Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk

Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

To proste!

zobacz szczegóły

r e k l a m a

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

zobacz szczegóły

Wyniki wyszukiwania

Wyniki 1-2 spośród 2 dla zapytania: authorDesc:"WERONIKA IZYDORCZYK"

» Teoretyczna analiza adsorpcji tlenu na powierzchni ziaren SnO2 o geometrii płaskiej

WERONIKA IZYDORCZYK

Spośród materiałów sensorycznych ditlenek cyny SnO2 pełni szczególną rolę, ponieważ wykazuje znaczące zmiany przewodnictwa elektrycznego w otoczeniu cząsteczek toksycznych i łatwopalnych gazów (HC, NOx, NH3, H2S, CO, H2). Ważnym zagadnieniem badawczym w przypadku półprzewodników tlenkowych jest rola tlenu, występującego w różnej postaci na powierzchni z powodu jego wysokiej reaktywności. Adsorpcja tlenu na powierzchni półprzewodników tlenkowych (np. SnO2, ZnO, TiO2) prowadzi do powstawania warstwy zubożonej, obniżenia przewodnictwa i wzrostu pracy wyjścia w zakresie temperatur od około 150 do 450°C. Pomimo wielu badań eksperymentalnych i teoretycznych [1-11] rola jaką odgrywa adsorbowany tlen w zjawiskach powierzchniowych i objętościowych (pokrycie powierzchni jonami tlenu, ug[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Badania struktury, morfologii powierzchni oraz właściwości sensorowych cienkich warstw SnO2

WERONIKA IZYDORCZYK

MARCIN PISAREK

JERZY ŻAK

Działanie półprzewodnikowych sensorów gazowych na bazie tlenków metali (np. SnO2) polega głównie na zmianie przewodnictwa (rezystancji) warstwy sensorycznej w wyniku tworzenia przypowierzchniowego ładunku przestrzennego, indukowanego zarówno wskutek adsorpcji gazu, jak i tworzenia wakansów tlenowych na powierzchni [1, 2]. Mechanizm przewodnictwa elektrycznego gazoczułych warstw SnO2 silnie zależy od ich mikrostruktury oraz składu chemicznego, przykładowo redukcja rozmiarów ziaren tlenku do zakresu 5…50 nm zwiększa czułość warstwy sensorycznej [3]. Tlen występujący w różnej postaci na powierzchni półprzewodników tlenkowych pełni szczególną rolę z powodu jego wysokiej reaktywności [1]. Adsorpcja tlenu na powierzchni półprzewodników tlenkowych (np. SnO2, ZnO, TiO2) prowadzi do powstawania warstwy zubożonej, obniżenia przewodnictwa i wzrostu pracy wyjścia w obszarze temperatur od około 423 do 723K [1]. Odpowiedź rezystancyjnej warstw SnO2 na akcję gazu utleniającego z jednej strony silnie zależy od mechanizmu oddziaływania cząsteczek gazu z powierzchnią SnO2, a z drugiej - od transportu nośników w obszarze zubożonym indukowanym przez ujemny ładunek wychwycony przez adsorpcyjne stany powierzchniowe typu akceptorowego. Mechanizm adsorpcji cząsteczek gazu na powierzchni SnO2 jest z kolei w dużej części zdeterminowany strukturalnymi oraz chemicznymi właściwościami warstwy [4]. Obecnie poszukiwane są nowe technologie, pozwalające na konstrukcję struktur czujnikowych charakteryzujących się dużą czułością i jednocześnie szybkim czasem odpowiedzi, nawet dla niskich stężeń gazów (w zakresie ppm i ppb) przy zachowaniu dużej stabilności i powtarzalności odpowiedzi. Z badań eksperymentalnych wynika, że czułość oraz selektywność, czyli zdolność do reagowania na określone składniki mieszaniny gazów, może być kontrolowana poprzez temperaturę pracy warstwy tlenkowej. Natomiast temperatura, w której obserwuje się maksimum czułości, zale[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/6

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a