ANNA BARAŃSKA- zobacz i pobierz wszystkie publikacje autora ANNA BARAŃSKA w naszych czasopismach

Wyniki 1-3 spośród 3 dla zapytania: authorDesc:"ANNA BARAŃSKA"

» Morfologia powierzchni międzyfazowych w wielowarstwowych strukturach periodycznych AlGaAs/GaAs

ANNA BARAŃSKA

KAMIL KOSIEL

JUSTYNA KUBACKA-TRACZYK

MACIEJ BUGAJSKI

IWONA PASTERNAK

TOMASZ PŁOCIŃSKI

KRZYSZTOF KURZYDŁOWSKI

Cienkowarstwowe heterostruktury półprzewodnikowe AlGaAs/ GaAs są stosowane do wytwarzania przyrządów mikro- i optoelektronicznych (takich jak tranzystory polowe, tranzystory bipolarne, czy diody fotoluminescyjne i laserowe). Wspomniany układ materiałowy stosuje się także w technologii epitaksji struktur kwantowych laserów kaskadowych, emitujących promieniowanie w zakresie średniej oraz dalekiej podczerwieni. Ich działanie oparte jest na wewnątrzpasmowych przejściach promienistych pomiędzy podpasmami energetycznymi, które generowane są w układach sprzężonych kwantowych studni potencjału. Precyzyjnie zdefiniowane powierzchnie międzyfazowe odrywają istotną rolę w prawidłowym działaniu optoelektronicznych przyrządów półprzewodnikowych. Morfologia powierzchni wpływa na właściwości optyczne, elektryczne oraz energetyczne struktur półprzewodnikowych [1, 2]. Uzyskanie w układach studni kwantowych poziomów energetycznych zgodnych z teoretycznymi założeniami konstrukcyjnymi, warunkowane jest właściwą kontrolą grubości warstw hetero- -struktury, jak i uzyskaniem powierzchni międzyfazowych o odpowiedniej morfologii. Chodzi tu zarówno o ich wystarczającą gładkość, jak i o powstrzymanie zjawiska interdyfuzji składników sąsiadujących warstw, która powoduje poszerzenie interfejsu chemicznego. W przypadku kwantowych laserów kaskadowych występowanie chropowatych powierzchni międzyfazowych wpływa na intensyfikację zjawiska rozpraszania nośników z dolnego poziomu iniektorowego na dolny poziom laserowy [3]. Taki transport elektronów, zachodzący z pominięciem górnego poziomu laserowego oznacza straty i pogorszenie parametrów lasera (np. podwyższenie prądu progowego). Wpływ na morfologię powierzchni międzyfazowych AlGaAs/GaAs, występując[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Montaż laserów kaskadowych na pasmo średniej podczerwieni

PIOTR KARBOWNIK

ANNA WÓJCIK-JEDLIŃSKA

MICHAŁ WASIAK

IRENA GRONOWSKA

MACIEJ BUGAJSKI

Lasery kaskadowe to unipolarne źródła promieniowania emitujące fale z zakresu średniej i dalekiej podczerwieni [1, 2]. Przyrządy te wymagają stosunkowo wysokich napięć i gęstości prądu dla osiągnięcia akcji laserowej, co wiąże się z wydzielaniem dużej ilości ciepła. Na rys. 1. przedstawiona jest przykładowa charakterystyka prądowo-napięciowa lasera kaskadowego o konstrukcji przedstawionej w pracy [3]. W porównaniu do charakterystyk złączowych laserów półprzewodnikowych na bazie GaAs spadek napięcia w heterostrukturze lasera kaskadowego jest około pięciu razy większy. Dodatkowo prąd progowy laserów kaskadowych jest dużo większy niż klasycznych laserów złączowych na bazie GaAs. Na rys. 2. Przedstawiona jest zależność prądu progowego od temperatury pracy przyrządu przy dwóch różnych reżimach zasilania. Jednym z podstawowych wymagań dotyczących wytwarzania takich przyrządów półprzewodnikowych jest właściwy montaż struktur. Prawidłowo przeprowadzony montaż wpływa na zmniejszenie oporności termicznej oraz szeregowego oporu elektrycznego przyrządu, a w konsekwencji może poprawić stabilność i niezawodność laserów. Natomiast nieprawidłowo przeprowadzony montaż może prowadzić do pogorszenia parametrów lasera, a w skrajnym przypadku powodować trwałą degradację przyrządu. Montaż laserów kaskadowych składa się z dwóch zasadniczych etapów: montażu struktury półprzewodnikowej na metalowej chłodnicy (die bonding), po czym chłodnica staje się dolną elektrodą przyrządu oraz wykonania połączeń drutowych do górnej elektrody przyrządu (wire bonding). Montaż laserów kaskadowych na pasmo średniej podczerwieni mgr inż. PIOTR KARBOWNIK 1, mgr inż. ANNA BARAŃSKA1, dr ARTUR TRAJNEROWICZ 1, dr inż. ANNA SZERLING1, dr KAMIL KOSIEL1, dr inż. ANNA WÓJCIK-JEDLIŃSKA1, dr MICHAŁ WASIAK2, [...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/1

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Kwantowe lasery kaskadowe na zakres średniej podczerwieni

KAMIL KOSIEL

ANNA SZERLING

MACIEJ BUGAJSKI

Piotr Karbownik

Emilia Pruszyńska -Karbownik

Iwona Sankowska

Justyna Kubacka -Traczyk

Anna Wójcik -Jedlińska

Lasery kaskadowe QCLs (ang. Quantum-Cascade Lasers) to półprzewodnikowe, unipolarne emitery promieniowania koherentnego, których zasada działania polega na wewnątrzpasmowych przejściach promienistych nośników oraz tunelowaniu przez wielobarierowy układ kwantowomechaniczny [1]. Warunkiem poprawnego działania tego typu przyrządu jest precyzyjne wykonanie heterostruktury epitaksjalnej, dające po przyłożeniu odpowiedniej zewnętrznej polaryzacji elektrycznej zaprojektowane wartości prawdopodobieństwa przejść wewnątrzpasmowych oraz tunelowych. Obszar aktywny lasera kaskadowego ma budowę wielowarstwową i wielomodułową. W ogólności, w każdym z modułów QCL generowany jest układ poziomów laserowych oraz możliwość tunelowego przejścia elektronów do kolejnego modułu. Dzięki temu każdy z elektronów wstrzykniętych do obszaru aktywnego ma szansę wzięcia udziału w serii wewnątrzpasmowych przejść promienistych. Spektrum emisyjne QCLs to szeroki zakres od średniej MIR (ang. Mid Infrared ) do dalekiej podczerwieni FIR (ang. Far Infrared ). Lasery kaskadowe są lub mogą być szeroko stosowane, np. w układach detekcji gazów (np. CO2, NO, CH4) [2], diagnostyce medycznej [3] oraz w monitorowaniu zanieczyszczeń środowiska [4]. Ścisłe wymogi precyzji dotyczą technologii heterostruktur epitaksjalnych w zakresie założonej konstrukcji i jej jednorodności w obszarze płytki epitaksjalnej oraz powtarzalności osadzania w serii procesów. Dla działania lasera krytyczna jest zgodność geometrii pasma przewodnict[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a