KATARZYNA KORWIN-MIKKE- zobacz i pobierz wszystkie publikacje autora KATARZYNA KORWIN-MIKKE w naszych czasopismach

Wyniki 1-6 spośród 6 dla zapytania: authorDesc:"KATARZYNA KORWIN-MIKKE"

» Trawienie plazmowe cienkich warstw Ti3SiC2

MAREK EKIELSKI

RENATA KRUSZKA

KATARZYNA KORWIN-MIKKE

MICHAŁ A. BORYSIEWICZ

MAREK WZOREK

Ti3SiC2 jest jednym z przedstawicieli faz materiałowych o ogólnym wzorze stechiometrycznym Mn+1AXn, gdzie: M jest metalem przejściowym, A - pierwiastkiem z grupy IIIA lub IVA, a X to węgiel, lub azot. Grupa ta jest w skrócie nazywana fazami MAX [1]. Dzięki swojej nanolaminarnej strukturze charakteryzują się unikalną kombinacją cech metali (wysokie przewodnictwo elektryczne i cieplne) oraz ceramik (wysoka stabilność termiczna i odporność na utlenianie). Połączenie tych właściwości czyni te materiały interesującymi kandydatami dla zastosowań metalizacyjnych do przyrządów półprzewodnikowych, przeznaczonych do pracy w środowiskach aktywnych chemicznie, utleniających i w wysokich temperaturach. Jednym z etapów wytwarzania metalizacji jest ich strukturyzacja. Ze względu na fakt, że [...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Wpływ defektów o głębokich poziomach na wysokość bariery w diodzie Schottky’ego 4H-SiC

GRZEGORZ ZAREMBA

WOJCIECH JUNG

ELIANA KAMIŃSKA

MICHAŁ BORYSIEWICZ

KATARZYNA KORWIN-MIKKE

ZBIGNIEW ADAMUS

Węglik krzemu (SiC) ma doskonałe fizyczne, chemiczne oraz elektroniczne właściwości, takie jak: szeroka przerwa energetyczna, duża prędkość unoszenia nośników, wysokie napięcie przebicia pola elektrycznego, wysoka przewodność termiczna oraz wysoka odporność na promieniowanie. Dzięki tak korzystnym właściwościom, SiC jest szeroko stosowany w przyrządach pracujących w warunkach wysokiej częstotliwości, dużej mocy oraz wysokiej temperatury. Jednak wytwarzanie przyrządów opartych na SiC napotyka czasami trudności z powodu dużego prądu upływu. W dostępnej literaturze podano wiele wyjaśnień tego zjawiska, wśród nich można znaleźć teorię o wpływie defektów o głębokich poziomach na wysokość bariery Schottky’ego [1-2] i pośrednio charakterystyki I-V. W pracach tych przypuszcza się, że poziom Fermiego jest lokalnie "przyszpilony" przez skupiska defektów, co powoduje powstanie miejscowych obszarów o obniżonej wysokości bariery. Zaobserwowano również [2], że prąd wsteczny zwiększał się, a wysokość bariery zmniejszała się z rosnącą koncentracją defektów. Wśród defektów odpowiedzialnych za to zjawisko, wskazano [1] na dobrze znaną pułapkę Z1/Z2 oraz niezidentyfikowaną pułapkę z pikem katodoluminescencji (CL) 2,2 eV powyżej pasma walencyjnego. W pracy zaprezentowano wyniki charakteryzacji defektów przy pomocy niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów (DLTS) oraz wyniki symulacji wpływu koncentracji dominującego defektu na wysokość bariery Schottky’ego. W szczególności wyznaczono koncentrację tego defektu potrzebną do "przyszpilenia" poziomu Fermiego. Eksperyment W trakcie badań wykorzystano komercyjne struktury węglika krzemu 4H SiC typu n, otrzymane techniką CVD (Chemical Vapour Deposition) w firmie CREE. Struktury wykonano na podłożu o grubości 370 μm i rezystywności 0,015…0,028 Ωcm. Na podłożu osadzono kolejno warstwy epitaksjalne o grubości 0,5 μm i koncentracji nośników 1018 cm-3 oraz grubośc[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/9

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Trawienia półprzewodników szerokoprzerwowych GaN i SiC

RENATA KRUSZKA

KATARZYNA KORWIN-MIKKE

Znakomite właściwości optyczne, mechaniczne, dobre przewodnictwo cieplne, duże napięcie przebicia elektrycznego oraz odporność na promieniowanie jonizujące materiałów półprzewodnikowych zwanych szerokoprzerwowymi, do których zalicza się GaN i SiC sprawiają, że są one bardzo atrakcyjne do zastosowania w przyrządach elektronicznych wysokiej mocy i wysokiej częstotliwości oraz urządzeniach pracujących w wysokiej temperaturze. Naszym celem jest opracowanie procesów trawienia GaN i SiC na potrzeby zaawansowanych przyrządów wytwarzanych na bazie tych materiałów. Nowoczesne konstrukcje wymagają z jednej strony trawień głębokich (kształtowanie kryształów fotonicznych o submikrometrowych średnicach otworów trawionych na głębokość kilku mikrometrów w strukturach optoelektronicznych, formowanie mes w strukturach tranzystorów HEMT, głębokie trawienia podłoża mające na celu separację struktur), a z drugiej - bardzo płytkich, jak na przykład kilkunanometrowe trawienia prowadzone po procesie wygrzewania poimplantacyjnego mające na celu planaryzację powierzchni SiC. Jednak ze względu na odporność chemiczną GaN i SiC, wytwarzanie wzorów metodami klasycznymi jest bardzo trudne bądź wręcz niemożliwe, zatem jedynie plazmowe metody trawienia mogą być stosowane. Trawienia GaN i SiC wymagają użycia agresywnych plazm chlorowych oraz plazmy o większej gęstości ICP (ang. Inductive Coupling Plasma). Jak donosi wiele publikacji naukowych, do trawienia azotku galu najbardziej odpowiednie są plazmy chlorowe bazujące na BCl3 i Cl2 [1-3] z dodatkiem innych gazów Ar [4], H2 [5], CH4 [6], SF6, N2 [7], w których poprzez szybsze usuwanie produktów reakcji z wytrawionej powierzchni zwiększa się szybkość trawienia. Publikacje dotyczące trawienia węglika krzemu mówią głównie o wykorzystaniu różnych plazm na bazie freonu z dodatkami innych gazów: CF4/O2 [8], SF6/O2 [9], C2F6 [10], CHF3/O2 [11], NF3/O2 [12]. Natomiast trawienie SiC w chlorowych plazmach ICP, takic[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/9

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Procesy trawienia suchego ICP w plazmie BCl3 cienkich warstw HfO2 wytworzonych techniką reaktywnego rozpylania katodowego

RENATA KRUSZKA

KRYSTYNA GOŁASZEWSKA

ANDRZEJ TAUBE

IWONA PASTERNAK

mgr inż. KATARZYNA KORWIN-MIKKE

MAREK WZOREK

ELIANA KAMIŃSKA

ANNA PIOTROWSKA

W ostatnim czasie wzrosło zainteresowanie dielektrykami o wysokiej przenikalności dielektrycznej, nie tylko w kontekście technologii krzemowej tranzystorów CMOS, ale także w technologii związków szerokoprzerwowych, w tym SiC i GaN [1]. Szczególnie atrakcyjnym materiałem jest tu tlenek hafnu (HfO2). Charakteryzuje się on wysoką wartością przenikalności dielektrycznej (12...25 w zależności od metody osadzania), polem przebicia EBR > 4 MV/cm oraz relatywnie wysoką przerwą energetyczną (5-6 eV) [2]. W zależności od zastosowania, warstwy dielektryczne w przyrządach półprzewodnikowych mają różną grubość. Jako dielektryki podbramkowe w technologii MOSFET stosuje się warstwy cienkie, kilkunanometrowe, natomiast do pasywacji struktur (np. diod Schottky’ego czy diod PIN) wymagane są warstwy znacznie grubsze do ok. 1 μm [2, 3]. W obydwu tych przypadkach niezbędnym etapem technologicznym jest odsłonięcie obszaru metalizacji kontaktów, realizowane głównie technikami trawienia plazmowego. Szczególnie ważne jest zastosowanie suchego trawienia grubych warstw pasywacyjnych, które trudno usunąć przy pomocy klasycznego trawienia w roztworach, a które stosuje się w diodach Schottky’ego w procesie wytwarzania złącza metodą field-plate [4]. Trawienie suche tlenku hafnu nie zostało jeszcze szeroko zbadane, a doniesienia literaturowe dotyczą głównie trawień plazmą indukcyjnie sprzężoną (ICP). Najskuteczniejsze do trawienia HfO2 są plazmy chlorowe bazujące na BCl3 i Cl2, często z dodatkiem Ar [5-9], lub ich mieszaniny Ar/BCl3/Cl2 [10]. Skład i parametry plazmy optymalizowane są pod kątem uzyskania maksymalnej szybkości trawienia. Jednak w przyrządach półprzewodnikowych niezwykle istotna jest selektywność trawienia HfO2 w stosunku do podłoża, ponieważ podłoże nie może zostać w wyniku trawienia uszkodzone. Niewiele publikacji donosi o badaniach nad zwiększeniem 92 Elektronika 9/2011 selektywności trawienia HfO2 do Si, SiC lub SiO2.[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/9

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Profilowanie składu chemicznego tlenkowych warstw pasywacyjnych metodą spektromikroskopii elektronów Augera

ALINA DOMANOWSKA

KATARZYNA KORWIN-MIKKE

SYLWIA GIERAŁTOWSKA

JANUSZ ŻYWICKI

Spektromikroskopia elektronów Augera (AES), sprzężona z trawieniem jonowym, pozwala na lokalną identyfikację zanieczyszczeń na powierzchni ciała stałego (do głębokości ok. 3 nm) oraz na wyznaczenie rozkładu koncentracji pierwiastków w funkcji odległości od powierzchni. Szczególnie ważne dla technologii struktur półprzewodnikowych jest określenie wgłębnych profili składu cienkich warstw o grubościach nanometrycznych, w tym tlenkowych warstw pasywacyjnych oraz obszarów granic fazowych. Jednakże, poważnym problemem w tym przypadku jest rozmycie profili koncentracji pierwiastków wskutek takich procesów, jak trawienie preferencyjne i mieszanie atomów, a także - w strukturach wieloskładnikowych - nakładanie się pików AES o zbliżonych energiach. Uzyskanie informacji ilościowej o składzie chemicznym wymaga więc, z jednej strony, systematycznego, starannego pomiaru serii widm pochodzących z kolejnych warstw próbki, a z drugiej - zastosowania odpowiedniej analizy linii widowych [1, 2]. W pracy zastosowano profilowanie AES oraz własną numeryczną procedurę analizy widm całkowych do określania składu chemicznego oraz grubości cienkich tlenkowych warstw pasywacyjnych: (i ) na powierzchni stali nierdzewnej zawierającej chrom, która jest stosowana w transplantologii oraz (ii ) w strukturze HfO2/SiO2/SiC, stosowanej w mikroelektronice do konstrukcji przyrządów półprzewodnikowych (diod, tranzystorów) dużej mocy i wysokich temperatur; struktura ta zawierała buforową nanowarstwę SiO2 o grubości 5 nm. Procedura numeryczna widm AES obejmuje odjęcie tła widma, dekompozycję nakładających się linii widmowych różnych pierwiastków w oparciu o algorytm ewolucyjny, z wykorzystaniem funkcji pseudo Voigta jako wzorca piku oraz identyfikację przesunięć chemicznych. W przypadku analizowanych warstw tlenkowych, kluczowym zagadnieniem było rozdzielenie nakładających się złożonych linii tlenu i chromu (w notacji spektroskopii AES oznaczanych odpowiednio [...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/9

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Wytwarzanie i charakteryzacja cienkich warstw tlenku hafnu dla zastosowań w technologii MOSFET w węgliku krzemu

ANDRZEJ TAUBE

KATARZYNA KORWIN-MIKKE

Jednym z najważniejszych procesów w technologii wytwarzania tranzystorów MOSFET jest osadzanie dielektryka bramkowego. W technologii krzemowej doskonałej jakości naturalny dielektryk bramkowy w postaci SiO2 stał się motorem rozwoju mikroelektroniki. Podobnie jak krzem, węglik krzemu również utlenia się w obecności atmosfery utleniającej tworząc SiO2. O ile układ SiO2/Si ma wręcz doskonałe parametry elektroﬁzyczne, układ SiO2/SiC cierpi na wiele różnych niedoskonałości. Związane jest to przede wszystkim z obecnością węgla w układzie SiO2/SiC powstającym podczas wysokotemperaturowego utleniania SiC. Część z atomów węgla akumuluje się w obszarze przejściowym SiO2/SiC prowadząc do powstawania centrów defektowych. Wpływa to na powstawanie stanów pułapkowych, które znacząco ograniczają ruchliwość nośników w kanale tranzystora [1]. Równolegle prowadzi się badania związane z wytwarzaniem i charakteryzacją alternatywnych materiałów dielektrycznych, które również nie przyniosły całkowicie satysfakcjonujących rezultatów [2]. Bardzo ciekawą i rokującą na przyszłość metodą wytwarzania bramki tranzystora MOSFET jest stosowanie dielektryków podwójnych SiO2/dielektryk o wysokiej przenikalności elektrycznej. Bardzo cienka warstwa SiO2 stanowi bufor pomiędzy powierzchnią SiC a dielektrykiem o wysokiej stałej dielektrycznej. Zadaniem warstwy buforowej jest zapewnienie odpowiedniej jakości interfejsu pomiędzy SiC a warstwą dielektryka oraz zmniejszenie prądu upływu bramki. Warstwy dielektryczne o wysokiej wartości przenikalności elektrycznej pozwalają na zwiększenie niezawodności tranzystorów MOSFET. Przede wszystkim wysoka stała dielektryczna powoduje zmniejszenie pola elektrycznego w obszarze dielektryka podbramkowego, co zwiększa jego niezawodność. Wśród materiałów dielektrycznych o wysokiej względnej przenikalności wysoką pozycję zajmuje tlenek hafnu HfO2 charakteryzujący się zarówno wysoką stałą dielektryczną (εr ≈ 15[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/9

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a