KAZIMIERZ REGIŃSKI- zobacz i pobierz wszystkie publikacje autora KAZIMIERZ REGIŃSKI w naszych czasopismach

Wyniki 1-3 spośród 3 dla zapytania: authorDesc:"Kazimierz Regiński"

» Goniometryczna metoda pomiaru przestrzennego rozkładu natężenia promieniowania kwantowych laserów kaskadowych

Kazimierz Regiński

Bohdan Mroziewicz

Emilia Pruszyńska-Karbownik

Wraz z rozwojem technologii wytwarzania laserów półprzewodnikowych równolegle postępuje rozwój metod ich charakteryzacji. W zakresie metod pomiaru wiązek emitowanych przez lasery mamy obecnie do dyspozycji dwie zasadnicze grupy przyrządów pomiarowych zwanych często profilometrami: przyrządy typu mozaik i przyrządy typu goniometrycznego. W profilometrach typu mozaik, rejestracja natężenia promieniowania odbywa się przy pomocy płaskiej matrycy światłoczułej. Urządzenia te mogą być wyposażone w filtry służące do osłabienia promieniowania laserowego w ruchome szczeliny, lub też w ruchome przesłony. Głowice pomiarowe takich profilometrów umieszczane są zwykle na liniowych przesuwach pozwalających na zmianę odległości detektora od żródła promieniowania. Dzięki takiej konstrukcji przyrządy typu mozaik mogą rejestrować trójwymiarowy rozkład promieniowania w dalekim polu. Przyrządy typu goniometrycznego posiadają zwykle pojedynczy detektor, natomiast układ mechaniczny, umożliwiający zmianę położenia detektora względem żródła promieniowania, jest bardzo rozbudowany. W odróżnieniu od profilometrów typu mozaik, które są urządzeniami popularnymi przeznaczonymi do standardowych pomiarów, profilometry goniometryczne są często budowane przez eksperymentatorów z przeznaczeniem do badań naukowych nad nowymi typami laserów [1]. Ze względu na wielką różnorodność typów laserów półprzewodnikowych (mamy tu na myśli głównie zakres widmowy, moc i rozkład przestrzenny wiązki) nie ma w omawianej dziedzinie uniweralnych układów i metodologii pomiarowych. Układy pomiarowe oraz związane z nimi metodologie pomiarów muszą być nakierowane na konkretny typ lasera. Szczególnie trudna sytua[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Problemy epitaksji antymonków grupy III-V

AGATA JASIK

KAZIMIERZ REGIŃSKI

IWONA SANKOWSKA

RAFAŁ JAKIEŁA

Przyrządy optyczne wykorzystujące związki półprzewodnikowe z antymonem są szeroko stosowane jako detektory i emitery podczerwieni. Jednakże poważne trudności napotykane podczas krystalizacji oraz processingu struktur przyrządów opartych na tych związkach znacząco spowalniają postęp w tej dziedzinie. Niejednoznaczność określania temperatury na powierzchni rosnącego kryształu w metodzie epitaksji z wiązek molekularnych (MBE) to kluczowe zagadnienie, do którego należy się odnieść przed przystąpieniem do właściwego procesu krystalizacji struktur. W prezentowanej pracy szczególną uwagę zwrócono na aspekty wzrostu warstw GaSb i związków pochodnych, które są związane z wytwarzaniem heterostruktury detektora. Wzrost 2D warstw GaSb Podczas epitaksji GaSb za pomocą MBE zwrócono szczególną uwagę na sposób desorpcji tlenku z powierzchni podłoża [1]. Istotne jest, że desorpcja tlenku zachodzi bez stabilizacji powierzchni cząstkami Sb, a różnica temperatur, przy których zachodzi desorpcja i degradacja powierzchni wynosi 5ºC. Jest to krytyczny moment w procesie technologii. Na rysunku 1 zamieszczono obrazy powierzchni próbek wykrystalizowanych w różnych warunkach. Optymalizacja parametrów procesu epitaksjalnego skutkuje dwuwymiarowym wzrostem kryształu, o czym świadczy obecność tarasów na powierzchni kryształu o wysokości 1 ML. Trudnym problemem, z którym stykamy się podczas procesów wzrostu warstw antymonkowych, jest samoistne wbudowywanie się As do materiału [2]. Ciśnienie obecne w komorze reakcyjnej jest w zasadniczej mierze uwarunkowane cząstkami As. Po każdorazowym otwarciu zaworu arsenowej komórki efuzyjnej, poprzedzającym proces wzrostu warstw GaSb, zawartość As w tych warstwach jest większa. Na rysunku 2 zamie[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Struktury detektora podczerwieni na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaSb

Janusz Kaniewski

Technologia otrzymywania supersieci InAs/GaInSb jest we wstępnej fazie rozwoju. Główne trudności związane są z przygotowaniem podłoży do epitaksji, optymalizacją technologii otrzymywania supersieci, "processingiem" struktur prowadzącym do otrzymania detektorów oraz ich pasywacją. Jednak potencjalne znaczenie supersieci InAs/GaInSb jest duże, co w przyszłości może spowodować dominację tego związku w konstrukcji detektorów podczerwieni, szczególnie w zakresie dalszej podczerwieni. Należy również podkreślić, że supersieci InAs/GaInSb z powodzeniem mogą być stosowane w produkcji niechłodzonych detektorów podczerwieni. Eksperymentalnie wykazano, że ich parametry są podobne do tych, jakie uzyskuje się dla HgCdTe. Dodatkową zachętę dla podjęcia tematyki detektorów na bazie supersieci stanowi fakt, że ze względu na zagrożenie dla środowiska w najbliższych latach przewiduje się stopniową eliminację rtęci (Hg) i kadmu (Cd) z technologii półprzewodnikowych. Trudności występujące przy wytwarzaniu tego typu detektorów powodują, że stosunkowo mało grup zajmuje się tą tematyką. Dotychczas w Polsce nikt nie zajmował się zastosowaniem supersieci do wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych. Nowoczesne fotodetektory podczerwieni Podstawowym celem pracy było zaprojektowanie i wykonanie pełnej, zoptymalizowanej struktury detektora promieniowania podczerwonego na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/ GaSb. Do realizacji tego celu konieczne było opanowanie technologii wytwarzania warstw i supersieci metodą epitaksji z wiązek molekularnych MBE (Molecular Beam Epitaxy) oraz ich charakteryzacji. "Processing" oraz pomiary przyrządu były przedmiotem odrębnych prac wykonanych w firmie VIGO System. Procesy epitaksji prowadzono w reaktorze RIBER 32P. Do charakteryzacji warstw i struktur stosowano następujące metody: - do obrazowania powierzchni stosowano mikroskopię optyczną, - do określenia szorstkości powierzchnio wykorzystano mikroskopię sił[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a