JANUSZ KANIEWSKI- zobacz i pobierz wszystkie publikacje autora JANUSZ KANIEWSKI w naszych czasopismach

Wyniki 1-4 spośród 4 dla zapytania: authorDesc:"JANUSZ KANIEWSKI"

» Supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaInSb

Detekcja promieniowania w podczerwieni ma istotne znaczenie praktyczne. Podstawowymi przykładami zastosowań są: telekomunikacja optyczna w otwartej przestrzeni, spektroskopia w podczerwieni, analiza cieczy, ciał stałych i gazów, pirometria, skanery termiczne, bezkontaktowe pomiary wilgotności, techniki wojskowe oraz wiele innych. Są to zastosowania bardzo różnorodne, wymagające użycia przyrządów o różnorodnej konstrukcji. Jednym z typów detektorów obecnie szeroko stosowanych są bolometry termiczne. Podstawową ich wadą jest mała szybkość reakcji, wynikająca z zasad działania. Natomiast parametry istniejących detektorów fotonowych, charakteryzujących się gigahercową szerokością pasma są ograniczone przez wiele zjawisk natury chemicznej i fizycznej. Detektory fotonowe mogą być po[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009/5

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Detektory podczerwieni na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaInSb

JANUSZ KANIEWSKI

WALDEMAR GAWRON

Detekcja promieniowania w podczerwieni ma istotne znaczenie praktyczne. Podstawowymi przykładami zastosowań są: telekomunikacja optyczna w otwartej przestrzeni, spektroskopia w podczerwieni, analiza cieczy, ciał stałych i gazów, pirometria, skanery termiczne, bezkontaktowe pomiary wilgotności, techniki wojskowe oraz wiele innych. Są to zastosowania bardzo różnorodne, wymagające użycia specyficznych przyrządów o różnorodnej konstrukcji. Jednym z typów detektorów obecnie szeroko stosowanych są bolometry termiczne. Podstawową ich wadą jest mała szybkość reakcji, co wynika z ich zasady działania. Natomiast parametry istniejących detektorów fotonowych, charakteryzujących się gigahercową szerokością pasma, są ograniczone przez szereg zjawisk natury chemicznej i fizycznej. Istniejące detektory fotonowe mogą być podzielone na dwie grupy w zależności od typu przejść optycznych: międzypasmowe i wewnątrzpasmowe. Rekombinacja Auger w przypadku detektorów międzypasmowych (głównie wykonanych ze związków HgCdTe) i duża szybkość termicznej generacji w detektorach wewnątrzpasmowych QWIP (Quantum Well Infrered Photodetector) ograniczają parametry przyrządów fotonowych. Alternatywnym rozwiązaniem są detektory wykorzystujące supersieci (superlattice SL) II rodzaju InAs/GaInSb. Ten system materiałowy ma wiele właściwości, podobnych do tych jakie obserwuje się w HgCdTe. Współczynniki absorpcji w obu materiałach są podobne. Tak więc grubości warstw i wydajności kwantowe detektorów z obu tych materiałów są podobne. Przyrządy wykonane z obu systemów materiałowych wykorzystują przejścia międzypasmowe i szerokość przerwy energetycznej może być tak dobrana aby graniczna długość fali dla detektorów zmieniała się od ok. 3 do ≥25 μm [1, 2]. Nowoczesne fotodetektory podczerwieni Obecnie na bazie supersieci z InAs/GaInSb na świecie konstruowane są fotodiody o osiągach porównywalnych z uzyskiwanymi dla fotodiod z HgCdTe [3-11]. Typowe fotodiody [...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Conductance at InAs, InGaAs and GaAs MBE Epi - layers

ANDRZEJ WOLKENBERG

TOMASZ PRZESŁAWSKI

JANUSZ KANIEWSKI

Structural inaccuracy, especially in layered structures, is one factor that affects how the magnitude of a magnetic field influences measured charge transport properties [1]. Gold and Nelson [2], while studying transport properties of HgCdTe layers, reported on the influence of different charge carriers using Hall characterization. An exhaustive review concerning these phenomena was undertaken by Meyer et all [3]. Such disorder was first described and interpreted by the so-called mobility spectrum by Beck and Anderson [4] and many papers have focused on this problem [5-10]. For proper characterization of a multi-carrier conduction system, the number of independent measurements must match the number of desired physical quantities. In actuality, complete characterization of mult[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009/2

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Struktury detektora podczerwieni na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaSb

Janusz Kaniewski

Technologia otrzymywania supersieci InAs/GaInSb jest we wstępnej fazie rozwoju. Główne trudności związane są z przygotowaniem podłoży do epitaksji, optymalizacją technologii otrzymywania supersieci, "processingiem" struktur prowadzącym do otrzymania detektorów oraz ich pasywacją. Jednak potencjalne znaczenie supersieci InAs/GaInSb jest duże, co w przyszłości może spowodować dominację tego związku w konstrukcji detektorów podczerwieni, szczególnie w zakresie dalszej podczerwieni. Należy również podkreślić, że supersieci InAs/GaInSb z powodzeniem mogą być stosowane w produkcji niechłodzonych detektorów podczerwieni. Eksperymentalnie wykazano, że ich parametry są podobne do tych, jakie uzyskuje się dla HgCdTe. Dodatkową zachętę dla podjęcia tematyki detektorów na bazie supersieci stanowi fakt, że ze względu na zagrożenie dla środowiska w najbliższych latach przewiduje się stopniową eliminację rtęci (Hg) i kadmu (Cd) z technologii półprzewodnikowych. Trudności występujące przy wytwarzaniu tego typu detektorów powodują, że stosunkowo mało grup zajmuje się tą tematyką. Dotychczas w Polsce nikt nie zajmował się zastosowaniem supersieci do wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych. Nowoczesne fotodetektory podczerwieni Podstawowym celem pracy było zaprojektowanie i wykonanie pełnej, zoptymalizowanej struktury detektora promieniowania podczerwonego na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/ GaSb. Do realizacji tego celu konieczne było opanowanie technologii wytwarzania warstw i supersieci metodą epitaksji z wiązek molekularnych MBE (Molecular Beam Epitaxy) oraz ich charakteryzacji. "Processing" oraz pomiary przyrządu były przedmiotem odrębnych prac wykonanych w firmie VIGO System. Procesy epitaksji prowadzono w reaktorze RIBER 32P. Do charakteryzacji warstw i struktur stosowano następujące metody: - do obrazowania powierzchni stosowano mikroskopię optyczną, - do określenia szorstkości powierzchnio wykorzystano mikroskopię sił[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a