WŁODZIMIERZ NAKWASKI- zobacz i pobierz wszystkie publikacje autora WŁODZIMIERZ NAKWASKI w naszych czasopismach

Wyniki 1-5 spośród 5 dla zapytania: authorDesc:"WŁODZIMIERZ NAKWASKI"

» Comparative analysis of methods used to suppress higher-order transverse modes in vertical-cavity surface-emitting diode lasers

Output beam of vertical-cavity surface-emitting diode lasers (VCSELs) is low-divergent, circularly symmetric and without astigmatism. VCSEL radiation inherently contains only a single longitudinal mode, its manufacturing makes possible permanent monitoring of layer compositions and thicknesses and producing of two-dimensional arrays. Because of all these features, VCSELs are used in many important applications. But in many of them, e.g. high-speed data transmission in optical networks, optical interconnects, free-space communication, optical storage, laser printing, equally important is also their single fundamental transverse mode (SFM) operation, which usually is limited to devices with small active regions emitting relatively low output power [1]. Currently possible wider VCSEL application is hampered by limited control of an excitation of higher-order transverse modes. Excitation of higher-order transverse modes A particular transverse LPij cavity mode [2, 3] is excited in a laser cavity when its modal gain Gij becomes equal to its threshold value Gij th (reached when the operation current J becomes equal to its threshold Jth,ij value) equal to its modal losses Aij: (1) For a given operation current J and for each LPij transverse mode, its modal gain (losses) may be defined as average optical gain (losses) within a laser cavity weighted by the mode intensity distribution: (2) (3) where Iij (r,z,ϕ) is the radial, longitudinal and azimuthal distribution of the LPij radiation mode intensity within a laser cavity, g(r,z,ϕ) and α(r,z,ϕ) are analogous distributions of an optical gain and optical losses, respectively, L is the cavity length and R is the structure radius. Optical gain has non-zero values within the active region only, therefore only for z values corresponding to localizations of successive active-region quan- ( ) ( ) th ij ij th ij th ij G J J A J J , , = = = ( ) ( ) ( ) [...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Mody laserów złączowych z poprzecznym rezonatorem (typu VCSEL)

WŁODZIMIERZ NAKWASKI

ROBERT P. SARZAŁA

MACIEJ KUC

Prawie we wszystkich zastosowaniach laserów złączowych z poprzecznym rezonatorem typu VCSEL (Vertical-Cavity Surface-Emitting Diode Laser), niezbędna jest jego stabilna praca na pojedynczym modzie podstawowym LP01. Dzieje się tak wówczas, gdy laser wykazuje dobrą selektywność modową, tj. progi akcji laserowej wszystkich innych modów są znacząco wyższe od analogicznego progu modu podstawowego. Jednakże okazuje się, że warunek ten jest spełniony tylko w przypadku małych średnic laserowego obszaru czynnego, tj. stosunkowo niskich mocy emitowanej przez laser wiązki promieniowania. W niniejszej pracy zajmiemy się analizą przyczyn takiego stanu. Model Do opisu działania lasera VCSEL zastosowaliśmy nasz dokładny model [1], przygotowany zgodnie z zasadami sformułowanymi w [2], a skł[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/1

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Właściwości cieplne wybranych konstrukcji laserów kaskadowych

MICHAŁ WASIAK

ROBERT P. SARZAŁA

WŁODZIMIERZ NAKWASKI

Lasery kaskadowe są ważnymi (a w często jedynymi) półprzewodnikowymi źródłami promieniowania z zakresu średniej i dalekiej podczerwieni. Ich zasada działania, zasadniczo odmienna niż w przypadku laserów złączowych, pozwala projektować, w dość dużym stopniu niezależnie od użytych materiałów, struktury przystosowane do emisji bardzo różnych długości fal. Obszar czynny laserów kaskadowych musi być silne spolaryzowany, co powoduje, że moce wydzielającego się ciepła są duże. Z tego powodu optymalizacja struktury pod kątem odprowadzania ciepła jest jednym z kluczowych zagadnień, zwłaszcza jeśli celem jest uzyskanie ciągłej akcji laserowej. Struktura kwantowa obszaru czynnego Obszar czynny lasera kaskadowego składa się z kilkudziesięciokrotnie powtórzonych segmentów zbudowanych ze st[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/1

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Próba zniwelowania wpływu naprężeń mechanicznych na działanie azotkowych diod elektroluminescencyjnych

SEWERYN MORAWIEC

ROBERT P. SARZAŁA

WŁODZIMIERZ NAKWASKI

Azotek galu (GaN) umożliwił wytwarzanie półprzewodnikowych emiterów promieniowania, tj. diod elektroluminescencyjnych i laserów złączowych, emitujących w temperaturze pokojowej wydajne promieniowanie niebieskie, fioletowe, a nawet z zakresu bliskiego nadfioletu. Wypełnił on istotną lukę w ofercie tych przyrządów umożliwiając skompletowanie pełnej gamy barw emitowanych przez te przyrządy, a dodatkowo pozwolił produkować źródła światła białego. Jednakże poważną wadą tego materiału są jego silne własności piezoelektryczne, tj. indukowanie w jego obszarze silnych pól elektrycznych pod wpływem naprężeń mechanicznych. W wielowarstwowych strukturach nowoczesnych przyrządów półprzewodnikowych naprężenia machaniczne są nie do uniknięcia, co pociaga za sobą określone zmiany ich działania. Niniejsza praca jest poświęcona próbie zaproponowania takich zmian strukturalnych przyrządów azotkowych, dzięki którym będzie można znacznie zredukować szkodliwy wpływ zjawisk piezoelektrycznych. Kwantowy efekt starka Różnice w stałych sieci kolejnych warstw wielowarstwowych struktur nowoczesnych przyrządów azotkowych powodują powstanie naprężeń mechanicznych. W wyniku własności piezoelektrycznych materiałów azotkowych, efektem tych naprężeń staje się nieciągłość polaryzacji na granicach warstw, a w konsekwencji - powstanie w tych miejscach zlokalizowanych ładunków indukujących wewnętrzne pole elektryczne. Szczególnie w przypadku studni kwantowych (rys. 1), efektem polaryzacyjnego działania zjawisk piezoelektry[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/9

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Model diody elektroluminescencyjnej z ZnO

PIOTR KOWALCZEWSKI

ZnO jest nowym materiałem o cechach umożliwiających wytwarzanie wydajnych diod elektroluminescencyjnych (diod LED). Jego cechy szczególne są następujące: - heksagonalna, gęsto upakowana struktura wurcytu, - anizotropowość parametrów mechanicznych, cieplnych, elektrycznych i optycznych, - silne efekty pyro- i piezoelektryczne, tj. pojawianie się różnic potencjału pod wpływem odpowiednio zmian temperatury i naprężeń mechanicznych, - niska ruchliwość dziur, - kłopoty ze znalezieniem odpowiedniej domieszki akceptorowej. Pierwsze diody ZnO były wykonywane na podłożach GaAs, Si i Al2O3, jednakże największe nadzieje należy wiązać z możliwością użycia naturalnych podłoży ZnO [1]. Wszystkie znane diody ZnO emitowały promieniowanie o długości fali z zakresu 370…380 nm (odpowiadające mniej więcej energii przerwy energetycznej ZnO) oraz szerokie pasmo w przedziale 450…600 nm, związane najprawdopodobniej z defektami struktury. Obecnie ZnO wydaje się być najpoważniejszym konkurentem GaN w produkcji diod LED emitujących promieniowanie ultrafioletowe. Składa się na to szereg przyczyn, z których kluczowymi dla produkcji tych diod są: - wysoka energia wiązania ekscytonów (~ 60 meV [2]) prawie 2,5 razy większa niż w GaN i około 15 razy większa niż w GaAs, umożliwiająca ich wydajną rekombinację (prawdopodobieństwo rekombinacji ekscytonowej [3] jest znacznie wyższe od prawdopodobieństwa rekombinacji elektron-dziura) nawet w temperaturach znacznie wyższych od pokojowej, gdyż temperaturze pokojowej 300 K odpowiada energia wzbudzeń termicznych kBT ≈ 26 meV, - prosta szeroka prz[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/9

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a