profil Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk
  Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

zegar

To proste!

zobacz szczegóły
r e k l a m a
FAIL (the browser should render some flash content, not this).

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

baza zobacz szczegóły

Wyniki wyszukiwania

Wyniki 1-4 spośród 4 dla zapytania: authorDesc:"Marek SUPRONIUK"

» Szacowanie składowych sygnału z przepływomierza elektromagnetycznego

Andrzej MICHALSKI  Marek SUPRONIUK  
Prezentowany artykuł przedstawia fragment wyników badań dotyczących szacowania składowych sygnału z przepływomierza elektromagnetycznego do kanałów otwartych. Autorzy przedstawiają różne sposoby podejścia do obliczenia pochodnej dla sygnału prądu płynącego w cewce. Przedstawiona metodyka została zweryfikowana doświadczalnie z wykorzystaniem sygnałów syntetycznych i rzeczywistych. Abstract. The [...] więcej»
w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2007/12


 

» Błąd adekwatności modelu obrazowania struktury defektowej półprzewodników wysokorezystywnych badanej metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej.

Michał PAWŁOWSKI  Marek SUPRONIUK  
Celem pracy jest określenie wpływu błędu adekwatności modelu metody korelacyjnej na dokładność wyznaczania parametrów centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej (PITS). Stwierdzono, że nieadekwatność modelu metody korelacyjnej powoduje przesunięcie wykresu Arrheniusa w kierunku niższych temperatur w odniesieniu do wykresu otrzymanego metodą odwrotnego przekształcenia Laplace’a. Do pokazania tego wpływu wykorzystano rejestracje relaksacji fotoprądu charakterystyczne dla centrum A (kompleksu luka-tlen) występującego w próbkach FZ Si:Sn napromieniowanych neutronami. Abstract. The effect of model adequacy error of the correlation method for studies of defect centres by photoinduced transient spectroscopy (PITS), on the values of activation energy and capture cross-section obtained from the Arrhenius plot is discussed. It is shown that due to model inadequacy, there is a shift towards lower temperatures of the Arrhenius plot obtained from correlation method in comparison with that obtained from inverse Laplace transformation. The effect is exemplified by the Arrhenius plots calculated by both methods using photocurrent transients for the centre A (vacancy-oxygen complex) in neutron irradiated silicon doped with tin. (The effect of model adequacy error of the correlation method for studies of defect centres by photoinduced transient spectroscopy) Słowa kluczowe: adekwatność modelu, niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa, centra defektowe, półprzewodniki wysokorezystywne. Keywords: model adequacy, PITS, defect center, semi - insulating materials. Wstęp - metoda niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej Najczęściej stosowaną metodą badania struktury defektowej półprzewodników wysokorezystywnych jest niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa (PITS). Metoda ta wykorzystuje zjawisko wychwytu i termicznej emisji nośników ładunku z głębokich centrów defektowych, przy czym proces zapełniania poziomów defektowych odb[...] więcej»
w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011/10


 

» Inteligentny system diagnostyczny do badania półprzewodników wysokorezystywnych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS

Marek SUPRONIUK  Paweł KAMIŃSKI  Marcin MICZUGA  Michał PAWŁOWSKI  Roman KOZŁOWSKI  
Przedstawiono koncepcję inteligentnego systemu pomiarowego do diagnozowania wysokorezystywnych materiałów półprzewodnikowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej. Zadaniem tego systemu będzie tworzenie obrazu struktury defektowej obejmującego informację o parametrach i koncentracjach zaobserwowanych centrów defektowych. Abstract. An intelligent measurement system for diagnosing of semi-insulating materials by photoinduced transient spectroscopy has been presented. The system utilises two-dimensional analysis of the photocurrent transients digitally recorded in a broad range of temperatures for determination of defect centers parameters and a simulation procedure for calculation their concentration. The system is shown to be a powerful tool for studies of defect structure[...] więcej»
w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2009/11


 

» Baza wiedzy w inteligentnym systemie pomiarowym do badania centrów defektowych w półprzewodnikowych materiałach półizolujących

Marek SUPRONIUK  Paweł KAMIŃSKI  Michał PAWŁOWSKI  Roman KOZŁOWSKI  Marek PAWŁOWSKI  
Przedstawiono inteligentny system pomiarowy do charakteryzacji centrów defektowych w półprzewodnikowych materiałach półizolujących metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej. Parametry centrów defektowych wyznaczono na podstawie dwuwymiarowej analizy niestacjonarnych przebiegów fotoprądu opartej na odwrotnej transformacie Laplace’a i metodach inteligencji obliczeniowej. W celu określenia przypuszczalnej konfiguracji atomowej wykrytych centrów wyznaczone parametry porównano z danymi zawartymi w bazie wiedzy systemu, gdzie gromadzone są w sposób zorganizowany informacje o zaobserwowanych defektach wprowadzone na podstawie danych z pomiarów własnych i opublikowanych w dostępnej literaturze. Abstract. An intelligent measurement system for the characterisation of defect centres in semi-insulating materials is presented. The basic advantage of the system relies on the application of two dimensional analysis of the photocurrent decays and computational intelligence to extract the parameters of defect centres from the two-dimensional spectra in the domain of temperature and emission rate. The spectral analysis is carried out the procedure based on the inverse Laplace transformation algorithm. For identification of each defect centre, the obtained parameters are compared with the data in the knowledge base, where the defect properties reported in the available publications are stored and catalogued. (An intelligent measurement system for the characterisation of defect centres in semi-insulating materials) Słowa kluczowe: inteligentny system pomiarowy, baza wiedzy, niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa, centra defektowe, materiały półizolujące. Keywords: intelligent measurement system, knowledge base, PITS, defect center, semi - insulating materials. Wstęp - inteligentne systemy elektryczne Inteligentne systemy elektryczne, o różnym stopniu komplikacji i zaawansowania technicznego, tworzone są obecnie w wielu dziedzinach nauki i tec[...] więcej»
w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010/12


 

 Strona 1 
r e k l a m a
FAIL (the browser should render some flash content, not this).