EMILIA PRUSZYŃSKA -KARBOWNIK- zobacz i pobierz wszystkie publikacje autora EMILIA PRUSZYŃSKA -KARBOWNIK w naszych czasopismach

Wyniki 1-6 spośród 6 dla zapytania: authorDesc:"Emilia Pruszyńska -Karbownik"

» Pomiar współczynnika odbicia zwierciadeł diod laserowych z wnęką Fabry-Perota

Wnęka Fabry-Perota - niezbędna do wywołania akcji laserowej w diodach laserowych o konstrukcji tzw. krawędziowej - powstaje w sposób naturalny w wyniku odłupania chipu wzdłuż ścian łatwej łupliwości kryształu półprzewodnika. W przypadku diod wytwarzanych z heterostruktur półprzewodników grupy III-V są to z reguły ściany o orientacji krystalograficznej {100}. Współczynnik załamania dla tych materiałów ma wartość ok. 3,53 co na granicy z powietrzem daje współczynnik odbicia ok. 32%. Chipy laserowe bez pokryć nie mają jednak wartości użytkowej, gdyż połowa mocy generowanego promieniowania jest tracona. Ponadto trwałość takich laserów jest ograniczona wskutek degradacji powierzchni zwierciadeł, spowodowanej przez wpływ atmo - sfery na odsłonięte przekroje warstw heterostruktury i [...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009/5

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Goniometryczna metoda pomiaru przestrzennego rozkładu natężenia promieniowania kwantowych laserów kaskadowych

Kazimierz Regiński

Bohdan Mroziewicz

Emilia Pruszyńska-Karbownik

Wraz z rozwojem technologii wytwarzania laserów półprzewodnikowych równolegle postępuje rozwój metod ich charakteryzacji. W zakresie metod pomiaru wiązek emitowanych przez lasery mamy obecnie do dyspozycji dwie zasadnicze grupy przyrządów pomiarowych zwanych często profilometrami: przyrządy typu mozaik i przyrządy typu goniometrycznego. W profilometrach typu mozaik, rejestracja natężenia promieniowania odbywa się przy pomocy płaskiej matrycy światłoczułej. Urządzenia te mogą być wyposażone w filtry służące do osłabienia promieniowania laserowego w ruchome szczeliny, lub też w ruchome przesłony. Głowice pomiarowe takich profilometrów umieszczane są zwykle na liniowych przesuwach pozwalających na zmianę odległości detektora od żródła promieniowania. Dzięki takiej konstrukcji przyrządy typu mozaik mogą rejestrować trójwymiarowy rozkład promieniowania w dalekim polu. Przyrządy typu goniometrycznego posiadają zwykle pojedynczy detektor, natomiast układ mechaniczny, umożliwiający zmianę położenia detektora względem żródła promieniowania, jest bardzo rozbudowany. W odróżnieniu od profilometrów typu mozaik, które są urządzeniami popularnymi przeznaczonymi do standardowych pomiarów, profilometry goniometryczne są często budowane przez eksperymentatorów z przeznaczeniem do badań naukowych nad nowymi typami laserów [1]. Ze względu na wielką różnorodność typów laserów półprzewodnikowych (mamy tu na myśli głównie zakres widmowy, moc i rozkład przestrzenny wiązki) nie ma w omawianej dziedzinie uniweralnych układów i metodologii pomiarowych. Układy pomiarowe oraz związane z nimi metodologie pomiarów muszą być nakierowane na konkretny typ lasera. Szczególnie trudna sytua[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Lasery kaskadowe na zakres średniej podczerwieni

KAMIL KOSIEL

ANNA SZERLING

PIOTR KARBOWNIK

JUSTYNA KUBACKA-TRACZYK

EMILIA PRUSZYŃSKA-KARBOWNIK

ARTUR TRAJNEROWICZ

DOROTA PIERŚCIŃSKA

MACIEJ BUGAJSKI

Lasery kaskadowe QCLs (ang. Quantum Cascade Lasers) to unipolarne przyrządy półprzewodnikowe, w których promieniste przejścia elektronów zachodzą w ramach układu wewnątrzpasmowych stanów kwantowych [1]. Warunkiem poprawnego działania takiej struktury jest jej precyzyjne zaprojektowanie i realizacja, dające po przyłożeniu właściwej zewnętrznej polaryzacji elektrycznej odpowiednie wartości prawdopodobieństwa przejść międzypodpasmowych oraz tunelowych. Obszar aktywny lasera kaskadowego ma budowę wielomodułową a każdy moduł składa się z wielu warstw epitaksjalnych. W ogólności w każdym z wielowarstwowych modułów QCL generowany jest np. trój- lub czteropoziomowy układ laserowy oraz zapewniona zostaje możliwość tunelowego przejścia elektronów do kolejnego modułu. Dzięki temu każdy z elektronów wstrzykniętych do obszaru aktywnego ma szansę uczestniczenia w serii wewnątrzpasmowych przejść promienistych. Możliwości emisyjne laserów kaskadowych obejmują szeroki zakres spektralny od podczerwieni średniej (MIR) do dalekiej (FIR). Zakres materiałów, z których można wykonywać heterostruktury laserów kaskadowych jest szeroki i w ramach półprzewodników A3B5 obejmuje m.in. układy AlGaAs/GaAs, InAlAs/InGaAs/ InP, Si/SiGe. Wytwarzanie ich jest możliwe wyłącznie w ramach zaawansowanych technologii, tj. epitaksji z wiązek molekularnych MBE (ang. Molecular Beam Epitaxy) oraz epitaksji z fazy gazowej, z zastosowaniem prekursorów metaloorganicznych MOVPE (ang. Metalorganic Vapour Phase Epitaxy). Szczególnie szeroki zakres emitowanego promieniowania podczerwonego (IR) pokrywają lasery wykonywane z AlGaAs/GaAs. Konstrukcję heterostruktury Al0,45Ga0,55As/GaAs, którą wykonuje się w ITE przedstawiono na rys. 1 [2]. Obszar aktywny tej heterostruktury zbudowany jest z 36 modułów. Każdy z nich składa się z emitera (3 sprzężone kwantowe studnie potencjału), w którym następuje generacja kwantów IR oraz iniektora (5 studni). Iniektor odbiera elektrony z emi[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Wpływ parametrów zasilania na parametry aplikacyjne laserów kaskadowych na zakres średniej podczerwieni

KAMIL KOSIEL

ANNA SZERLING

PIOTR KARBOWNIK

JUSTYNA KUBACKA-TRACZYK

EMILIA PRUSZYŃSKA-KARBOWNIK

ARTUR TRAJNEROWICZ

DOROTA PIERŚCIŃSKA

MACIEJ BUGAJSKI

W obecnych czasach ważna stała się kontrola nad mechanizmem produkcyjnym oraz wpływem działalności człowieka na otaczające go środowisko. Z tego punktu widzenia istotną rolę odgrywają czujniki gazów analizujące uboczne produkty przemysłu lub ostrzegające przed ulatnianiem się szkodliwych substancji. Szczególne miejsce zajmują tutaj sensory na zakres średniej podczerwieni, ponieważ w obrębie tego zakresu energii znajduje się wiele przejść oscylacyjno-rotacyjnch cząstek. W wielu przypadkach w budowie takiego sensora liczy się kompaktowość. Dlatego też, lasery kaskadowe stanowią doskonałe źródło promieniowania podczerwonego wykorzystywanego w takich urządzeniach. Nadmienić należy także, że koherentne promieniowanie podczerwone jest podstawowym nośnikiem informacji w światłowodowych liniach telekomunikacyjnych. Lasery kaskadowe są wielowarstwowymi strukturami półprzewodnikowymi wykorzystującymi mechanizm przejść wewnątrzpasmowych [1, 2] zatem mamy do czynienia z jednym rodzajem nośników w odróżnieniu od konwencjonalnych laserów półprzewodnikowych, których działanie opiera się o przejścia międzypasmowe. Kolejną zaletą tego typu konstrukcji jest możliwość zaprojektowania struktury na daną długości fali światła niezależnie od rodzaju zastosowanego materiału. Głównymi parametrami przy projektowaniu lasera kaskadowego są szerokości studni kwantowych, wzajemne proporcje pierwiastków w związkach wchodzących w skład studni i barier oraz stopień domieszkowania. Inwersję obsadzeń oraz akcję laserową uzyskuje się przez przyłożenie odpowiedniego zewnętrznego pola elektrycznego i dostarczenie odpowiedniej ilości nośników prądu. Pompowanie elektryczne zapewnia niewielkie rozmiary całego przyrządu. 110 Elektronika 10/2010 W przypadku urządzeń zasilanych elektrycznie pożądana jest praca w modzie ciągłym CW (ang. Continuous Wave) w jak najwyższej temperaturze. Jednakże ze względu na dużą ilość ciepła wydzielanego w strukturach laserów kaskadow[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Kwantowe lasery kaskadowe na zakres średniej podczerwieni

KAMIL KOSIEL

ANNA SZERLING

MACIEJ BUGAJSKI

Piotr Karbownik

Emilia Pruszyńska -Karbownik

Iwona Sankowska

Justyna Kubacka -Traczyk

Anna Wójcik -Jedlińska

Lasery kaskadowe QCLs (ang. Quantum-Cascade Lasers) to półprzewodnikowe, unipolarne emitery promieniowania koherentnego, których zasada działania polega na wewnątrzpasmowych przejściach promienistych nośników oraz tunelowaniu przez wielobarierowy układ kwantowomechaniczny [1]. Warunkiem poprawnego działania tego typu przyrządu jest precyzyjne wykonanie heterostruktury epitaksjalnej, dające po przyłożeniu odpowiedniej zewnętrznej polaryzacji elektrycznej zaprojektowane wartości prawdopodobieństwa przejść wewnątrzpasmowych oraz tunelowych. Obszar aktywny lasera kaskadowego ma budowę wielowarstwową i wielomodułową. W ogólności, w każdym z modułów QCL generowany jest układ poziomów laserowych oraz możliwość tunelowego przejścia elektronów do kolejnego modułu. Dzięki temu każdy z elektronów wstrzykniętych do obszaru aktywnego ma szansę wzięcia udziału w serii wewnątrzpasmowych przejść promienistych. Spektrum emisyjne QCLs to szeroki zakres od średniej MIR (ang. Mid Infrared ) do dalekiej podczerwieni FIR (ang. Far Infrared ). Lasery kaskadowe są lub mogą być szeroko stosowane, np. w układach detekcji gazów (np. CO2, NO, CH4) [2], diagnostyce medycznej [3] oraz w monitorowaniu zanieczyszczeń środowiska [4]. Ścisłe wymogi precyzji dotyczą technologii heterostruktur epitaksjalnych w zakresie założonej konstrukcji i jej jednorodności w obszarze płytki epitaksjalnej oraz powtarzalności osadzania w serii procesów. Dla działania lasera krytyczna jest zgodność geometrii pasma przewodnict[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Zastosowanie technologii MOCVD w dziedzinie laserów antymonkowych z heterozłączem I-go rodzaju

Marek Wesołowski

Włodek Strupinski

Emilia Pruszyńska -Karbownik

Marcin Motyka

Grzegorz Sęk

Anna Wójcik -Jedlińska

Heterozłaczowe lasery pólprzewodnikowe zakresu 1,9…3 μm ze strukturą wykonaną z antymonków są obecnie głównym rodzajem laserów pracujących w tym obszarze widmowym (rys. 1). Zapewniają tryb pracy ciągłej w temperaturze pokojowej oraz względnie wysokie moce. W przeciwieństwie jednak do większości laserów półprzewodnikowych technologia otrzymywania heterostruktur całkowicie zdominowana jest przez epitaksję z wiązek molekularnych (MBE), a technologia epitaksji ze związków metaloorganicznych (MOCVD) jest w tej dziedzinie prawie nieobecna. Obok szeregu przyczyn utrudniających zastosowanie MOCVD jak np. niskie temperatury topnienia, niepełna piroliza prekursorów, separacja faz czy brak możliwości zastosowania SbH3 jako prekursora antymonu występuje czynnik częściowo z nimi związany i prawie uniemożliwiający otrzymywanie warstw zawierających glin o jakości odpowiedniej do zastosowania w laserach. Czynnik ten ma postać silnego zanieczyszczenia węglem oraz tlenem i prowadzi do występowania wysokiej nieintencjonalnej koncentracji dziurowej [1-3]. Niezamierzona koncentracja typu p w warstwach zawierających więcej niż 60% atomów glinu wśród atomów grupy III przekracza zwykle 2E18 cm-3. Następstwem tych problemów jest prawie całkowity brak doniesień o laserach na GaSb wykonanych przy zastosowaniu MOCVD oraz brak jakiejkolwiek komercjalizacji tej technologii. W jedynym opublikowanym dotychczas przypadku [1] przyrządu o strukturze podobnej do przedstawionej na rys. 1 parametry lasera znacznie odbiegały od parametrów uzyskiwanych w przypadku stosowania MBE i nie przedstawiono trybu pracy ciągłej. Z drugiej strony technologia MOCVD odpowiada znacznie mniej wymagającemu zakresowi ciśnień i pojedynczy proces jest krótszy. W ogólności związana jest z mniejszymi kosztami oraz - jeśli jest już opracowana - z łatwiejszą komercjalizacją. Technologie MBE i MOCVD odpowiadają także różnym warunkom termodynamicznym, w związku z czym zdarza się[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a