RENATA KRUSZKA- zobacz i pobierz wszystkie publikacje autora RENATA KRUSZKA w naszych czasopismach

Wyniki 1-3 spośród 3 dla zapytania: authorDesc:"RENATA KRUSZKA"

» Trawienie plazmowe cienkich warstw Ti3SiC2

MAREK EKIELSKI

RENATA KRUSZKA

KATARZYNA KORWIN-MIKKE

MICHAŁ A. BORYSIEWICZ

MAREK WZOREK

Ti3SiC2 jest jednym z przedstawicieli faz materiałowych o ogólnym wzorze stechiometrycznym Mn+1AXn, gdzie: M jest metalem przejściowym, A - pierwiastkiem z grupy IIIA lub IVA, a X to węgiel, lub azot. Grupa ta jest w skrócie nazywana fazami MAX [1]. Dzięki swojej nanolaminarnej strukturze charakteryzują się unikalną kombinacją cech metali (wysokie przewodnictwo elektryczne i cieplne) oraz ceramik (wysoka stabilność termiczna i odporność na utlenianie). Połączenie tych właściwości czyni te materiały interesującymi kandydatami dla zastosowań metalizacyjnych do przyrządów półprzewodnikowych, przeznaczonych do pracy w środowiskach aktywnych chemicznie, utleniających i w wysokich temperaturach. Jednym z etapów wytwarzania metalizacji jest ich strukturyzacja. Ze względu na fakt, że [...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Trawienia półprzewodników szerokoprzerwowych GaN i SiC

RENATA KRUSZKA

KATARZYNA KORWIN-MIKKE

Znakomite właściwości optyczne, mechaniczne, dobre przewodnictwo cieplne, duże napięcie przebicia elektrycznego oraz odporność na promieniowanie jonizujące materiałów półprzewodnikowych zwanych szerokoprzerwowymi, do których zalicza się GaN i SiC sprawiają, że są one bardzo atrakcyjne do zastosowania w przyrządach elektronicznych wysokiej mocy i wysokiej częstotliwości oraz urządzeniach pracujących w wysokiej temperaturze. Naszym celem jest opracowanie procesów trawienia GaN i SiC na potrzeby zaawansowanych przyrządów wytwarzanych na bazie tych materiałów. Nowoczesne konstrukcje wymagają z jednej strony trawień głębokich (kształtowanie kryształów fotonicznych o submikrometrowych średnicach otworów trawionych na głębokość kilku mikrometrów w strukturach optoelektronicznych, formowanie mes w strukturach tranzystorów HEMT, głębokie trawienia podłoża mające na celu separację struktur), a z drugiej - bardzo płytkich, jak na przykład kilkunanometrowe trawienia prowadzone po procesie wygrzewania poimplantacyjnego mające na celu planaryzację powierzchni SiC. Jednak ze względu na odporność chemiczną GaN i SiC, wytwarzanie wzorów metodami klasycznymi jest bardzo trudne bądź wręcz niemożliwe, zatem jedynie plazmowe metody trawienia mogą być stosowane. Trawienia GaN i SiC wymagają użycia agresywnych plazm chlorowych oraz plazmy o większej gęstości ICP (ang. Inductive Coupling Plasma). Jak donosi wiele publikacji naukowych, do trawienia azotku galu najbardziej odpowiednie są plazmy chlorowe bazujące na BCl3 i Cl2 [1-3] z dodatkiem innych gazów Ar [4], H2 [5], CH4 [6], SF6, N2 [7], w których poprzez szybsze usuwanie produktów reakcji z wytrawionej powierzchni zwiększa się szybkość trawienia. Publikacje dotyczące trawienia węglika krzemu mówią głównie o wykorzystaniu różnych plazm na bazie freonu z dodatkami innych gazów: CF4/O2 [8], SF6/O2 [9], C2F6 [10], CHF3/O2 [11], NF3/O2 [12]. Natomiast trawienie SiC w chlorowych plazmach ICP, takic[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/9

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Procesy trawienia suchego ICP w plazmie BCl3 cienkich warstw HfO2 wytworzonych techniką reaktywnego rozpylania katodowego

RENATA KRUSZKA

KRYSTYNA GOŁASZEWSKA

ANDRZEJ TAUBE

IWONA PASTERNAK

mgr inż. KATARZYNA KORWIN-MIKKE

MAREK WZOREK

ELIANA KAMIŃSKA

ANNA PIOTROWSKA

W ostatnim czasie wzrosło zainteresowanie dielektrykami o wysokiej przenikalności dielektrycznej, nie tylko w kontekście technologii krzemowej tranzystorów CMOS, ale także w technologii związków szerokoprzerwowych, w tym SiC i GaN [1]. Szczególnie atrakcyjnym materiałem jest tu tlenek hafnu (HfO2). Charakteryzuje się on wysoką wartością przenikalności dielektrycznej (12...25 w zależności od metody osadzania), polem przebicia EBR > 4 MV/cm oraz relatywnie wysoką przerwą energetyczną (5-6 eV) [2]. W zależności od zastosowania, warstwy dielektryczne w przyrządach półprzewodnikowych mają różną grubość. Jako dielektryki podbramkowe w technologii MOSFET stosuje się warstwy cienkie, kilkunanometrowe, natomiast do pasywacji struktur (np. diod Schottky’ego czy diod PIN) wymagane są warstwy znacznie grubsze do ok. 1 μm [2, 3]. W obydwu tych przypadkach niezbędnym etapem technologicznym jest odsłonięcie obszaru metalizacji kontaktów, realizowane głównie technikami trawienia plazmowego. Szczególnie ważne jest zastosowanie suchego trawienia grubych warstw pasywacyjnych, które trudno usunąć przy pomocy klasycznego trawienia w roztworach, a które stosuje się w diodach Schottky’ego w procesie wytwarzania złącza metodą field-plate [4]. Trawienie suche tlenku hafnu nie zostało jeszcze szeroko zbadane, a doniesienia literaturowe dotyczą głównie trawień plazmą indukcyjnie sprzężoną (ICP). Najskuteczniejsze do trawienia HfO2 są plazmy chlorowe bazujące na BCl3 i Cl2, często z dodatkiem Ar [5-9], lub ich mieszaniny Ar/BCl3/Cl2 [10]. Skład i parametry plazmy optymalizowane są pod kątem uzyskania maksymalnej szybkości trawienia. Jednak w przyrządach półprzewodnikowych niezwykle istotna jest selektywność trawienia HfO2 w stosunku do podłoża, ponieważ podłoże nie może zostać w wyniku trawienia uszkodzone. Niewiele publikacji donosi o badaniach nad zwiększeniem 92 Elektronika 9/2011 selektywności trawienia HfO2 do Si, SiC lub SiO2.[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/9

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a