ROBERT P. SARZAŁA- zobacz i pobierz wszystkie publikacje autora ROBERT P. SARZAŁA w naszych czasopismach

Wyniki 1-5 spośród 5 dla zapytania: authorDesc:"Robert P. Sarzała"

» Mody laserów złączowych z poprzecznym rezonatorem (typu VCSEL)

WŁODZIMIERZ NAKWASKI

ROBERT P. SARZAŁA

MACIEJ KUC

Prawie we wszystkich zastosowaniach laserów złączowych z poprzecznym rezonatorem typu VCSEL (Vertical-Cavity Surface-Emitting Diode Laser), niezbędna jest jego stabilna praca na pojedynczym modzie podstawowym LP01. Dzieje się tak wówczas, gdy laser wykazuje dobrą selektywność modową, tj. progi akcji laserowej wszystkich innych modów są znacząco wyższe od analogicznego progu modu podstawowego. Jednakże okazuje się, że warunek ten jest spełniony tylko w przypadku małych średnic laserowego obszaru czynnego, tj. stosunkowo niskich mocy emitowanej przez laser wiązki promieniowania. W niniejszej pracy zajmiemy się analizą przyczyn takiego stanu. Model Do opisu działania lasera VCSEL zastosowaliśmy nasz dokładny model [1], przygotowany zgodnie z zasadami sformułowanymi w [2], a skł[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/1

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Właściwości cieplne wybranych konstrukcji laserów kaskadowych

MICHAŁ WASIAK

ROBERT P. SARZAŁA

WŁODZIMIERZ NAKWASKI

Lasery kaskadowe są ważnymi (a w często jedynymi) półprzewodnikowymi źródłami promieniowania z zakresu średniej i dalekiej podczerwieni. Ich zasada działania, zasadniczo odmienna niż w przypadku laserów złączowych, pozwala projektować, w dość dużym stopniu niezależnie od użytych materiałów, struktury przystosowane do emisji bardzo różnych długości fal. Obszar czynny laserów kaskadowych musi być silne spolaryzowany, co powoduje, że moce wydzielającego się ciepła są duże. Z tego powodu optymalizacja struktury pod kątem odprowadzania ciepła jest jednym z kluczowych zagadnień, zwłaszcza jeśli celem jest uzyskanie ciągłej akcji laserowej. Struktura kwantowa obszaru czynnego Obszar czynny lasera kaskadowego składa się z kilkudziesięciokrotnie powtórzonych segmentów zbudowanych ze st[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/1

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Próba zniwelowania wpływu naprężeń mechanicznych na działanie azotkowych diod elektroluminescencyjnych

SEWERYN MORAWIEC

ROBERT P. SARZAŁA

WŁODZIMIERZ NAKWASKI

Azotek galu (GaN) umożliwił wytwarzanie półprzewodnikowych emiterów promieniowania, tj. diod elektroluminescencyjnych i laserów złączowych, emitujących w temperaturze pokojowej wydajne promieniowanie niebieskie, fioletowe, a nawet z zakresu bliskiego nadfioletu. Wypełnił on istotną lukę w ofercie tych przyrządów umożliwiając skompletowanie pełnej gamy barw emitowanych przez te przyrządy, a dodatkowo pozwolił produkować źródła światła białego. Jednakże poważną wadą tego materiału są jego silne własności piezoelektryczne, tj. indukowanie w jego obszarze silnych pól elektrycznych pod wpływem naprężeń mechanicznych. W wielowarstwowych strukturach nowoczesnych przyrządów półprzewodnikowych naprężenia machaniczne są nie do uniknięcia, co pociaga za sobą określone zmiany ich działania. Niniejsza praca jest poświęcona próbie zaproponowania takich zmian strukturalnych przyrządów azotkowych, dzięki którym będzie można znacznie zredukować szkodliwy wpływ zjawisk piezoelektrycznych. Kwantowy efekt starka Różnice w stałych sieci kolejnych warstw wielowarstwowych struktur nowoczesnych przyrządów azotkowych powodują powstanie naprężeń mechanicznych. W wyniku własności piezoelektrycznych materiałów azotkowych, efektem tych naprężeń staje się nieciągłość polaryzacji na granicach warstw, a w konsekwencji - powstanie w tych miejscach zlokalizowanych ładunków indukujących wewnętrzne pole elektryczne. Szczególnie w przypadku studni kwantowych (rys. 1), efektem polaryzacyjnego działania zjawisk piezoelektry[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/9

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Lasery z obszarami czynnymi z rozcieńczonych azotków wytworzone na podłożu InP emitujące w zakresie średniej podczerwieni

Robert P. Sarzała

Paweł Szczerbiak

Robert Kudrawiec

Spektralny zakres średniej (mid-infrared) podczerwieni (2…10 μm), cieszy się ostatnio stale wzrastającym zainteresowaniem fizyków i technologów z uwagi na możliwość zastosowania go do zdalnego monitoringu zanieczyszczeń powietrza, laserowej spektroskopii, diagnostyki medycznej, pomiarów termowizyjnych i bezprzewodowej łączności optycznej. Powyższe ogromne możliwości zastosowań źródeł promieniowania średniej podczerwieni spowodowały proporcjonalne do nich stale rosnące zainteresowanie światowych technologicznych i naukowych centrów produkcji przyrządów półprzewodnikowych. Jednakże nie zaowocowało ono dotychczas pojawieniem się na rynku komercyjnym odpowiednio efektywnych i tanich emiterów promieniowania w tym zakresie spektralnym. Lasery emitujące powyżej 2 μm można uzyskać w technologii opartej na GaSb [1] jednak koszt podłoża GaSb znacznie przewyższa koszt podłoża InP (wykorzystywanego w bardzo dobrze poznanej i opanowanej technologii fosforkowej) i dlatego przemysł półprzewodnikowy jest mocno zainteresowany zastąpieniem trudnej technologii opartej na GaSb tańszą i łatwiejszą technologią opartą na InP. Dotyczy to zarówno laserów emitujących w zakresie spektralnym 2,0…2,8 μm, które są już dobrze opanowane w technologii GaSb, jak i laserów emitujących w obszarze długości fal powyżej 3 μm, gdzie cały czas jest bardzo trudno uzyskać wystarczająco dobre parametry pracy laserów antymonkowych. W przypadku tego drugiego zakresu duże nadzieje wiąże się z laserami kaskadowymi. Jednak stopień skomplikowania struktur laserów kaskadowych jest dużo większy [2] niż klasycznych laserów krawędziowych ze studniami kwantowymi pierwszego typu i dlatego lasery te mogą być konkurencyjne w stosunku do klasycznych laserów tylko wtedy, kiedy ich parametry (moc, prąd progowy, itp.) będą dużo korzystniejsze niż w przypadku laserów krawędziowych, co jest jak na razie trudne do osiągnięcia. Podstawową barierą na drodze ek[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Model diody elektroluminescencyjnej z ZnO

PIOTR KOWALCZEWSKI

ZnO jest nowym materiałem o cechach umożliwiających wytwarzanie wydajnych diod elektroluminescencyjnych (diod LED). Jego cechy szczególne są następujące: - heksagonalna, gęsto upakowana struktura wurcytu, - anizotropowość parametrów mechanicznych, cieplnych, elektrycznych i optycznych, - silne efekty pyro- i piezoelektryczne, tj. pojawianie się różnic potencjału pod wpływem odpowiednio zmian temperatury i naprężeń mechanicznych, - niska ruchliwość dziur, - kłopoty ze znalezieniem odpowiedniej domieszki akceptorowej. Pierwsze diody ZnO były wykonywane na podłożach GaAs, Si i Al2O3, jednakże największe nadzieje należy wiązać z możliwością użycia naturalnych podłoży ZnO [1]. Wszystkie znane diody ZnO emitowały promieniowanie o długości fali z zakresu 370…380 nm (odpowiadające mniej więcej energii przerwy energetycznej ZnO) oraz szerokie pasmo w przedziale 450…600 nm, związane najprawdopodobniej z defektami struktury. Obecnie ZnO wydaje się być najpoważniejszym konkurentem GaN w produkcji diod LED emitujących promieniowanie ultrafioletowe. Składa się na to szereg przyczyn, z których kluczowymi dla produkcji tych diod są: - wysoka energia wiązania ekscytonów (~ 60 meV [2]) prawie 2,5 razy większa niż w GaN i około 15 razy większa niż w GaAs, umożliwiająca ich wydajną rekombinację (prawdopodobieństwo rekombinacji ekscytonowej [3] jest znacznie wyższe od prawdopodobieństwa rekombinacji elektron-dziura) nawet w temperaturach znacznie wyższych od pokojowej, gdyż temperaturze pokojowej 300 K odpowiada energia wzbudzeń termicznych kBT ≈ 26 meV, - prosta szeroka prz[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/9

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a