RAFAŁ JAKIEŁA- zobacz i pobierz wszystkie publikacje autora RAFAŁ JAKIEŁA w naszych czasopismach

Wyniki 1-3 spośród 3 dla zapytania: authorDesc:"RAFAŁ JAKIEŁA"

» Problemy epitaksji antymonków grupy III-V

AGATA JASIK

KAZIMIERZ REGIŃSKI

IWONA SANKOWSKA

RAFAŁ JAKIEŁA

Przyrządy optyczne wykorzystujące związki półprzewodnikowe z antymonem są szeroko stosowane jako detektory i emitery podczerwieni. Jednakże poważne trudności napotykane podczas krystalizacji oraz processingu struktur przyrządów opartych na tych związkach znacząco spowalniają postęp w tej dziedzinie. Niejednoznaczność określania temperatury na powierzchni rosnącego kryształu w metodzie epitaksji z wiązek molekularnych (MBE) to kluczowe zagadnienie, do którego należy się odnieść przed przystąpieniem do właściwego procesu krystalizacji struktur. W prezentowanej pracy szczególną uwagę zwrócono na aspekty wzrostu warstw GaSb i związków pochodnych, które są związane z wytwarzaniem heterostruktury detektora. Wzrost 2D warstw GaSb Podczas epitaksji GaSb za pomocą MBE zwrócono szczególną uwagę na sposób desorpcji tlenku z powierzchni podłoża [1]. Istotne jest, że desorpcja tlenku zachodzi bez stabilizacji powierzchni cząstkami Sb, a różnica temperatur, przy których zachodzi desorpcja i degradacja powierzchni wynosi 5ºC. Jest to krytyczny moment w procesie technologii. Na rysunku 1 zamieszczono obrazy powierzchni próbek wykrystalizowanych w różnych warunkach. Optymalizacja parametrów procesu epitaksjalnego skutkuje dwuwymiarowym wzrostem kryształu, o czym świadczy obecność tarasów na powierzchni kryształu o wysokości 1 ML. Trudnym problemem, z którym stykamy się podczas procesów wzrostu warstw antymonkowych, jest samoistne wbudowywanie się As do materiału [2]. Ciśnienie obecne w komorze reakcyjnej jest w zasadniczej mierze uwarunkowane cząstkami As. Po każdorazowym otwarciu zaworu arsenowej komórki efuzyjnej, poprzedzającym proces wzrostu warstw GaSb, zawartość As w tych warstwach jest większa. Na rysunku 2 zamie[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Wyznaczanie parametrów optycznych epitaksjalnych heterostruktur laserowych

Andrzej Maląg

Po zaprojektowaniu heterostruktury diody laserowej i przekazaniu projektu do realizacji w pracowni epitaksji, pojawia się pytanie, na ile zrealizowana heterostruktura zgodna jest z projektem. Odpowiedź na to pytanie pozwoli zinterpretować ewentualne różnice pomiędzy zmierzonymi parametrami przyrządów (diod laserowych (DL)) wykonanych z tej heterostruktury a parametrami zakładanymi na podstawie projektu. Sekwencja powiązanych wzajemnie charakteryzacji heterostruktury, prostego modelowania numerycznego oraz pomiarów przyrządów umożliwia tę odpowiedź. Jest to przedmiotem tego komunikatu. Projekt heterostruktury Profile współczynnika załamania oraz rozkłady pola optycznego dla dwóch wersji projektowych asymetrycznych heterostruktur laserowych na pasmo 810 nm przedstawione są na rys. 1. Rozwiązania asymetryczne powinny umożliwić zwiększenie osiągalnej mocy optycznej dzięki przesunięciu pola optycznego na stronę n i minimalizację rezystancji [1, 2]. Wersje te różnią się jedynie parametrami geometrycznymi warstwy antyfalowodowej (a-wg. na rys. 1) "wstawionej" pomiędzy falowodem aktywnym (warstwa "potrójna" obejmująca studnię kwantową - wg 3l) i pasywnym (pass-wg.). Wpływ parametrów warstwy antyfalowodowej (składu, grubości warstwy i obszaru gradientowego) na rozkład pola optycznego można opisać ilościowo zmianą efektywnej grubości falowodu deff = d/Γ, gdzie d jest grubością warstwy aktywnej (studni kwantowej, QW) oraz Γ jest współczynnikiem przestrzennego przekrycia rozkładu pola optycznego i QW (confinement factor). Zmiany parametrów relatywnie cienkiej warstwy antyfalowodowej powodują znaczne zmiany rozkładu pola i deff, co widać na rys. 1: deff = 1,24 μm i 0,89 μm, odpowiednio dla wersji projektowych v.1 i v.2. Na wkładce na rys. 1 podane są też projektowane składy (x) poszczególnych [...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Zastosowanie technologii MOCVD w dziedzinie laserów antymonkowych z heterozłączem I-go rodzaju

Marek Wesołowski

Włodek Strupinski

Emilia Pruszyńska -Karbownik

Marcin Motyka

Grzegorz Sęk

Anna Wójcik -Jedlińska

Heterozłaczowe lasery pólprzewodnikowe zakresu 1,9…3 μm ze strukturą wykonaną z antymonków są obecnie głównym rodzajem laserów pracujących w tym obszarze widmowym (rys. 1). Zapewniają tryb pracy ciągłej w temperaturze pokojowej oraz względnie wysokie moce. W przeciwieństwie jednak do większości laserów półprzewodnikowych technologia otrzymywania heterostruktur całkowicie zdominowana jest przez epitaksję z wiązek molekularnych (MBE), a technologia epitaksji ze związków metaloorganicznych (MOCVD) jest w tej dziedzinie prawie nieobecna. Obok szeregu przyczyn utrudniających zastosowanie MOCVD jak np. niskie temperatury topnienia, niepełna piroliza prekursorów, separacja faz czy brak możliwości zastosowania SbH3 jako prekursora antymonu występuje czynnik częściowo z nimi związany i prawie uniemożliwiający otrzymywanie warstw zawierających glin o jakości odpowiedniej do zastosowania w laserach. Czynnik ten ma postać silnego zanieczyszczenia węglem oraz tlenem i prowadzi do występowania wysokiej nieintencjonalnej koncentracji dziurowej [1-3]. Niezamierzona koncentracja typu p w warstwach zawierających więcej niż 60% atomów glinu wśród atomów grupy III przekracza zwykle 2E18 cm-3. Następstwem tych problemów jest prawie całkowity brak doniesień o laserach na GaSb wykonanych przy zastosowaniu MOCVD oraz brak jakiejkolwiek komercjalizacji tej technologii. W jedynym opublikowanym dotychczas przypadku [1] przyrządu o strukturze podobnej do przedstawionej na rys. 1 parametry lasera znacznie odbiegały od parametrów uzyskiwanych w przypadku stosowania MBE i nie przedstawiono trybu pracy ciągłej. Z drugiej strony technologia MOCVD odpowiada znacznie mniej wymagającemu zakresowi ciśnień i pojedynczy proces jest krótszy. W ogólności związana jest z mniejszymi kosztami oraz - jeśli jest już opracowana - z łatwiejszą komercjalizacją. Technologie MBE i MOCVD odpowiadają także różnym warunkom termodynamicznym, w związku z czym zdarza się[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a