KRZYSZTOF LIPIEC- zobacz i pobierz wszystkie publikacje autora KRZYSZTOF LIPIEC w naszych czasopismach

Wyniki 1-4 spośród 4 dla zapytania: authorDesc:"KRZYSZTOF LIPIEC"

» Wpływ wielokrotnego stosowania roztworu do immersyjnego cynowania na przebieg procesu i lutowność osadzanych warstw cyny

ANETA ARAŹNA

Immersyjne warstwy cyny do zastosowań w elektronice osadzane są najczęściej z roztworów kwaśnych tiomocznikowych. Tiomocznik jest bardzo dobrym czynnikiem kompleksującym, który utrzymuje stężenie jonów miedzi w roztworze na bardzo niskim poziomie (10-14 mol/l [1]), dzięki czemu zachodzi reakcja wymiany: Sn2+ + 2Cu + 8SC(NH2)2 → Sn0 + 2[Cu(SC(NH2)2)4]+ (1) Pierwsze funkcjonalne roztwory do cynowania miały prosty skład i zawierały tanie składniki: chlorek cyny(II), jako źródło jonów cyny(II), tiomocznik pełniący rolę czynnika kompleksujacego i kwas solny zapewniający silnie kwaśne środowisko i dodatkowo przeciwdziałający pasywacji miedzi. Ze względu na prostotę wykonania, dostępność składników i niską cenę, były one przez długi czas chętnie stosowane w produkcji płytek obwodów drukowanych. W ostatnich latach chlorkowe roztwory do cynowania miedzi coraz częściej są zastępowane roztworami opartymi na kwasie metanosulfonowym (MSA). Bardzo dużą zaletą tego typu roztworów jest ich wysoka stabilność podczas eksploatacji w warunkach atmosferycznych. Dodatkowo kwas MSA jest mało toksyczny i biodegradowalny. Jest on również nielotny, co istotnie zmniejsza korozyjne zagrożenie dla otoczenia i dalszego użytkowania płytek, jakie miało miejsce w przypadku zastosowania roztworów chlorkowych. Według danych literaturowych roztwory metanosulfonianowe są coraz szerzej wprowadzane w technologiach osadzania powłok cynowych [2 - 5]. Tanie roztwory chlorkowe mogą jednak nadal służyć do badań złożonych procesów immersyjnego cynowania. W warunkach technologicznych w tiomocznikowych roztworach do immersyjnego cynowania poza głównymi reakcjami redukcji cyny, utleniania miedzi i kompleksowania jej jonów zachodzi szereg innych reakcji ubocznych, które prowadzą do zmian w roztworze, a w konsekwencji do zahamowania reakcji cynowania i pogorszenia właściwości osadzanych warstw Sn. Większość roztworów do immersyjnego cynowania pracuje w nieodtlenion[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/7

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Montaż mieszany wielowyprowadzeniowych struktur półprzewodnikowych z kontaktami sferycznymi ukrytymi pod obudową

JANUSZ BORECKI

KRZYSZTOF LIPIEC

KONRAD FUTERA

ANETA ARAŹNA

Podstawowym elementem składowym każdego urządzenia elektronicznego jest płytka obwodu drukowanego PCB (ang. Printed Circuit Board), na której zamontowane są podzespoły elektroniczne. Montaż podzespołów najczęściej wykonywany jest metodą lutowania w technologii powierzchniowej SMT (ang. Surface Mount Technology), a formowane w tym procesie połączenia lutowane mają do spełnienia dwa główne zadania, jakimi są: przyłączenie wyprowadzeń podzespołu do sieci połączeń obwodu elektrycznego montowanego urządzenia, oraz mechaniczne zamocowanie podzespołu na powierzchni płytki obwodu drukowanego. Jakość tych połączeń zależy od wielu czynników, do których należy zaliczyć: parametry prowadzenia procesu montażu elektronicznego, rodzaj pasty lutowniczej, wielkość pól lutowniczych na płytce obwodu drukowanego oraz rodzaj lutownej powłoki ochronnej pokrywającej powierzchnię pól lutowniczych [1]. Nieustanne wymagania rynku na miniaturyzację urządzeń elektroniki użytkowej, takich jak kamery i aparaty cyfrowe, przenośne odtwarzacze multimedialne czy telefony komórkowe, od wielu lat narzucają kierunek rozwoju przemysłu elektronicznego. Wymusza to niejako stosowanie do budowy tych urządzeń zintegrowanych i coraz bardziej funkcjonalnych wielowyprowadzeniowych struktur półprzewodnikowych w obudowach typu BGA (ang. Ball Grid Array), czy CSP (ang. Chip Scale Package), a nawet nieobudowanych struktur typu Flip-chip [2]. Wspomniane urządzenia elektroniczne użytkowane są bardzo często w skrajnie zmiennych warunkach środowiskowych, w wyniku czego poddawane są istotnie różnym narażeniom. Bezawaryjna praca tych urządzeń silnie zależy od jakości montażu elektronicznego, a ściślej mówiąc od jakości połączeń lutowanych. Wiadomym jest, że połączenia lutowane wykonane w technologii ołowiowej charakteryzuElektronika 7/2011 99 ją się większą niezawodnością i wytrzymałością na narażenia mechaniczne w porównaniu do połączeń bezołowiowych [1]. Z tego względu wiele[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/7

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Wpływ procesów rozwijania powierzchni miedzi na wielkość zmian rezystancji rezystora cienkowarstwowego formowanego z folii NiP

KRZYSZTOF LIPIEC

ANETA ARAŹNA

JANUSZ BORECKI

KONRAD FUTERA

Przed procesem prasowania należy rozwinąć powierzchnię miedzi warstw wewnętrznych w celu zapewnienia dobrego przylegania naprasowanej warstwy preimpregnatu. Standardowo stosuje się tutaj następujące procesy: pumeksowanie, mikrotrawienie oraz wytwarzanie na powierzchni miedzi tlenków tego metalu w procesie chemicznym. W przypadku rezystorów cienkowarstwowych zastosowanie pumeksowania jest niedozwolone ze względu na możliwość uszkodzenia mechanicznego warstwy rezystywnej ziarnami stosowanego pumeksu w czasie tego procesu. Najczęściej stosowane są procesy wytwarzania brunatnych albo czarnych tlenków miedzi. Przed procesem nakładania tlenków powierzchnia płytki jest przygotowywana, aby wytworzona warstwa tlenków była równomierna na całej powierzchni i jednocześnie posiadała dużą przyczepność. W tym celu stosuje się szereg operacji technologicznych takich jak: odtłuszczanie, mikrotrawienie, dekapowanie. Wszystkie te procesy mogą wpływać na nieosłoniętą warstwę rezystywną powodując jej roztwarzanie, a tym samym wzrost rezystywności. Dlatego wymagana jest analiza wpływu poszczególnych procesów przygotowania powierzchni warstwy obwodu drukowanego na rezystywność warstwy NiP. W związku z stosowaniem w praktyce produkcyjnej wielu różnych procesów nakładania tlenków miedzi, dla kilku powszechnie stosowanych procesów wykonano badania wpływu poszczególnych operacji technologicznych na zmiany rezystancji warstwy rezystywnej [1]. Podczas całego procesu technologicznego nakładania tlenków prowadzono stałą kontrolę roztworów, ponieważ wszelkie zmiany w składzie roztworów, temperatu[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/7

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Kompozyty polimerowe z nanododatkami do zastosowań w elektronice drukowanej

KAMIL JANECZEK

GRAŻYNA KOZIOŁ

MAŁGORZATA JAKUBOWSKA

Elektronika drukowana należy do jednej z najbardziej dynamicznie rozwijających się technologii elektronicznych. Bazuje na nowych materiałach i wielkoseryjnych, nisko kosztowym procesie produkcji. To stwarza szerokie możliwości jej zastosowania m.in. w ogniwach fotowoltaicznych, pamięciach, bateriach oraz czujnikach [1]. Prowadzone są intensywne badania nad materiałami organicznymi i nieorganicznymi przeznaczonymi do zastosowania w elektronice drukowanej. Pierwsze z nich bazują na polimerach przewodzących, takich jak PEDOT:PSS [2, 3] lub polianilina (PANI) [4, 5], natomiast drugie najczęściej zawierają cząstki srebra [6] lub złota [7]. W badaniach nad pastami do zastosowania w elektronice drukowanej wykorzystuje się również nanocząstki metali oraz nanorurki (CNT) i nanowłókna (GPN) węglowe. CNT mogą być wykorzystane w wytwarzania materiałów o bardzo wysokiej odporności mechanicznej [8]. Ich wytrzymałość wynika z unikalnych właściwości warstw grafenowych, z których są zbudowane. Pojedyncza nanorurka węglowa charakteryzuje się modułem Younga w zakresie 0,64…1 TPa oraz wytrzymałością na rozciąganie 150…180 GPa. Poza tym, cechuje się gęstością 1,4-1,6 g/cm3 [9]. Wymienione materiały organiczne i nieorganiczne w postaci past są nanoszone na elastyczne i tanie podłoża (folia, papier) przy użyciu różnorodnych technik drukarskich. Wśród nich można wyróżnić: druk fleksograficzny, offsetowy, strumieniowy oraz sitodruk. Każdy z tych procesów charakteryzuje się określoną, na ogół wysoką rozdzielczością druku i dokładnością, które odgrywają znaczącą rolę, szczególnie, gdy jest wymagane precyzyjne odwzorowanie kształtu [10, 11]. W artykule opisano opracowane pasty zawierające nanoproszek srebra (nanoAg) lub polimer przewodzący PEDOT: PSS z nanowłóknami węglowymi (nanoC), które są przeznaczone do techniki sitodruku. Jako materiał podłożowy zastosowano folię poliimidową Kapton HN500 o grubości 125 μm. Po procesie nadruku [...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/7

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a