Największa baza artykułów technicznych online - aktualnie 66233 publikacje.
Zaawansowane »          English [ENGLISH]
  • Aktualności
  • Prenumerata papierowa
  • Baza publikacji
  • Dostęp czasowy
  • KatalogFirm
  • O Wydawnictwie
profil Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk
  Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

zegar

To proste!

zobacz szczegóły
r e k l a m a
FAIL (the browser should render some flash content, not this).

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

baza zobacz szczegóły

Wyniki wyszukiwania

Wyniki 1-5 spośród 5 dla zapytania: authorDesc:"Paweł ZHUKOWSKI"

» Badania temperaturowe energii aktywacji defektów radiacyjnych w silnie zdefektowanym krzemie
Paweł WĘGIEREK  Paweł ZHUKOWSKI  Piotr BILLEWICZ  
W artykule zaprezentowano rezultaty badań silnie zdefektowanego krzemu i omówiono występujące w nim mechanizmy zmiennoprądowego przewodnictwa. Uzyskane rezultaty potwierdzają występowanie dwóch mechanizmów przewodzenia w silnie zdefektowanych półprzewodnikach, tj. pasmowego, charakterystycznego dla małych częstotliwości i skokowego, odpowiadającego wyższym częstotliwościom. Abstract. The article presents results of testing electrical properties of ion-implanted silicon and discusses mechanisms of alternating-current electrical conduction that occurs in it. The obtained results have confirmed the occurrence of two conduction mechanisms in strongly defected semiconductors i.e. the band one that is characteristic for low frequency values and the jump one that corresponds to higher frequencies. (Temperature testing of radiation defect activation energy in strongly defected silicon). Słowa kluczowe: defekty radiacyjne, energia aktywacji, przewodność skokowa, krzem, implantacja jonowa. Keywords: radiation defects, activation energy, hopping conductivity, silicon, ion-implantation. Wstęp Badaniom poddano krzem domieszkowany borem, o  = 0,07 ·cm, implantowany jonami Ne++ o energii E=100 keV i dawce D=2,2·10-14 cm-2. Próbki wygrzewano izochronicznie przez 15-min. w temperaturach od 323 K do 873 K ze średnim skokiem 50 K. Pomiary parametrów elektrycznych (Cp, ) wykonywano w zakre[...] więcej»
 w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010/7


 

» An effect of annealing on electric properties of nanocomposites (CoFeZr)x(Al2O3)1-x produced by magnetron sputtering in the atmosphere of argon and oxygen beyond the percolation threshold
Paweł ZHUKOWSKI  Tomasz N. KOŁTUNOWICZ  Julia A. FEDOTOVA  Andrey V. LARKIN  
The paper presents results of real part AC conductivity dependences on alternating current frequency, measuring temperature and annealing temperature in (CoFeZr)x(Al2O3)1-x nanocomposite sample beyond the percolation threshold deposited in argon and oxygen mixed gas ambient. It has been found that at the annealing temperature of 698 K and higher the additional oxidation of metallic “core/shell"-like nanoparticles occurs resulting in transition from conductivity with σ(f)=const to hopping regime with σ(f)~f α. Using the developed electron hopping model we have extracted the mean electron hopping length r1 = 2.6 nm from experimental results for annealed nanocomposite sample. Streszczenie: W artykule zaprezentowano wyniki badań zależności konduktywności próbki nanokompozytu (CoFeZr)x(Al2O3)1-x wytworzonej w otoczeniu mieszaniny argonu i tlenu od częstotliwości prądu zmiennego, temperatury pomiarowej i temperatury wygrzewania poza progiem perkolacji. Stwierdzono, że przy temperaturach wygrzewania 698 K i wyższych zachodzi dodatkowe utlenianie powierzchni nanocząsteczek fazy metalicznej jako efekt przejścia od przewodności z σ(f)=const do przewodości skokowej z σ(f)~f α. Przy użyciu opracowanego modelu przeskoków elektronów uzyskano średnią długość przeskoku elektronu r1 = 2.6 nm na podstawie wyników doświadczalnych dla wygrzanej próbki nanokompozytu. (Wpływ wygrzewania na właściwości elektryczne nanokompozytów (CoFeZr)x(Al2O3)1-x poza progiem perkolacji wytwarzanych rozpylaniem magnetronowym w atmosferze argonu i tlenu). Keywords: nanocomposites, percolation threshold, hopping conductivity, annealing. Słowa kluczowe: nanokompozyty, próg perkolacji, przewodność skokowa, wygrzewanie. 1. Introduction (CoFeZr)x(Al2O3)1-x nanocomposite films deposited by magnetron sputtering in argon gas ambient have revealed hopping mechanism of electron transport below and beyond the percolation threshold xC ≈ 42 - 45 at[...] więcej»
 w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010/7


 

» Conductivity of Cd1-xFexTe semiconductors at alternating current and temperatures lower than the room temperature
Paweł ZHUKOWSKI  Tomasz N. KOŁTUNOWICZ  Paweł WĘGIEREK  Janusz PARTYKA  Julia SIDORENKO  
W pracy przedstawiono rezultaty pomiarów przewodności przy prądzie przemiennym związków półprzewodnikowych Cd1-xFexTe (0.01  х  0.05) w zakresie częstotliwości (50 Hz f  1 МHz) i w obszarze temperatur poniżej temperatury pokojowej. Zaobserwowano S - kształtne częstotliwościowe zależności w zakresie koncentracji х  0.03. Wraz ze wzrostem temperatury odcinek wzrostu  przesuwa się w obszar wyższych częstotliwości. Zaproponowano model, opisujący eksperymentalne zależności, uwzględniający czas "osiadania" elektronu po przeskoku ze stanu podstawowego domieszki i prawdopodobieństwo jego powrotu do studni potencjału, z której on wykonał skok. (Konduktywność przy prądzie przemiennym półmagnetycznych półprzewodników Cd1-xFexTe przy temperaturach niższych od temperatury pokojowej). Abstract. The paper presents results of conductivity measurements performed at alternating current for semiconducting compounds Cd1-xFexTe (0.01  х  0.05) within the frequency range of (50 Hz f  1 МHz) and in the temperature area of below the room temperature. S-shaped frequency dependences have been observed within the concentration range of х  0.03. Along with the temperature growth the segment of  increase gets shifted to the area of higher frequencies. A model that describes experimental dependences has been proposed and it takes into account the time of electron “settlement" after its hop from the impurity ground state as well as the probability of its return to the potential well wherefrom it has hopped. Słowa kluczowe: przewodność skokowa, związki półrzewodnikowe, półmagnetyczne półprzewodniki, defekty. Keywords: hopping conductivity, semiconducting compounds, semi-magnetic semiconductors, defects. 1. Introduction In our earlier works concerning semi-magnetic properties of semiconducting compounds Cd1-xFexTe depth of iron levels in[...] więcej»
 w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010/7


 

» Magnetic properties of nanocomposites (CoFeZr)x(Al2O3)1-x
Paweł ZHUKOWSKI  Julia SIDORENKO  Tomasz N. KOŁTUNOWICZ  Julia A. FEDOTOVA  Andrey V. LARKIN  
The results of the ESR study of nanocomposite films, prepared by sputtering of complex Со0.45Fе0.45Zr0.1 alloy + Аl2О3 target by Ar ions, are presented. Strong angular dependences of maximum Нmax and minimum Нmin positions in ESR lines and also g-factor were revealed. ESR measurements allowed to determine magnetization values in the (CoFeZr)x(Al2O3)1-x samples with metallic phase concentration x from 31 at.% to 47 at.%. It was ascertained that growth of metallic phase particles in the film bulk occurs due to diffusion of metallic atoms, defragmented in dielectric matrix during the sputtering procedure, under isochronous (15 min over 25°С) annealing of the samples at 400oC. Streszczenie. W artykule omówiono wyniki badań metodą elektronowego rezonansu paramagnetycznego nanokompozytów (CoFeZr)x(Al2O3)1-x wytworzonych rozpylaniem magnetronowym tarcz ze stopu Со0,45Fе0,45Zr0,1 i dielektryka Аl2О3 jonami Аr+. Zaobserwowano zależności kątowe położenia maksimum linii Нmax, minimum linii Нmin, szerokości linii ΔН i wartości czynnika g. Określono wartości namagnesowania dla próbek z koncentracjami fazy metalicznej x od 31% do 47%. Ustalono, że podczas wygrzewania próbek w temperaturach do 400°С zachodzi dyfuzja atomów metali z fazy dielektrycznej i wzrost objętości fazy metalicznej. (Właściwości magnetyczne nanokompozytów (CoFeZr)x(Al2O3)1-x). Keywords: eclectron spin resonance ESR, magnetization, nanocomposites, g-factor. Słowa kluczowe: elektronowy rezonans paramagnetyczny, magnetyzacja, nanokompozyty, czynnik g. Introduction The synthesis and study of granular nanocomposites is of a great interest for the material science. Particular regard is devoted to the nanocomposites in which granules of soft ferromagnetic alloys with sizes about some nanometres are randomly distributed in dielectric matrix. Such systems are mainly due to wide p[...] więcej»
 w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010/7


 

» Super-hard covering formation on metals by ion-beam assisted deposition: modeling
Fadei F. KOMAROV  Aleksander F. KOMAROV  Andrey M. MIRONOV  Paweł ZHUKOWSKI  Czesław KARWAT  Kokstantin N. ARYUTKIN  
Theoretical model of the process of the ion-assisted deposition of titanium layers on the metal substrate is developed. The model allows us to make a choice of the optimal ion beam energy, the ion current density, and the rate of layer deposition in order to improve the tribological and mechanical properties of the system film/metal. Results of the modeling are compared with experimental data. Streszczenie. W pracy przedstawiono model teoretyczny procesu dynamicznego mieszania jonowego warstw tytanu na podłoża metaliczne. Model umożliwia określenie optymalnych wartości energii jonów, gęstości prądu jonowego i szybkości osadzania warstwy w celu poprawy właściwości trybologicznych i mechanicznych układu warstwa-podłoże. Wyniki symulacji porównano z danymi doświadczalnymi. (Model teoretyczny procesu dynamicznego mieszania jonowego warstw tytanu na podłoża metaliczne) Keywords: ion-beam assisted deposition, super-hard layers, TiNx. Słowa kluczowe: dynamiczne mieszanie jonowe, warstwy utwardzone, TiNx. Introduction The method of ion-plasma deposition with a simultaneous ion implantation is one of the promising methods for the formation of wear-resistant thin-film coatings [1]. The results of recent experiments demonstrate that the structure, tribological and mechanical properties of films formed during ion deposition depend upon the characteristics of the accompanying ion irradiation (the ion beam density, its energy, the accumulated fluence). For stoichiometric fluences the formation of impurity distribution profiles is determined not only by the kinetics of atomic collisions but also by the processes connected with the accumulation of impurity in the target, sputtering of the target surface, impurity diffusion, atomic mixing, formation of new phases in the course of implantation, and irradiation-induced swelling. The problems connected with the synthesis of nitride phases like TiNx are timely. In particular, in this work we present a[...] więcej»
 w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010/7


 

 Strona 1 
r e k l a m a
FAIL (the browser should render some flash content, not this).

Nasze czasopisma

kofeina biogaz pasteryzacja przemysł chemiczny tworzywa sztuczne chromatografia kontakt tłuszcz znakowanie bezpieczeństwo żywności Kociołek-Balawejder antocyjany przeciwutleniacze herbata soki owocowe gmo tłuszcze błonnik ciecze jonowe mleko suplementy diety osady ściekowe przegląd elektrotechniczny bhp barwniki mikrokapsułkowanie wino ocena ryzyka aluminium hydrokoloidy Aura Opakowanie opakowania karotenoidy 7 korozja Gospodarka wodna pompy ciepła cement pompa ciepła owies informacje dla autorów konserwanty ekstrakcja led mąka kolektory słoneczne six sigma problemy jakości czekolada żywność funkcjonalna nanotechnologia soja BRC kosmetyki skrobia jęczmień audit polifenole szkło pszenica jakość żywności jogurt jakość ocena ryzyka zawodowego haccp polimery kanalizacja inżynieria materiałowa praca materiały budowlane Gluten przegląd mleczarski kawa hutnik przemysł spożywczy orkisz tytan skrobia modyfikowana rfid 6 liofilizacja żywność enzymy mięso kompozyty biopaliwa chłodnictwo opakowania inteligentne probiotyki przegląd papierniczy miód magnez opakowania aktywne olej olej rzepakowy metale ciężkie napoje energetyzujące nanomateriały piwo biomasa makaron chleb elektronika dodatki do żywności logistyka gryka pestycydy ryzyko zawodowe fermentacja pieczywo żyto miedź prebiotyki aronia inulina servqual wentylacja recykling iso atest odpady drób napoje funkcjonalne transport biofilm mrożonki FMEA kwasy tłuszczowe jakość usług analiza sensoryczna iso 9001 ekstruzja biodiesel kukurydza cukier suszenie innowacje woda pszenżyto owoce IFS żywność wygodna witamina c kaizen piroliza wołowina masło utrwalanie żywności lody sól drożdże audyt prenumerator ścieki surfaktanty błonnik pokarmowy koszty jakości soki ryż żywność ekologiczna oczyszczanie ścieków tqm witaminy ochrona przed korozją OŁÓW zarządzanie jakością opakowania szklane zioła dioksyny zeolity napoje kakao sieci neuronowe transglutaminaza wzbogacanie żywności aromaty substancje dodatkowe przyprawy reologia celuloza ryby tekstura akryloamid sok mleczarstwo bioetanol iso 22000 Manufacturing Process Automation białka serwatkowe czosnek gospodarka mięsna owoce jagodowe produkcja piwa mikotoksyny akrylamid polichlorowane bifenyle antyoksydanty PET kasza

Budownictwo i Geodezja

Elektronika, Energetyka, Elektrotechnika

Hutnictwo, Górnictwo

Przemysł lekki

Przemysł spożywczy i gastronomia

Inne gałęzie przemysłu

Tematyka ogólnotechniczna

Czasopisma wielobranżowe
platnosci
O Wydawnictwiestr Prenumeratastr Reklamastr Drukarniastr Kolportażstr Regulamin Usługstr Englishstr
© 2006-2012 Wydawnictwo SIGMA-NOT Sp. z o.o. Wszelkie prawa zastrzeżone
projekt, wykonanie, obsługa: Pragma Software
b