IWONA PASTERNAK- zobacz i pobierz wszystkie publikacje autora IWONA PASTERNAK w naszych czasopismach

Wyniki 1-5 spośród 5 dla zapytania: authorDesc:"IWONA PASTERNAK"

» Wytwarzanie submikrometrowych wzorów techniką nanostemplowania

MAREK EKIELSKI

MARCIN JUCHNIEWICZ

IWONA PASTERNAK

ANNA PIOTROWSKA

W 1995 r. Stephen Y. Chou po raz pierwszy opublikował wyniki dotyczące wykonania 25 nm otworów w poli(metakrylanie) metylu PMMA techniką nanostemplowania (ang. Nanoimprint lithography)[1]. Od tego czasu stała się najbardziej obiecującą techniką, w której upatruje się następcę litografii optycznej i elektronolitografii. W 2003 roku nanostemplowanie umieszczone zostało na liście ITRS (ang. International Technology Roadmap for Semiconductors) jako jeden z kandydatów do NGL (ang. Next-generation lithography) [2]. Technika nanostemplowania polega na mechanicznym odciśnięciu nanometrowych wzorów matrycy (pieczątki) w warstwie rezystu. Ze względu na rodzaj użytego rezystu, technika posiada dwa warianty: termiczny oraz UV. Zarówno jeden jak i drugi tryb pracy zapewnia wysoką przepustowość oraz rozdzielczość. Rynek diod LED, który w ostatnich latach rozwija się bardzo dynamicznie, pokłada największe nadzieje w nanostemplowaniu. Ponadto technika ta odnajduje zastosowania w produkcji zaawansowanych wyrobów dla nanoelektroniki, technik sensorowych i biomedycznych. Bezpośrednio związane z rozwojem rynku diod LED jest opracowanie metody wytwarzania struktur kryształów fotonicznych (PhC). Ze względu na czasochłonn[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/9

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Morfologia powierzchni międzyfazowych w wielowarstwowych strukturach periodycznych AlGaAs/GaAs

ANNA BARAŃSKA

KAMIL KOSIEL

JUSTYNA KUBACKA-TRACZYK

MACIEJ BUGAJSKI

IWONA PASTERNAK

TOMASZ PŁOCIŃSKI

KRZYSZTOF KURZYDŁOWSKI

Cienkowarstwowe heterostruktury półprzewodnikowe AlGaAs/ GaAs są stosowane do wytwarzania przyrządów mikro- i optoelektronicznych (takich jak tranzystory polowe, tranzystory bipolarne, czy diody fotoluminescyjne i laserowe). Wspomniany układ materiałowy stosuje się także w technologii epitaksji struktur kwantowych laserów kaskadowych, emitujących promieniowanie w zakresie średniej oraz dalekiej podczerwieni. Ich działanie oparte jest na wewnątrzpasmowych przejściach promienistych pomiędzy podpasmami energetycznymi, które generowane są w układach sprzężonych kwantowych studni potencjału. Precyzyjnie zdefiniowane powierzchnie międzyfazowe odrywają istotną rolę w prawidłowym działaniu optoelektronicznych przyrządów półprzewodnikowych. Morfologia powierzchni wpływa na właściwości optyczne, elektryczne oraz energetyczne struktur półprzewodnikowych [1, 2]. Uzyskanie w układach studni kwantowych poziomów energetycznych zgodnych z teoretycznymi założeniami konstrukcyjnymi, warunkowane jest właściwą kontrolą grubości warstw hetero- -struktury, jak i uzyskaniem powierzchni międzyfazowych o odpowiedniej morfologii. Chodzi tu zarówno o ich wystarczającą gładkość, jak i o powstrzymanie zjawiska interdyfuzji składników sąsiadujących warstw, która powoduje poszerzenie interfejsu chemicznego. W przypadku kwantowych laserów kaskadowych występowanie chropowatych powierzchni międzyfazowych wpływa na intensyfikację zjawiska rozpraszania nośników z dolnego poziomu iniektorowego na dolny poziom laserowy [3]. Taki transport elektronów, zachodzący z pominięciem górnego poziomu laserowego oznacza straty i pogorszenie parametrów lasera (np. podwyższenie prądu progowego). Wpływ na morfologię powierzchni międzyfazowych AlGaAs/GaAs, występując[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Trawienia półprzewodników szerokoprzerwowych GaN i SiC

RENATA KRUSZKA

KATARZYNA KORWIN-MIKKE

Znakomite właściwości optyczne, mechaniczne, dobre przewodnictwo cieplne, duże napięcie przebicia elektrycznego oraz odporność na promieniowanie jonizujące materiałów półprzewodnikowych zwanych szerokoprzerwowymi, do których zalicza się GaN i SiC sprawiają, że są one bardzo atrakcyjne do zastosowania w przyrządach elektronicznych wysokiej mocy i wysokiej częstotliwości oraz urządzeniach pracujących w wysokiej temperaturze. Naszym celem jest opracowanie procesów trawienia GaN i SiC na potrzeby zaawansowanych przyrządów wytwarzanych na bazie tych materiałów. Nowoczesne konstrukcje wymagają z jednej strony trawień głębokich (kształtowanie kryształów fotonicznych o submikrometrowych średnicach otworów trawionych na głębokość kilku mikrometrów w strukturach optoelektronicznych, formowanie mes w strukturach tranzystorów HEMT, głębokie trawienia podłoża mające na celu separację struktur), a z drugiej - bardzo płytkich, jak na przykład kilkunanometrowe trawienia prowadzone po procesie wygrzewania poimplantacyjnego mające na celu planaryzację powierzchni SiC. Jednak ze względu na odporność chemiczną GaN i SiC, wytwarzanie wzorów metodami klasycznymi jest bardzo trudne bądź wręcz niemożliwe, zatem jedynie plazmowe metody trawienia mogą być stosowane. Trawienia GaN i SiC wymagają użycia agresywnych plazm chlorowych oraz plazmy o większej gęstości ICP (ang. Inductive Coupling Plasma). Jak donosi wiele publikacji naukowych, do trawienia azotku galu najbardziej odpowiednie są plazmy chlorowe bazujące na BCl3 i Cl2 [1-3] z dodatkiem innych gazów Ar [4], H2 [5], CH4 [6], SF6, N2 [7], w których poprzez szybsze usuwanie produktów reakcji z wytrawionej powierzchni zwiększa się szybkość trawienia. Publikacje dotyczące trawienia węglika krzemu mówią głównie o wykorzystaniu różnych plazm na bazie freonu z dodatkami innych gazów: CF4/O2 [8], SF6/O2 [9], C2F6 [10], CHF3/O2 [11], NF3/O2 [12]. Natomiast trawienie SiC w chlorowych plazmach ICP, takic[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/9

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Procesy trawienia suchego ICP w plazmie BCl3 cienkich warstw HfO2 wytworzonych techniką reaktywnego rozpylania katodowego

RENATA KRUSZKA

KRYSTYNA GOŁASZEWSKA

ANDRZEJ TAUBE

IWONA PASTERNAK

mgr inż. KATARZYNA KORWIN-MIKKE

MAREK WZOREK

ELIANA KAMIŃSKA

ANNA PIOTROWSKA

W ostatnim czasie wzrosło zainteresowanie dielektrykami o wysokiej przenikalności dielektrycznej, nie tylko w kontekście technologii krzemowej tranzystorów CMOS, ale także w technologii związków szerokoprzerwowych, w tym SiC i GaN [1]. Szczególnie atrakcyjnym materiałem jest tu tlenek hafnu (HfO2). Charakteryzuje się on wysoką wartością przenikalności dielektrycznej (12...25 w zależności od metody osadzania), polem przebicia EBR > 4 MV/cm oraz relatywnie wysoką przerwą energetyczną (5-6 eV) [2]. W zależności od zastosowania, warstwy dielektryczne w przyrządach półprzewodnikowych mają różną grubość. Jako dielektryki podbramkowe w technologii MOSFET stosuje się warstwy cienkie, kilkunanometrowe, natomiast do pasywacji struktur (np. diod Schottky’ego czy diod PIN) wymagane są warstwy znacznie grubsze do ok. 1 μm [2, 3]. W obydwu tych przypadkach niezbędnym etapem technologicznym jest odsłonięcie obszaru metalizacji kontaktów, realizowane głównie technikami trawienia plazmowego. Szczególnie ważne jest zastosowanie suchego trawienia grubych warstw pasywacyjnych, które trudno usunąć przy pomocy klasycznego trawienia w roztworach, a które stosuje się w diodach Schottky’ego w procesie wytwarzania złącza metodą field-plate [4]. Trawienie suche tlenku hafnu nie zostało jeszcze szeroko zbadane, a doniesienia literaturowe dotyczą głównie trawień plazmą indukcyjnie sprzężoną (ICP). Najskuteczniejsze do trawienia HfO2 są plazmy chlorowe bazujące na BCl3 i Cl2, często z dodatkiem Ar [5-9], lub ich mieszaniny Ar/BCl3/Cl2 [10]. Skład i parametry plazmy optymalizowane są pod kątem uzyskania maksymalnej szybkości trawienia. Jednak w przyrządach półprzewodnikowych niezwykle istotna jest selektywność trawienia HfO2 w stosunku do podłoża, ponieważ podłoże nie może zostać w wyniku trawienia uszkodzone. Niewiele publikacji donosi o badaniach nad zwiększeniem 92 Elektronika 9/2011 selektywności trawienia HfO2 do Si, SiC lub SiO2.[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/9

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Wytwarzanie i charakteryzacja cienkich warstw tlenku hafnu dla zastosowań w technologii MOSFET w węgliku krzemu

ANDRZEJ TAUBE

KATARZYNA KORWIN-MIKKE

Jednym z najważniejszych procesów w technologii wytwarzania tranzystorów MOSFET jest osadzanie dielektryka bramkowego. W technologii krzemowej doskonałej jakości naturalny dielektryk bramkowy w postaci SiO2 stał się motorem rozwoju mikroelektroniki. Podobnie jak krzem, węglik krzemu również utlenia się w obecności atmosfery utleniającej tworząc SiO2. O ile układ SiO2/Si ma wręcz doskonałe parametry elektroﬁzyczne, układ SiO2/SiC cierpi na wiele różnych niedoskonałości. Związane jest to przede wszystkim z obecnością węgla w układzie SiO2/SiC powstającym podczas wysokotemperaturowego utleniania SiC. Część z atomów węgla akumuluje się w obszarze przejściowym SiO2/SiC prowadząc do powstawania centrów defektowych. Wpływa to na powstawanie stanów pułapkowych, które znacząco ograniczają ruchliwość nośników w kanale tranzystora [1]. Równolegle prowadzi się badania związane z wytwarzaniem i charakteryzacją alternatywnych materiałów dielektrycznych, które również nie przyniosły całkowicie satysfakcjonujących rezultatów [2]. Bardzo ciekawą i rokującą na przyszłość metodą wytwarzania bramki tranzystora MOSFET jest stosowanie dielektryków podwójnych SiO2/dielektryk o wysokiej przenikalności elektrycznej. Bardzo cienka warstwa SiO2 stanowi bufor pomiędzy powierzchnią SiC a dielektrykiem o wysokiej stałej dielektrycznej. Zadaniem warstwy buforowej jest zapewnienie odpowiedniej jakości interfejsu pomiędzy SiC a warstwą dielektryka oraz zmniejszenie prądu upływu bramki. Warstwy dielektryczne o wysokiej wartości przenikalności elektrycznej pozwalają na zwiększenie niezawodności tranzystorów MOSFET. Przede wszystkim wysoka stała dielektryczna powoduje zmniejszenie pola elektrycznego w obszarze dielektryka podbramkowego, co zwiększa jego niezawodność. Wśród materiałów dielektrycznych o wysokiej względnej przenikalności wysoką pozycję zajmuje tlenek hafnu HfO2 charakteryzujący się zarówno wysoką stałą dielektryczną (εr ≈ 15[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/9

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a