profil Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk
  Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

zegar

To proste!

zobacz szczegóły
r e k l a m a
FAIL (the browser should render some flash content, not this).

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

baza zobacz szczegóły

Wyniki wyszukiwania

Wyniki 1-1 spośród 1 dla zapytania: authorDesc:"MACIEJ DŁUŻNIEWSKI"

» Wpływ struktury warstwy diamentowej na emisję elektronów z układu powłoka diamentowa/krzem

ELŻBIETA STARYGA  KAZIMIERZ FABISIAK  MACIEJ DŁUŻNIEWSKI  ZBIGNIEW ZNAMIROWSKI  
Atrakcyjne właściwości fizykochemiczne warstw diamentowych wytwarzanych przy użyciu metod plazmo-chemicznych, takie jak, np. wysoka twardość, dobre przewodnictwo cieplne, dobra adhezja do podłoża i stosunkowo niska wartość powinowactwa elektronowego sprawiają, że materiał ten pozostaje ciągle w szerokim zainteresowaniu. W literaturze przedmiotu wskazuje się, że istotnymi czynnikami sprzyjającymi emisji elektronów z tego materiału jest wartość powinowactwa elektronowego powierzchni warstwy diamentowej, która w zależności od rodzaju atomów wysycających wolne wiązania (terminacji) na powierzchni, zmienia się od -1,3 do +1,7 eV [1, 2]. Istotne znaczenia ma również obecność inkluzji grafitowych w warstwie diamentowej [3]. Ujemna wartość powinowactwa elektronowego dla warstw terminowanych wodorem efektywnie obniża barierę potencjału na granicy warstwa/próżnia umożliwiając tunelowanie elektronów do próżni przy niskich polach elektrycznych. Domieszka azotu w warstwie diamentowej może wpływać na zmianę właściwości elektrycznych warstwy, co sugerują Helmbold i inni [4]. Wskazują oni, że wzrost przewodności elektrycznej, w domieszkowanych warstwach węglowych jest spowodowany wzrostem grafityzacji struktury, wywołanym wprowadzeniem domieszki. Zhao i inni [5] uzyskali obniżenie natężenia pola włączeniowego Et-on od wartości około 17 V/μm (dla warstw diamentowych niedomieszkowanych) do wartości 14 V/μm, dla warstw implantowanych atomami azotu o dawce 20·1015 atomów/cm2. W celu otrzymania układów o wydajnej emisji elektronów przeprowadzono badania układów o stosunkowo niskim powinowactwie elektronowym i strukturze charakteryzującej się wysoką zawartością wtrąceń grafitopodobnych oraz dużym zdefektowaniem. W pracy przedstawiono wyniki badań wpływu struktury warstw diamentowych oraz ich domieszkowania azotem na emisję elektronów. Zaproponowano w oparciu o model stochastycznego rozkładu promieni kanałów przewodzenia w warstwi[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/8


 

 Strona 1 
r e k l a m a
FAIL (the browser should render some flash content, not this).