MAREK WZOREK- zobacz i pobierz wszystkie publikacje autora MAREK WZOREK w naszych czasopismach

Wyniki 1-5 spośród 5 dla zapytania: authorDesc:"MAREK WZOREK"

» Trawienie plazmowe cienkich warstw Ti3SiC2

MAREK EKIELSKI

RENATA KRUSZKA

KATARZYNA KORWIN-MIKKE

MICHAŁ A. BORYSIEWICZ

MAREK WZOREK

Ti3SiC2 jest jednym z przedstawicieli faz materiałowych o ogólnym wzorze stechiometrycznym Mn+1AXn, gdzie: M jest metalem przejściowym, A - pierwiastkiem z grupy IIIA lub IVA, a X to węgiel, lub azot. Grupa ta jest w skrócie nazywana fazami MAX [1]. Dzięki swojej nanolaminarnej strukturze charakteryzują się unikalną kombinacją cech metali (wysokie przewodnictwo elektryczne i cieplne) oraz ceramik (wysoka stabilność termiczna i odporność na utlenianie). Połączenie tych właściwości czyni te materiały interesującymi kandydatami dla zastosowań metalizacyjnych do przyrządów półprzewodnikowych, przeznaczonych do pracy w środowiskach aktywnych chemicznie, utleniających i w wysokich temperaturach. Jednym z etapów wytwarzania metalizacji jest ich strukturyzacja. Ze względu na fakt, że [...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Badania elektronomikroskopowe kontaktów omowych do węglika krzemu wytwarzanych na bazie niklu

MAREK WZOREK

Węglik krzemu, ze względu na swoje unikalne właściwości jest materiałem o dużym potencjale aplikacyjnym do zastosowań w przyrządach elektronicznych wysokich mocy i częstotliwości, pracujących w wysokich temperaturach. Niezawodność przyrządów wytwarzanych na bazie węglika krzemu, zależy od jakości kontaktów omowych do SiC. Kontakty te powinny odznaczać się niską rezystywnością, a ponadto stabilnością parametrów podczas długotrwałej pracy w wysokich temperaturach. Obiecującym materiałem do wytwarzania struktur kontaktowych do węglika krzemu jest nikiel [1]. Kontakty wytwarzane na bazie niklu charakteryzują się niską rezystywnością. Aby kontakt miał charakterystykę omową, konieczne jest jednak zastosowanie wysokiej temperatury wygrzewania. Typowym podejściem technologicznym jest naniesienie warstwy niklu na podłoże SiC oraz wygrzanie struktury. Podczas obróbki termicznej Ni reaguje z krzemem z podłoża SiC. Tworzy się stabilna faza Ni2Si, a uwolniony w ten sposób węgiel gromadzi się w warstwie krzemku w postaci wytrąceń co może wpływać negatywnie na niezawodność kontaktów. W celu uniknięcia reakcji niklu z podłożem można wprowadzić dodatkową warstwę krzemu na granicy z podłożem SiC [2-6]. W artykule przedstawiono wyniki badań elektronomikroskopowych nad strukturami Ni/Si na podłożu SiC po kolejnych etapach wygrzewania. Omówiony został wpływ przejść fazowych zachodzących podczas wygrzewania na strukturę i morfologię kontaktów omowych. Zaproponowane zostało wyjaśnienie przyczyn oraz mechanizmów prowadzących do powstawania nieciągłości w obrębie warstw kontaktowych. Przedstawione wnioski przybliżają do pełnego zrozumienia procesów zachodzących podczas wytwarzania kontaktów z wykorzystaniem warstwy podkładowej Si oraz wytwarzania lepszych kontaktów omowych o zadowalającej morfologii. Dane eksperymentalne Struktury kontaktowe naniesiono na podłoże 4H-SiC w orientacji (0001) typu n, (n ~ 2·1017 cm-3) firmy Cree Research Inc. S[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/9

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Trawienia półprzewodników szerokoprzerwowych GaN i SiC

RENATA KRUSZKA

KATARZYNA KORWIN-MIKKE

Znakomite właściwości optyczne, mechaniczne, dobre przewodnictwo cieplne, duże napięcie przebicia elektrycznego oraz odporność na promieniowanie jonizujące materiałów półprzewodnikowych zwanych szerokoprzerwowymi, do których zalicza się GaN i SiC sprawiają, że są one bardzo atrakcyjne do zastosowania w przyrządach elektronicznych wysokiej mocy i wysokiej częstotliwości oraz urządzeniach pracujących w wysokiej temperaturze. Naszym celem jest opracowanie procesów trawienia GaN i SiC na potrzeby zaawansowanych przyrządów wytwarzanych na bazie tych materiałów. Nowoczesne konstrukcje wymagają z jednej strony trawień głębokich (kształtowanie kryształów fotonicznych o submikrometrowych średnicach otworów trawionych na głębokość kilku mikrometrów w strukturach optoelektronicznych, formowanie mes w strukturach tranzystorów HEMT, głębokie trawienia podłoża mające na celu separację struktur), a z drugiej - bardzo płytkich, jak na przykład kilkunanometrowe trawienia prowadzone po procesie wygrzewania poimplantacyjnego mające na celu planaryzację powierzchni SiC. Jednak ze względu na odporność chemiczną GaN i SiC, wytwarzanie wzorów metodami klasycznymi jest bardzo trudne bądź wręcz niemożliwe, zatem jedynie plazmowe metody trawienia mogą być stosowane. Trawienia GaN i SiC wymagają użycia agresywnych plazm chlorowych oraz plazmy o większej gęstości ICP (ang. Inductive Coupling Plasma). Jak donosi wiele publikacji naukowych, do trawienia azotku galu najbardziej odpowiednie są plazmy chlorowe bazujące na BCl3 i Cl2 [1-3] z dodatkiem innych gazów Ar [4], H2 [5], CH4 [6], SF6, N2 [7], w których poprzez szybsze usuwanie produktów reakcji z wytrawionej powierzchni zwiększa się szybkość trawienia. Publikacje dotyczące trawienia węglika krzemu mówią głównie o wykorzystaniu różnych plazm na bazie freonu z dodatkami innych gazów: CF4/O2 [8], SF6/O2 [9], C2F6 [10], CHF3/O2 [11], NF3/O2 [12]. Natomiast trawienie SiC w chlorowych plazmach ICP, takic[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/9

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Procesy trawienia suchego ICP w plazmie BCl3 cienkich warstw HfO2 wytworzonych techniką reaktywnego rozpylania katodowego

RENATA KRUSZKA

KRYSTYNA GOŁASZEWSKA

ANDRZEJ TAUBE

IWONA PASTERNAK

mgr inż. KATARZYNA KORWIN-MIKKE

MAREK WZOREK

ELIANA KAMIŃSKA

ANNA PIOTROWSKA

W ostatnim czasie wzrosło zainteresowanie dielektrykami o wysokiej przenikalności dielektrycznej, nie tylko w kontekście technologii krzemowej tranzystorów CMOS, ale także w technologii związków szerokoprzerwowych, w tym SiC i GaN [1]. Szczególnie atrakcyjnym materiałem jest tu tlenek hafnu (HfO2). Charakteryzuje się on wysoką wartością przenikalności dielektrycznej (12...25 w zależności od metody osadzania), polem przebicia EBR > 4 MV/cm oraz relatywnie wysoką przerwą energetyczną (5-6 eV) [2]. W zależności od zastosowania, warstwy dielektryczne w przyrządach półprzewodnikowych mają różną grubość. Jako dielektryki podbramkowe w technologii MOSFET stosuje się warstwy cienkie, kilkunanometrowe, natomiast do pasywacji struktur (np. diod Schottky’ego czy diod PIN) wymagane są warstwy znacznie grubsze do ok. 1 μm [2, 3]. W obydwu tych przypadkach niezbędnym etapem technologicznym jest odsłonięcie obszaru metalizacji kontaktów, realizowane głównie technikami trawienia plazmowego. Szczególnie ważne jest zastosowanie suchego trawienia grubych warstw pasywacyjnych, które trudno usunąć przy pomocy klasycznego trawienia w roztworach, a które stosuje się w diodach Schottky’ego w procesie wytwarzania złącza metodą field-plate [4]. Trawienie suche tlenku hafnu nie zostało jeszcze szeroko zbadane, a doniesienia literaturowe dotyczą głównie trawień plazmą indukcyjnie sprzężoną (ICP). Najskuteczniejsze do trawienia HfO2 są plazmy chlorowe bazujące na BCl3 i Cl2, często z dodatkiem Ar [5-9], lub ich mieszaniny Ar/BCl3/Cl2 [10]. Skład i parametry plazmy optymalizowane są pod kątem uzyskania maksymalnej szybkości trawienia. Jednak w przyrządach półprzewodnikowych niezwykle istotna jest selektywność trawienia HfO2 w stosunku do podłoża, ponieważ podłoże nie może zostać w wyniku trawienia uszkodzone. Niewiele publikacji donosi o badaniach nad zwiększeniem 92 Elektronika 9/2011 selektywności trawienia HfO2 do Si, SiC lub SiO2.[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/9

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Wytwarzanie i charakteryzacja cienkich warstw tlenku hafnu dla zastosowań w technologii MOSFET w węgliku krzemu

ANDRZEJ TAUBE

KATARZYNA KORWIN-MIKKE

Jednym z najważniejszych procesów w technologii wytwarzania tranzystorów MOSFET jest osadzanie dielektryka bramkowego. W technologii krzemowej doskonałej jakości naturalny dielektryk bramkowy w postaci SiO2 stał się motorem rozwoju mikroelektroniki. Podobnie jak krzem, węglik krzemu również utlenia się w obecności atmosfery utleniającej tworząc SiO2. O ile układ SiO2/Si ma wręcz doskonałe parametry elektroﬁzyczne, układ SiO2/SiC cierpi na wiele różnych niedoskonałości. Związane jest to przede wszystkim z obecnością węgla w układzie SiO2/SiC powstającym podczas wysokotemperaturowego utleniania SiC. Część z atomów węgla akumuluje się w obszarze przejściowym SiO2/SiC prowadząc do powstawania centrów defektowych. Wpływa to na powstawanie stanów pułapkowych, które znacząco ograniczają ruchliwość nośników w kanale tranzystora [1]. Równolegle prowadzi się badania związane z wytwarzaniem i charakteryzacją alternatywnych materiałów dielektrycznych, które również nie przyniosły całkowicie satysfakcjonujących rezultatów [2]. Bardzo ciekawą i rokującą na przyszłość metodą wytwarzania bramki tranzystora MOSFET jest stosowanie dielektryków podwójnych SiO2/dielektryk o wysokiej przenikalności elektrycznej. Bardzo cienka warstwa SiO2 stanowi bufor pomiędzy powierzchnią SiC a dielektrykiem o wysokiej stałej dielektrycznej. Zadaniem warstwy buforowej jest zapewnienie odpowiedniej jakości interfejsu pomiędzy SiC a warstwą dielektryka oraz zmniejszenie prądu upływu bramki. Warstwy dielektryczne o wysokiej wartości przenikalności elektrycznej pozwalają na zwiększenie niezawodności tranzystorów MOSFET. Przede wszystkim wysoka stała dielektryczna powoduje zmniejszenie pola elektrycznego w obszarze dielektryka podbramkowego, co zwiększa jego niezawodność. Wśród materiałów dielektrycznych o wysokiej względnej przenikalności wysoką pozycję zajmuje tlenek hafnu HfO2 charakteryzujący się zarówno wysoką stałą dielektryczną (εr ≈ 15[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/9

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a