Największa baza artykułów technicznych online - aktualnie 66233 publikacje.
Zaawansowane »          English [ENGLISH]
  • Aktualności
  • Prenumerata papierowa
  • Baza publikacji
  • Dostęp czasowy
  • KatalogFirm
  • O Wydawnictwie
profil Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk
  Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

zegar

To proste!

zobacz szczegóły
r e k l a m a
FAIL (the browser should render some flash content, not this).

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

baza zobacz szczegóły

Wyniki wyszukiwania

Wyniki 1-4 spośród 4 dla zapytania: authorDesc:"ANETA HAPKA"

» Symulacja charakterystyk diod Schottky'ego z węglika krzemu z uwzględnieniem efektów termicznych
ANETA HAPKA  WŁODZIMIERZ JANKE  
Diody Schottky’ego z węglika krzemu (SiC) stanowią obiecującą grupę elementów - ze względu na swoją szybkość działania, połączoną z dużymi wartościami napięć przebicia oraz potencjalnymi możliwościami pracy w szerokim zakresie temperatur. Ze względu na ostatnią z wymienionych cech, pożądane jest prawidłowe uwzględnienie efektów termicznych w symulacjach układów z tymi diodami. O jakości wyników symulacji w dużej mierze decyduje dobór parametrów w modelach elementów, co zostanie pokazane w niniejszej pracy. Proponuje się również model dla symulatorów obwodowych, umożliwiający uwzględnienie wpływu samonagrzewania na charakterystyki statyczne. W pracy omówiono standardowy opis diod Schottky’ego w programie PSPICE, podano przykładowe parametry modeli oraz charakteryst[...] więcej»
 w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009/10


 

» Influence of series resistance on thermally induced limitations of SiC Schottky diodes
WŁODZIMIERZ JANKE  ANETA HAPKA  
Silicon carbide electronic devices seem to be able to operate in very high temperature, and high power density regions, therefore the thermal limitations of those devices should be carefully analyzed. According to some mentions in the literature [1-3] the junction temperature limit for SiC devices may be surprisingly low - only 110°C for some set of parameters assumed. The main object of the investigations presented in this paper, is a SiC Schottky Barrier Diode (SBD), the most mature and widely applied SiC device. In studying the thermal limitations, the self-heating effect, resulting in the junction temperature rise over the ambient temperature, should be taken into account. In the high current region of operation (where the self-heating is important), the parasitic series resistance RS of a diode strongly influences the shape of its I-V characteristics and the value of dissipated power. The values of diode series resistance depend on the particulars of a manufacturing process. The purpose of this paper is to investigate the influence of series resistance value on the thermal limitations involved with the self-heating occurring in a diode. The calculations and theoretical analysis are supported by results of measurements. Parasitic series resistance of SiC SBD The voltage drop VD across a diode conducting forward current I consists of two terms: ideal M-S junction voltage VJ, and the voltage drop across a regions beyond junction including semiconductor layer, contacts between the different metal layers, internal and external wire connections etc. It is usually described as: (1) where RS is an equivalent series resistance of a diode. The resistance of the semiconductor layer is usually the main term of RS. For increasing current, the second term in Eqn (1) increases faster than the first term so, for sufficiently high currents, the dependence of VD on I is nearly linear. It should be pointed out, that in contrary to p-n [...] więcej»
 w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/2


 

» Wpływ warunków pracy na charakterystyki statyczne diod MPS z węglika krzemu
Aneta HAPKA  Włodzimierz JANKE  
W pracy omówiono wpływ warunków zasilania na charakterystyki prądowo-napięciowe diod Schottky’ego z węglika krzemu, z dodatkowym złączem PiN (Merged PiN Schottky). Zaprezentowano symulacje nieizotermicznych charakterystyk I-V przykładowej diody MPS, w których uwzględniono wpływ temperatury otoczenia na parametry krytyczne, takie jak prąd, moc oraz temperatura wnętrza, dla których element narażony jest na zniszczenie. W symulacjach uwzględniono wpływ temperatury otoczenia i wnętrza na rezystancję termiczną elementu. Abstract. In the paper, the influence of operation conditons, especially ambient temperature, on the nonisothermal current-voltage characteristics of the silicon carbide Merged PiN Schottky diodes is disscussed. The investigations are mainly devoted to the dangerous regions of the DC, I-V characteristics. The simulations of the nonisothermal characteristics, with the critical parameters such as current, power and junction temperature, depending on the ambient temperature are presented. Also, the influence of the ambient and junction temperature on the thermal resistance has been included. (The influence of the operation conditions on the DC characteristics of the silicon carbide MPS diodes). Słowa kluczowe: dioda Schottky’ego, rezystancja termiczna, charakterystyki statyczne, prąd krytyczny. Keywords: Schottky diode, thermal resistance, DC characteristics, critical current. Wprowadzenie Elementy z węglika krzemu zyskują coraz bardziej ugruntowaną pozycję na rynku przyrządów mocy. Ze względu na doskonałe właściwości materiałowe, takie jak szeroka przerwa energetyczna, wysoka przewodność cieplna, technologia SiC jest intensywnie rozwijana tak, aby możliwe było wykorzystanie możliwości pracy w bardzo szerokim zakresie temperatur oraz z dużymi gęstościami mocy [1, 2, 3]. Kilka typów elementów mocy z węglika krzemu, takich jak diody Schottky’ego (SBD - Schottky Barrier Diodes oraz MPS - Merged PiN Schottky’[...] więcej»
 w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011/10


 

» Przejściowa impedancja termiczna diod Schottky’ego z węglika krzemu w szerokim zakresie temperatur
Włodzimierz JANKE  Aneta HAPKA  Maciej OLEKSY  
W pracy omówiono badania przejściowej impedancji termicznej diod Schottky’ego z węglika krzemu, w szerokim zakresie temperatur otoczenia. Scharakteryzowano parametry elektryczne węglika krzemu oraz wpływ temperatury na parametry decydujące o przebiegu przejściowej impedancji termicznej. Omówiono sposób pomiaru, oraz wyniki badań impedancji termicznej kilku typów diod Schottky’ego w zakresie temperatur otoczenia od 25°C do 300°C. Abstract. In the paper, the investigations of SiC Schottky diodes thermal characteristics in the wide range of ambient temperature are presented. The electrical parameters of silicon carbide are described and the temperature dependence of the thermal parameters of this material is outlined. The transient thermal impedance measurement results, obta[...] więcej»
 w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2009/11


 

 Strona 1 
r e k l a m a
FAIL (the browser should render some flash content, not this).

Nasze czasopisma

kofeina biogaz pasteryzacja przemysł chemiczny tworzywa sztuczne chromatografia kontakt tłuszcz znakowanie bezpieczeństwo żywności Kociołek-Balawejder antocyjany przeciwutleniacze herbata soki owocowe gmo tłuszcze błonnik ciecze jonowe mleko suplementy diety osady ściekowe przegląd elektrotechniczny bhp barwniki mikrokapsułkowanie wino ocena ryzyka aluminium hydrokoloidy Aura Opakowanie opakowania karotenoidy 7 korozja Gospodarka wodna pompy ciepła cement pompa ciepła owies informacje dla autorów konserwanty ekstrakcja led mąka kolektory słoneczne six sigma problemy jakości czekolada żywność funkcjonalna nanotechnologia soja BRC kosmetyki skrobia jęczmień audit polifenole szkło pszenica jakość żywności jogurt jakość ocena ryzyka zawodowego haccp polimery kanalizacja inżynieria materiałowa praca materiały budowlane Gluten przegląd mleczarski kawa hutnik przemysł spożywczy orkisz tytan skrobia modyfikowana rfid 6 liofilizacja żywność enzymy mięso kompozyty biopaliwa chłodnictwo opakowania inteligentne probiotyki przegląd papierniczy miód magnez opakowania aktywne olej olej rzepakowy metale ciężkie napoje energetyzujące nanomateriały piwo biomasa makaron chleb elektronika dodatki do żywności logistyka gryka pestycydy ryzyko zawodowe fermentacja pieczywo żyto miedź prebiotyki aronia inulina servqual wentylacja recykling iso atest odpady drób napoje funkcjonalne transport biofilm mrożonki FMEA kwasy tłuszczowe jakość usług analiza sensoryczna iso 9001 ekstruzja biodiesel kukurydza cukier suszenie innowacje woda pszenżyto owoce IFS żywność wygodna witamina c kaizen piroliza wołowina masło utrwalanie żywności lody sól drożdże audyt prenumerator ścieki surfaktanty błonnik pokarmowy koszty jakości soki ryż żywność ekologiczna oczyszczanie ścieków tqm witaminy ochrona przed korozją OŁÓW zarządzanie jakością opakowania szklane zioła dioksyny zeolity napoje kakao sieci neuronowe transglutaminaza wzbogacanie żywności aromaty substancje dodatkowe przyprawy reologia celuloza ryby tekstura akryloamid sok mleczarstwo bioetanol iso 22000 Manufacturing Process Automation białka serwatkowe czosnek gospodarka mięsna owoce jagodowe produkcja piwa mikotoksyny akrylamid polichlorowane bifenyle antyoksydanty PET kasza

Budownictwo i Geodezja

Elektronika, Energetyka, Elektrotechnika

Hutnictwo, Górnictwo

Przemysł lekki

Przemysł spożywczy i gastronomia

Inne gałęzie przemysłu

Tematyka ogólnotechniczna

Czasopisma wielobranżowe
platnosci
O Wydawnictwiestr Prenumeratastr Reklamastr Drukarniastr Kolportażstr Regulamin Usługstr Englishstr
© 2006-2012 Wydawnictwo SIGMA-NOT Sp. z o.o. Wszelkie prawa zastrzeżone
projekt, wykonanie, obsługa: Pragma Software
b