profil Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk
  Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

zegar

To proste!

zobacz szczegóły
r e k l a m a
FAIL (the browser should render some flash content, not this).

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

baza zobacz szczegóły

Wyniki wyszukiwania

Wyniki 1-2 spośród 2 dla zapytania: authorDesc:"JAROSŁAW ARABAS"

» Studies of the feasibility of using global and local optimization methods in MOSFET characterization

JAROSŁAW ARABAS  SŁAWOMIR SZOSTAK  LIDIA ŁUKASIAK  ANDRZEJ JAKUBOWSKI  
Characterization of semiconductor devices is usually based on very simple models [e.g. 1]. The advantage of this approach is that the procedures of parameter extraction are very straightforward (e.g. plotting the experimental data in such a coordinate system that a more or less straight line is obtained and then determining the desired parameters from the intercept with either axis or from t[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008/1


 

» Weryfikacja możliwości globalnej ekstrakcji parametrów tranzystora MOS z użyciem modelu EKV

ŁUKASZ BARTNIK  JAROSŁAW ARABAS  SŁAWOMIR SZOSTAK  DANIEL TOMASZEWSKI  
Artykuł przedstawia wyniki prac prowadzonych na styku mikroelektroniki i informatyki, dotyczących wykorzystania metod optymalizacji globalnej w zadaniu ekstrakcji parametrów tranzystorów MOS. Ekstrakcja polega na dopasowywaniu charakterystyk napięciowo-prądowych, uzyskanych za pomocą modelu tranzystora, do danych pomierzonych. Pierwsze badania [2] prowadzone były z wykorzystaniem jednowymiarowego, numerycznego modelu Pierreta-Shieldsa, ze względu na jego stosunkowo prostą obliczeniowo postać, niewielką liczbę parametrów oraz fakt, że jedno wyrażenie opisuje cały zakres pracy tranzystora MOS. Model ten nie nadaje się jednak do opisu submikronowych struktur MOS ponieważ nie uwzględnia wielu istotnych zjawisk, np. efektów występujących w tranzystorach z krótkim kanałem, jonizacji[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009/8


 

 Strona 1 
r e k l a m a
FAIL (the browser should render some flash content, not this).