profil Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk
  Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

zegar

To proste!

zobacz szczegóły
r e k l a m a
FAIL (the browser should render some flash content, not this).

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

baza zobacz szczegóły

Wyniki wyszukiwania

Wyniki 1-6 spośród 6 dla zapytania: authorDesc:"Janusz PARTYKA"

» V Międzynarodowa Konferencja NEET 2007

Janusz Partyka  
W dniach 12-15 czerwca 2007 r. w Ośrodku Konferencyjno - Wypoczynkowym ANTAŁÓWKA w Zakopanem odbyła się V Międzynarodowa Konferencja pt.: "New Electrical and Electronic Technologies and their Industrial Implementation". Organizatorem Konferencji była Katedra Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć Politechniki Lubelskiej przy współudziale Uniwersytetu Białoruskiego w Mińsku, Poli[...] więcej»
w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2008/3


 

» Badania możliwości wykorzystania siły termoelektrycznej generowanej w cienkich warstwach półprzewodnikowych tlenków metali do wytwarzania czujników gazów. (Publikacja w języku Rosyjskim)

Valerij Luhin  Ivan Zharskij  Pavel Zhukovski  Janusz Partyka  
Zbadano możliwości wykorzystania siły termoelektrycznej generowanej w cienkich warstwach półprzewodnikowych tlenków metali do wytwarzania czujników gazów. Zasada detekcji oparta na zależności termo SEM przy stałym gradiencie temperatury od jakościowego i ilościowego składu gazu. (Badania możliwości wykorzystania siły termoelektrycznej generowanej w cienkich warstwach półprzewodnikowych tlenków [...] więcej»
w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2008/3


 

» Wpływ wygrzewania na właściwości elektryczne nanokompozytów (CoFeZr)x + (Al2O3)1-x

Paweł ŻUKOWSKI  Tomasz KOŁTUNOWICZ  Janusz PARTYKA  Paweł WĘGIEREK  Julia A. FEDOTOVA  Alexander K. FEDOTOV  Andrej V. LARKIN  
W pracy zbadano wpływ wygrzewania termicznego na przewodność skokową nanokompozytu (CoFeZr)x + (Al2O3)1-x. Pomiary wykonano na prądzie przemiennym z zakresu częstotliwości od 50 Hz do 1 MHz dla 60-ciu wybranych temperatur pomiarowych z przedziału od 77 K do 303 K. Abstract. The paper presents the results of measurement of the influence of the thermal’s annealed on the hopping conductivity[...] więcej»
w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2008/3


 

» Conductivity of Cd1-xFexTe semiconductors at alternating current and temperatures lower than the room temperature

Paweł ZHUKOWSKI  Tomasz N. KOŁTUNOWICZ  Paweł WĘGIEREK  Janusz PARTYKA  Julia SIDORENKO  
W pracy przedstawiono rezultaty pomiarów przewodności przy prądzie przemiennym związków półprzewodnikowych Cd1-xFexTe (0.01  х  0.05) w zakresie częstotliwości (50 Hz f  1 МHz) i w obszarze temperatur poniżej temperatury pokojowej. Zaobserwowano S - kształtne częstotliwościowe zależności w zakresie koncentracji х  0.03. Wraz ze wzrostem temperatury odcinek wzrostu  przesuwa się w obszar wyższych częstotliwości. Zaproponowano model, opisujący eksperymentalne zależności, uwzględniający czas "osiadania" elektronu po przeskoku ze stanu podstawowego domieszki i prawdopodobieństwo jego powrotu do studni potencjału, z której on wykonał skok. (Konduktywność przy prądzie przemiennym półmagnetycznych półprzewodników Cd1-xFexTe przy temperaturach niższych od temperatury pokojowej). Abstract. The paper presents results of conductivity measurements performed at alternating current for semiconducting compounds Cd1-xFexTe (0.01  х  0.05) within the frequency range of (50 Hz f  1 МHz) and in the temperature area of below the room temperature. S-shaped frequency dependences have been observed within the concentration range of х  0.03. Along with the temperature growth the segment of  increase gets shifted to the area of higher frequencies. A model that describes experimental dependences has been proposed and it takes into account the time of electron “settlement" after its hop from the impurity ground state as well as the probability of its return to the potential well wherefrom it has hopped. Słowa kluczowe: przewodność skokowa, związki półrzewodnikowe, półmagnetyczne półprzewodniki, defekty. Keywords: hopping conductivity, semiconducting compounds, semi-magnetic semiconductors, defects. 1. Introduction In our earlier works concerning semi-magnetic properties of semiconducting compounds Cd1-xFexTe depth of iron levels in[...] więcej»
w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010/7


 

» Dielectric materials with complex perovskite structure for radio-communication systems

Ludmila A. BLIZNYUK  Aleksander P. GES  AAleksy A. KLIMZA  Vera V. FEDOTOVA  Janusz PARTYKA  
Ceramic materials on the base of system Ba0,4Sr0,6(R0,5Nb0,5)O3, where R are rare-earth ions of yttrium group (Ho, Er, Tm, Yb and Lu), developed and investigated. The prepared dielectric materials with complex perovskite structure containing two different type of ions in А and В positions have a wide spectrum of relative dielectric constant values, low dielectric losses, high thermal stability in temperature range -20…+200°С. Using of the mechano-chemical activation method for preparation of the powdered ceramics has allowed to lower annealing temperature upon 200 - 300°С and to prepare the high density samples with porosity not higher than 5%. Streszczenie. Zbadano ceramiczne materiały na bazie struktur Ba0,4Sr0,6(R0,5Nb0,5)O3, gdzie R sąjonami pierwiastków ziem rzadkich grupy itru (Ho, Er, Tm, Yb i Lu). Rozpatrywane dielektryczne materiały z kompleksem ze strukturą perowskit zawierające dwa różne typy jonów w A i B położeniach mają szerokie spektrum znaczeń względnej stałej dielektrycznej, niskie straty dielektryczne, wysoką termiczną stabilność w zakresie temperatur - 20…+200°С. Użycie mechaniczno-chemicznej metody aktywacji dla przygotowania sproszkowanej ceramiki pozwala obniżyć temperaturę wygrzewania o 200 - 300°С i przygotować próbki wysokiej gęstości z porowatością nie większą niż 5%. (Dielektryczne materiały z kompleksem ze strukturą perowskit dla systemów łączności radiowej). Keywords: microwave, dielectric material, complex perovskite ceramics, mechano-chemical activation. Słowa kluczowe: mikrofale, materiał dielektryczny, ceramiczny kompleks perowskit, mechaniczno-chemiczna aktywacja. Introduction Serious attention of scientists studying dielectric [1 - 5] and metal-dielectric [6 - 9] composite materials for microwave application is attracted at present to complex perovskites described by formula А(B 1/3B 2/3)O3 и А(B 1/2Bɨ[...] więcej»
w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010/7


 

» Model przewodności skokowej i jego weryfikacja dla nanostruktur wytwarzanych technikami jonowymi

Paweł ŻUKOWSKI  Tomasz KOŁTUNOWICZ  Janusz PARTYKA  Paweł WĘGIEREK  Mariusz KOLASIK  Andrej V. LARKIN  Julia A. FEDOTOVA  Alexander K. FEDOTOV  Fadei F. KOMAROV  Ludmila A. VLASUKOVA  
W pracy przedstawiono model przewodności skokowego przenoszenia ładunków, zlokalizowanych w studniach potencjału, w przypadku przemiennego pola elektrycznego. Abstract: The paper presents a conductivity model of a hopping transfer of charges located in potential wells in the case of an alternating current field. (A model of hopping recharging and its verification for nanostructures formed by th[...] więcej»
w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2008/3


 

 Strona 1 
r e k l a m a
FAIL (the browser should render some flash content, not this).