Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk

Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

To proste!

zobacz szczegóły

r e k l a m a

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

zobacz szczegóły

Wyniki wyszukiwania

Wyniki 1-2 spośród 2 dla zapytania: authorDesc:"Alexander FEDOTOV"

» Investigation of crystalline structure defects in high-resistance monocrystals of gallium selenide

Kerim ALLAKHVERDIEV

The trapping centres in є-GaSe single crystals have been investigated by photo-induced current transient spectroscopy (PICTS). Five traps have been detected and their parameters are presented. It has been demonstrated that photo-induced depolarization oh the sample after processing in the frame of DLTS procedure could be used for determination of the traps parameters. The parameters of trap A5 obtained from PICTS and photo-induced depolarization relaxation are in close agreement. Streszczenie. Badano centra pułapkowe w pojedynczych kryształach є-GaSe metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej (PICTS). Wykryto pięć pułapek, których parametry zaprezentowano. Wykazano, że foto-indukowana depolaryzacja próbki po zastosowaniu spektroskopii niestacjonarnej pojemności (DLTS) może być użyta do określenia parametrów pułapek, Parametry pułapki A5 otrzymane przy pomocy PICTS oraz DLTS wykazują wysoki stopień zgodności. (Badanie defektów struktury krystalicznej w monokryształach selenku galu o wysokiej rezystywności). Keywords: GaSe, layered crystals, PICTS, traps, photo-induced depolarization. Słowa kluczowe: GaSe, kryształy warstwowe, PICTS, pułapki, foto-indukowana depolaryzacja. Introduction Possessing pronounced anisotropy of their physical properties the layered crystals of GaSe are very promising for many practical applications in nonlinear optics, photoelectronics, photovoltaics, etc. Electrically active defects in the low-resistance є-GaSe have been sufficiently explored [1-4], while the high-resistive crystals required in many cases for a practice have not been adequately examined. In this study the findings of an investigation of the electrically active defects in high-resistance GaSe single crystals realized by photo-induced current transient spectroscopy (PICTS) and photo-induced depolarization are presented. Experimental The є-GaSe crystals with small γ-polytype fraction were grown from the me[...] więcej»
w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010/7

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Comparative analysis of the influence of low-energy hydrogen and helium ion-beam treatments on the structural and electrical properties of CzSi wafers

Olga ZINCHUK

Standard commercial 4.5 - 40 Ωcm both n- and p-type CzSi wafers were subjected to hydrogen or helium ion-beam treatments at 25- 350°C. The ion energy was equal to 300 eV, current density - 0.15 mA/cm2, treatment duration - 30 min. According to the conducted experiments, the hydrogen and helium ion beam treatments had similar influence on the sheet resistance, thermo EMF sign and photovoltage spectra of Cz Si wafers. In case of the p-type wafers, in particular, a growth of the sheet resistance and a change of the thermo EMF sign on the ion treated surface as well as the appearance of a photovoltage signal over a wide spectral range were observed, pointing to the occurrence of the near-surface band bending. As found from our experiments, both hydrogen and helium ion beam treatments lead to the formation of a thin (several nanometers) oxygen-containing insulating layer on the treated surface. However, a thickness of this layer and the oxygen in-depth distribution strongly depend on the regime of ion-beam treatment and type of the ions used, namely in the case of H+ ion-beam treatment the oxygen-containing layer is much thicker compared to that with the use of He+. Streszczenie. Standardowe płytki CzSi 4,5 - 40 Ωcm typu n oraz p zostały poddane działaniu wiązek jonowych wodoru i helu o energii 200eV, w zakresie temperatur 25-350°C. Gęstość prądu wynosiła 0,15mV/cm2, a czas trwania obróbki - 30 min. Na podstawie przeprowadzonych eksperymentów stwierdzono, że jonowe wiązki helu i wodoru mają podobny wpływ na rezystancję warstwy, zwrot sił termoelektromotorycznych oraz widma fotonapięcia w płytkach CzSi. Szczególnie a przypadku płytek typu p zaobserwowano wzrost rezystancji warstw i zmianę znaku sił termoelektromotorycznych w obrabianej jonowo powierzchni jak również pojawienie się sygnału fotonapięcia w szerokim zakresie widmowym, co wskazuje na pojawienie się okołopowierzchniowego ugięcia pasma. Przeprowadzone eksperyment[...] więcej»
w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010/7

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a