profil Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk
  Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

zegar

To proste!

zobacz szczegóły
r e k l a m a
FAIL (the browser should render some flash content, not this).

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

baza zobacz szczegóły

Wyniki wyszukiwania

Wyniki 1-7 spośród 7 dla zapytania: authorDesc:"ROMAN KOZŁOWSKI"

» Badanie defektów punktowych w objętościowych monokryształach 6H-SiC otrzymanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej

MICHAŁ KOZUBAL  PAWEŁ KAMIŃSKI  ROMAN KOZŁOWSKI  MARIUSZ PAWŁOWSKI  WŁADYSŁAW HOFMAN  
Właściwości monokryształów SiC, zwłaszcza szeroka przerwa zabroniona, doskonałe przewodnictwo cieplne oraz duże natężenie pola elektrycznego powodującego przebicie, sprawiają, że materiał ten jest bardzo przydatny do wytwarzania nowej generacji przyrządów elektronowych pracujących w zakresie wielkich częstotliwości, dużych mocy i w podwyższonej temperaturze. Parametry tych przyrządów silnie [...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008/1


 

» Zastosowanie graficznego środowiska programistycznego w niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej o dużej rozdzielczości

Jarosław ŻELAZKO  Michał PAWŁOWSKI  Paweł KAMIŃSKI  Roman KOZŁOWSKI  Marcin MICZUGA  
Przedstawiono sposób automatyzacji systemu pomiarowego do badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej w oparciu o graficzne środowisko programistyczne LabVIEW. Opisano funkcjonalność aplikacji sterującej procesem pomiaru w szerokim zakresie temperatur (20 - 750 K). Potencjalne możliwości badawcze systemu pomiarowego zilustr[...] więcej»
w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2008/5


 

» Zastosowanie metod inteligencji obliczeniowej do analizy struktury defektowej półprzewodników wysokorezystywnych

STANISŁAW JANKOWSKI  PAWEŁ KAMIŃSKI  ROMAN KOZŁOWSKI  ZBIGNIEW SZYMAŃSKI  JANUSZ BĘDKOWSKI  
W artykule przedstawiono wyniki badań centrów defektowych w półizolującym monokrysztale fosforku indu (InP), przeprowadzonych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS (Photo-Induced Transient Spectroscopy) z zastosowaniem maszyny wektorów nośnych SVM (Support Vector Machine) [1,2] oraz maszyny wektorów istotnych RVM (Relevance Vector Machine) [3] do aproksymacji powierzchni widmowej Laplace’a, otrzymanej poprzez numeryczne przekształcenie relaksacyjnych przebiegów fotoprądu zmierzonych w zakresie temperatur 30...320K. Linie grzbietowe fałd występujących na powierzchni widmowej określają temperaturowe zależności szybkości emisji nośników ładunku z centrów defektowych [4-6]. Celem zastosowania nowych metod aproksymacji jest stworzenie możliwości wyznaczania p[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009/8


 

» Inteligentny system diagnostyczny do badania półprzewodników wysokorezystywnych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS

Marek SUPRONIUK  Paweł KAMIŃSKI  Marcin MICZUGA  Michał PAWŁOWSKI  Roman KOZŁOWSKI  
Przedstawiono koncepcję inteligentnego systemu pomiarowego do diagnozowania wysokorezystywnych materiałów półprzewodnikowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej. Zadaniem tego systemu będzie tworzenie obrazu struktury defektowej obejmującego informację o parametrach i koncentracjach zaobserwowanych centrów defektowych. Abstract. An intelligent measurement system for diagnosing of semi-insulating materials by photoinduced transient spectroscopy has been presented. The system utilises two-dimensional analysis of the photocurrent transients digitally recorded in a broad range of temperatures for determination of defect centers parameters and a simulation procedure for calculation their concentration. The system is shown to be a powerful tool for studies of defect structure[...] więcej»
w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2009/11


 

» Baza wiedzy w inteligentnym systemie pomiarowym do badania centrów defektowych w półprzewodnikowych materiałach półizolujących

Marek SUPRONIUK  Paweł KAMIŃSKI  Michał PAWŁOWSKI  Roman KOZŁOWSKI  Marek PAWŁOWSKI  
Przedstawiono inteligentny system pomiarowy do charakteryzacji centrów defektowych w półprzewodnikowych materiałach półizolujących metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej. Parametry centrów defektowych wyznaczono na podstawie dwuwymiarowej analizy niestacjonarnych przebiegów fotoprądu opartej na odwrotnej transformacie Laplace’a i metodach inteligencji obliczeniowej. W celu określenia przypuszczalnej konfiguracji atomowej wykrytych centrów wyznaczone parametry porównano z danymi zawartymi w bazie wiedzy systemu, gdzie gromadzone są w sposób zorganizowany informacje o zaobserwowanych defektach wprowadzone na podstawie danych z pomiarów własnych i opublikowanych w dostępnej literaturze. Abstract. An intelligent measurement system for the characterisation of defect centres in semi-insulating materials is presented. The basic advantage of the system relies on the application of two dimensional analysis of the photocurrent decays and computational intelligence to extract the parameters of defect centres from the two-dimensional spectra in the domain of temperature and emission rate. The spectral analysis is carried out the procedure based on the inverse Laplace transformation algorithm. For identification of each defect centre, the obtained parameters are compared with the data in the knowledge base, where the defect properties reported in the available publications are stored and catalogued. (An intelligent measurement system for the characterisation of defect centres in semi-insulating materials) Słowa kluczowe: inteligentny system pomiarowy, baza wiedzy, niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa, centra defektowe, materiały półizolujące. Keywords: intelligent measurement system, knowledge base, PITS, defect center, semi - insulating materials. Wstęp - inteligentne systemy elektryczne Inteligentne systemy elektryczne, o różnym stopniu komplikacji i zaawansowania technicznego, tworzone są obecnie w wielu dziedzinach nauki i tec[...] więcej»
w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010/12


 

» Krzemowe struktury epitaksjalne dla krawędziowych ogniw słonecznych

JERZY SARNECKI  ROMAN KOZŁOWSKI  MARIAN TEODORCZYK  GRZEGORZ GAWLIK  OLGIERD JEREMIASZ  DARIUSZ LIPIŃSKI  ANDRZEJ BRZOZOWSKI  KONRAD KRZYŻAK  
Przedstawiona w niniejszej pracy idea krawędziowego przetwornika fotowoltaicznego współpracującego z kolektorem fluorescencyjnym nawiązuje do rozwiązań proponowanych w latach siedemdziesiątych ubiegłego wieku, które dotyczyły oświetlanych krawędziowo wielozłączowych ogniw VMJ (ang. Vertical Multi- Junctions), utworzonych przez bezpośrednie połączenie szeregu pojedynczych płytek krzemowych zawierających złącze p-n [1-3]. Zasadniczą zaletą ogniwa VMJ jest możliwość pracy przy bardzo wysokiej gęstości mocy padającego promieniowania [4-5]. Dla wytworzenia struktury krzemowej przeznaczonej do konstrukcji krawędziowego ogniwa fotowoltaicznego zastosowano metodę epitaksjalnego osadzania warstw krzemowych. Struktura czynna ogniwa została otrzymana w procesie epitaksji Wnioski Zastosowana technologia wytwarzania ogniw słonecznych pozwala na otrzymanie ogniwa o sprawności 14,2%, co świadczy o możliwości zastosowania jej w produkcji seryjnej. Dodatkowo badania własności optycznych ogniw pokazują, że w zakresie długości fali od 500…1000 nm znajduje się ponad 80% fotonów biorących udział w generacji par elektron‑dziura. Wzrost sprawności ogniwa uzyskano dzięki teksturowaniu przedniej powierzchni krzemowej płytki w roztworze 30% KOH pozwalającemu na zwiększenie powierzchni czynnej ogniwa słonecznego dzięki wytworzeniu na ich powierzchni nierównomiernie rozłożonych piramid. Uzyskana rezystancja właściwa świadczy o dobrym omowym kontakcie elektrody przedniej z krzemem. Literatura Rys. 5. Wewnętrzna wydajność kwantowa - EQE dla krzemowego ogniwa słonecznego, EQE_Si dla wzorca (fotodioda krzemowa Hamamatsu) Fig. 5. Internal quantum efficiency of solar cell - EQE for a silicon solar cell, EQE_Si for a standard (silicon photodiode Hamamatsu) Rys. 6. Topografia elektrody przedniej oraz strefy jej połączenia z podłożem krzemowym (SEM) Fig. 6. Topography of front electrode and its connection zone with Si substrate (SEM) [1] Dobrzań[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/5


 

» Luminescencyjne koncentratory energii promieniowania słonecznego w zakresie widzialnym i bliskiej podczerwieni

OLGIERD JEREMIASZ  JERZY SARNECKI  WOJCIECH NIKIEL  MARIAN TEODORCZYK  ARTUR WNUK  ROMAN KOZŁOWSKI  GRZEGORZ GAWLIK  
Koncentrator luminescencyjny wykonywany jest w formie płyty lub folii polimerowej zawierającej centra luminescencyjne. Padające promieniowanie słoneczne jest absorbowane przez te centra. Koncentrator pracuje jako światłowód emitując promieniowanie do umieszczonego na krawędzi koncentratora ogniwa fotowoltaicznego. Stosowanie koncentratorów luminescencyjnych umożliwia zastąpienie materiału półprzewodnikowego tanim polimerem, co wiąże się z obniżeniem kosztów wytworzenia energii elektrycznej. Ideę koncentratora luminescencyjnego LSC (ang. Luminescent Solar Concentrator) przedstawia rys. 1. W ostatnich latach zespoły badawcze z Wielkiej Brytanii, Holandii i Niemiec realizując program Unii Europejskiej "Fullspectrum", zajmują się problematyką koncentratorów luminescencyjnych. W prowadzonych obecnie badaniach stosowane są znacznie trwalsze i sprawniejsze barwniki perylenowe.. Ponadto, jako centra luminescencyjne w polimerowych koncentratorach LSC można wykorzystać kropki kwantowe oraz nanomateriały domieszkowane jonami ziem rzadkich [3]. Luminescencyjny koncentrator słoneczny powinien charakteryzować się następującymi właściwościami: - silną absorpcją promieniowania w zakresie długości fal do 950 nm oraz maksimum emisji ~1000 nm, - minimalnymi stratami w wyniku reabsorpcji, - bliską jedności wartością kwantowej sprawności luminescencji (FQY), - wysoką odpornością na warunki atmosferyczne. Wybór barwników O wyborze barwników organicznych decydowały następujące parametry: sprawność fluorescencji, przesunięcie stokesowskie determinujące straty związane z reabsorpcją, skuteczność wprowadzania barwnika w matrycę PMMA oraz trwałość fotochemiczna [6-8]. Wytypowano kilka rodzajów barwników, tak aby absorpcja zachodziła dla możliwie szerokiego zakresu widma światła słonecznego. Kierując się tymi kryteriami wyselekcjonowano z dwudziestu kilku dostępnych na rynku barwników następujące barwniki: dcm-pyran, coumarin 151 i styryl9 M. W f[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/5


 

 Strona 1 
r e k l a m a
FAIL (the browser should render some flash content, not this).