Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk

Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

To proste!

zobacz szczegóły

r e k l a m a

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

zobacz szczegóły

Wyniki wyszukiwania

Wyniki 1-3 spośród 3 dla zapytania: authorDesc:"Aleksandra Mirowska"

» Badanie warunków procesów trawienia i polerowania mechaniczno-chemicznego podłoża GaSb o orientacjach [100] i [111]

ANNA BAŃKOWSKA

ALEKSANDRA MIROWSKA

W ostatnich latach wzrosło zainteresowanie przyrządami opartymi na monokryształach GaSb, tj. fotodiodami, diodami elektroluminescencyjnymi (LED’s) oraz laserami. Stosowane są one m.in. w lampach medycznych i czujnikach śladowych ilości gazu [1]. Materiał GaSb należy do grupy materiałów charakteryzujących się niską temperaturą topnienia (GaSb - 710oC czy InSb - 525oC), znaczną kruchością i niską twardością. Odznaczają się także stosunkowo dużą podatnością na utlenianie. Właściwości te sprawiają, że procesy obróbki mechanicznej wymagają specjalnych warunków, w których obrabiany materiał nie będzie pod wpływem czynników mechanicznych i termicznych ulegał destrukcji na znaczną głębokość (cięcie, szlifowanie, krawędziowanie). Również specjalnych warunków wymagają procesy pole[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/1

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Monokryształy antymonku galu (GaSb) otrzymane metodą Czochralskiego

ALEKSANDRA MIROWSKA

WACŁAW ORŁOWSKI

ANNA BAŃKOWSKA

Szybki rozwój technologii w ostatnich latach spowodował wzrost zapotrzebowania na materiały odpowiednie dla układów pracujących na długościach fali powyżej 1,55 μm. Duże nadzieje pokłada się w rozwoju badań nad układami opartymi na GaSb, gdyż związki wieloskładnikowe (potrójne i poczwórne) o dobrym dopasowaniu sieciowym do GaSb wydają się być obiecującymi dla szybkich przyrządów elektronicznych i fotonicznych dla długich fal. Obecny stan technologii GaSb wymaga jeszcze wielu badań zanim będzie możliwe zastosowanie tego materiału do produkcji przyrządów na szerszą skalę. Prowadzone są ciągle zarówno prace badawcze o charakterze badań podstawowych, jak i dotyczące zastosowań tego materiału. Niedomieszkowany antymonek galu niezależnie od metody otrzymywania i warunków techn[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/1

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Zastosowanie technologii MOCVD w dziedzinie laserów antymonkowych z heterozłączem I-go rodzaju

Marek Wesołowski

Włodek Strupinski

Emilia Pruszyńska -Karbownik

Marcin Motyka

Grzegorz Sęk

Anna Wójcik -Jedlińska

Heterozłaczowe lasery pólprzewodnikowe zakresu 1,9…3 μm ze strukturą wykonaną z antymonków są obecnie głównym rodzajem laserów pracujących w tym obszarze widmowym (rys. 1). Zapewniają tryb pracy ciągłej w temperaturze pokojowej oraz względnie wysokie moce. W przeciwieństwie jednak do większości laserów półprzewodnikowych technologia otrzymywania heterostruktur całkowicie zdominowana jest przez epitaksję z wiązek molekularnych (MBE), a technologia epitaksji ze związków metaloorganicznych (MOCVD) jest w tej dziedzinie prawie nieobecna. Obok szeregu przyczyn utrudniających zastosowanie MOCVD jak np. niskie temperatury topnienia, niepełna piroliza prekursorów, separacja faz czy brak możliwości zastosowania SbH3 jako prekursora antymonu występuje czynnik częściowo z nimi związany i prawie uniemożliwiający otrzymywanie warstw zawierających glin o jakości odpowiedniej do zastosowania w laserach. Czynnik ten ma postać silnego zanieczyszczenia węglem oraz tlenem i prowadzi do występowania wysokiej nieintencjonalnej koncentracji dziurowej [1-3]. Niezamierzona koncentracja typu p w warstwach zawierających więcej niż 60% atomów glinu wśród atomów grupy III przekracza zwykle 2E18 cm-3. Następstwem tych problemów jest prawie całkowity brak doniesień o laserach na GaSb wykonanych przy zastosowaniu MOCVD oraz brak jakiejkolwiek komercjalizacji tej technologii. W jedynym opublikowanym dotychczas przypadku [1] przyrządu o strukturze podobnej do przedstawionej na rys. 1 parametry lasera znacznie odbiegały od parametrów uzyskiwanych w przypadku stosowania MBE i nie przedstawiono trybu pracy ciągłej. Z drugiej strony technologia MOCVD odpowiada znacznie mniej wymagającemu zakresowi ciśnień i pojedynczy proces jest krótszy. W ogólności związana jest z mniejszymi kosztami oraz - jeśli jest już opracowana - z łatwiejszą komercjalizacją. Technologie MBE i MOCVD odpowiadają także różnym warunkom termodynamicznym, w związku z czym zdarza się[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a