Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk

Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

To proste!

zobacz szczegóły

r e k l a m a

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

zobacz szczegóły

Wyniki wyszukiwania

Wyniki 1-1 spośród 1 dla zapytania: authorDesc:"KRZYSZTOF KURZYDŁOWSKI"

» Morfologia powierzchni międzyfazowych w wielowarstwowych strukturach periodycznych AlGaAs/GaAs

ANNA BARAŃSKA

KAMIL KOSIEL

JUSTYNA KUBACKA-TRACZYK

MACIEJ BUGAJSKI

IWONA PASTERNAK

TOMASZ PŁOCIŃSKI

KRZYSZTOF KURZYDŁOWSKI

Cienkowarstwowe heterostruktury półprzewodnikowe AlGaAs/ GaAs są stosowane do wytwarzania przyrządów mikro- i optoelektronicznych (takich jak tranzystory polowe, tranzystory bipolarne, czy diody fotoluminescyjne i laserowe). Wspomniany układ materiałowy stosuje się także w technologii epitaksji struktur kwantowych laserów kaskadowych, emitujących promieniowanie w zakresie średniej oraz dalekiej podczerwieni. Ich działanie oparte jest na wewnątrzpasmowych przejściach promienistych pomiędzy podpasmami energetycznymi, które generowane są w układach sprzężonych kwantowych studni potencjału. Precyzyjnie zdefiniowane powierzchnie międzyfazowe odrywają istotną rolę w prawidłowym działaniu optoelektronicznych przyrządów półprzewodnikowych. Morfologia powierzchni wpływa na właściwości optyczne, elektryczne oraz energetyczne struktur półprzewodnikowych [1, 2]. Uzyskanie w układach studni kwantowych poziomów energetycznych zgodnych z teoretycznymi założeniami konstrukcyjnymi, warunkowane jest właściwą kontrolą grubości warstw hetero- -struktury, jak i uzyskaniem powierzchni międzyfazowych o odpowiedniej morfologii. Chodzi tu zarówno o ich wystarczającą gładkość, jak i o powstrzymanie zjawiska interdyfuzji składników sąsiadujących warstw, która powoduje poszerzenie interfejsu chemicznego. W przypadku kwantowych laserów kaskadowych występowanie chropowatych powierzchni międzyfazowych wpływa na intensyfikację zjawiska rozpraszania nośników z dolnego poziomu iniektorowego na dolny poziom laserowy [3]. Taki transport elektronów, zachodzący z pominięciem górnego poziomu laserowego oznacza straty i pogorszenie parametrów lasera (np. podwyższenie prądu progowego). Wpływ na morfologię powierzchni międzyfazowych AlGaAs/GaAs, występując[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »