHAŁ A. BORYSIEWICZ

Inżynieria naprężeń jest istotną częścią procesu wytworzenia przyrządu półprzewodnikowego o strukturze cienkowarstwowej. Szczególne znaczenie ma ona w przypadkach heteroepitaksji cienkich warstw na podłoża krystaliczne. Dobór odpowiedniego podłoża do planowanej struktury przyrządu ma kluczowe znaczenie, a kryteriami branymi pod uwagę podczas wyboru są m.in.: dopasowanie stałych sieci zarówno w temperaturze pokojowej, jak i temperaturze wzrostu cienkich warstw, a tym samym zgodność współczynników rozszerzalności cieplnej, a także cena jednostkowa gotowego przyrządu, związana poprzez koszty procesu wytwarzania z dostępnością podłóż dużej średnicy. Ponadto, dla zastosowań w przyrządach wysokiej częstotliwości i dużej mocy, konieczne jest, aby podłoża posiadały wysoką rezystywność[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Trawienie plazmowe cienkich warstw Ti3SiC2

MAREK EKIELSKI

RENATA KRUSZKA

KATARZYNA KORWIN-MIKKE

MICHAŁ A. BORYSIEWICZ

MAREK WZOREK

Ti3SiC2 jest jednym z przedstawicieli faz materiałowych o ogólnym wzorze stechiometrycznym Mn+1AXn, gdzie: M jest metalem przejściowym, A - pierwiastkiem z grupy IIIA lub IVA, a X to węgiel, lub azot. Grupa ta jest w skrócie nazywana fazami MAX [1]. Dzięki swojej nanolaminarnej strukturze charakteryzują się unikalną kombinacją cech metali (wysokie przewodnictwo elektryczne i cieplne) oraz ceramik (wysoka stabilność termiczna i odporność na utlenianie). Połączenie tych właściwości czyni te materiały interesującymi kandydatami dla zastosowań metalizacyjnych do przyrządów półprzewodnikowych, przeznaczonych do pracy w środowiskach aktywnych chemicznie, utleniających i w wysokich temperaturach. Jednym z etapów wytwarzania metalizacji jest ich strukturyzacja. Ze względu na fakt, że [...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a