PAWEŁ KAMIŃSKI- zobacz i pobierz wszystkie publikacje autora PAWEŁ KAMIŃSKI w naszych czasopismach

Wyniki 1-6 spośród 6 dla zapytania: authorDesc:"PAWEŁ KAMIŃSKI"

» Strategia PGNiG S.A. w związku z wejściem Polski do UE

Program restrukturyzacji i prywatyzacji PGNiG S.A. z 13 sierpnia 2002 r. tworzony był w oparciu o założenia zawarte w uchwalonych w tym czasie dokumentach rządowych tj.: a. "Strategii gospodarczej rzą[...] więcej»
w zeszycie GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA 2004/1

Czytaj za darmo! »

» Badanie defektów punktowych w objętościowych monokryształach 6H-SiC otrzymanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej

MICHAŁ KOZUBAL

Właściwości monokryształów SiC, zwłaszcza szeroka przerwa zabroniona, doskonałe przewodnictwo cieplne oraz duże natężenie pola elektrycznego powodującego przebicie, sprawiają, że materiał ten jest bardzo przydatny do wytwarzania nowej generacji przyrządów elektronowych pracujących w zakresie wielkich częstotliwości, dużych mocy i w podwyższonej temperaturze. Parametry tych przyrządów silnie [...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008/1

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Zastosowanie graficznego środowiska programistycznego w niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej o dużej rozdzielczości

Jarosław ŻELAZKO

Przedstawiono sposób automatyzacji systemu pomiarowego do badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej w oparciu o graficzne środowisko programistyczne LabVIEW. Opisano funkcjonalność aplikacji sterującej procesem pomiaru w szerokim zakresie temperatur (20 - 750 K). Potencjalne możliwości badawcze systemu pomiarowego zilustr[...] więcej»
w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2008/5

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Zastosowanie metod inteligencji obliczeniowej do analizy struktury defektowej półprzewodników wysokorezystywnych

STANISŁAW JANKOWSKI

W artykule przedstawiono wyniki badań centrów defektowych w półizolującym monokrysztale fosforku indu (InP), przeprowadzonych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS (Photo-Induced Transient Spectroscopy) z zastosowaniem maszyny wektorów nośnych SVM (Support Vector Machine) [1,2] oraz maszyny wektorów istotnych RVM (Relevance Vector Machine) [3] do aproksymacji powierzchni widmowej Laplace’a, otrzymanej poprzez numeryczne przekształcenie relaksacyjnych przebiegów fotoprądu zmierzonych w zakresie temperatur 30...320K. Linie grzbietowe fałd występujących na powierzchni widmowej określają temperaturowe zależności szybkości emisji nośników ładunku z centrów defektowych [4-6]. Celem zastosowania nowych metod aproksymacji jest stworzenie możliwości wyznaczania p[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009/8

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Inteligentny system diagnostyczny do badania półprzewodników wysokorezystywnych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS

Marek SUPRONIUK

Przedstawiono koncepcję inteligentnego systemu pomiarowego do diagnozowania wysokorezystywnych materiałów półprzewodnikowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej. Zadaniem tego systemu będzie tworzenie obrazu struktury defektowej obejmującego informację o parametrach i koncentracjach zaobserwowanych centrów defektowych. Abstract. An intelligent measurement system for diagnosing of semi-insulating materials by photoinduced transient spectroscopy has been presented. The system utilises two-dimensional analysis of the photocurrent transients digitally recorded in a broad range of temperatures for determination of defect centers parameters and a simulation procedure for calculation their concentration. The system is shown to be a powerful tool for studies of defect structure[...] więcej»
w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2009/11

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Baza wiedzy w inteligentnym systemie pomiarowym do badania centrów defektowych w półprzewodnikowych materiałach półizolujących

Marek SUPRONIUK

Przedstawiono inteligentny system pomiarowy do charakteryzacji centrów defektowych w półprzewodnikowych materiałach półizolujących metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej. Parametry centrów defektowych wyznaczono na podstawie dwuwymiarowej analizy niestacjonarnych przebiegów fotoprądu opartej na odwrotnej transformacie Laplace’a i metodach inteligencji obliczeniowej. W celu określenia przypuszczalnej konfiguracji atomowej wykrytych centrów wyznaczone parametry porównano z danymi zawartymi w bazie wiedzy systemu, gdzie gromadzone są w sposób zorganizowany informacje o zaobserwowanych defektach wprowadzone na podstawie danych z pomiarów własnych i opublikowanych w dostępnej literaturze. Abstract. An intelligent measurement system for the characterisation of defect centres in semi-insulating materials is presented. The basic advantage of the system relies on the application of two dimensional analysis of the photocurrent decays and computational intelligence to extract the parameters of defect centres from the two-dimensional spectra in the domain of temperature and emission rate. The spectral analysis is carried out the procedure based on the inverse Laplace transformation algorithm. For identification of each defect centre, the obtained parameters are compared with the data in the knowledge base, where the defect properties reported in the available publications are stored and catalogued. (An intelligent measurement system for the characterisation of defect centres in semi-insulating materials) Słowa kluczowe: inteligentny system pomiarowy, baza wiedzy, niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa, centra defektowe, materiały półizolujące. Keywords: intelligent measurement system, knowledge base, PITS, defect center, semi - insulating materials. Wstęp - inteligentne systemy elektryczne Inteligentne systemy elektryczne, o różnym stopniu komplikacji i zaawansowania technicznego, tworzone są obecnie w wielu dziedzinach nauki i tec[...] więcej»
w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010/12

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a