Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk

Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

To proste!

zobacz szczegóły

r e k l a m a

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

zobacz szczegóły

Wyniki wyszukiwania

Wyniki 1-2 spośród 2 dla zapytania: authorDesc:"Robert Kudrawiec"

» Lasery z obszarami czynnymi z rozcieńczonych azotków wytworzone na podłożu InP emitujące w zakresie średniej podczerwieni

Robert P. Sarzała

Paweł Szczerbiak

Robert Kudrawiec

Spektralny zakres średniej (mid-infrared) podczerwieni (2…10 μm), cieszy się ostatnio stale wzrastającym zainteresowaniem fizyków i technologów z uwagi na możliwość zastosowania go do zdalnego monitoringu zanieczyszczeń powietrza, laserowej spektroskopii, diagnostyki medycznej, pomiarów termowizyjnych i bezprzewodowej łączności optycznej. Powyższe ogromne możliwości zastosowań źródeł promieniowania średniej podczerwieni spowodowały proporcjonalne do nich stale rosnące zainteresowanie światowych technologicznych i naukowych centrów produkcji przyrządów półprzewodnikowych. Jednakże nie zaowocowało ono dotychczas pojawieniem się na rynku komercyjnym odpowiednio efektywnych i tanich emiterów promieniowania w tym zakresie spektralnym. Lasery emitujące powyżej 2 μm można uzyskać w technologii opartej na GaSb [1] jednak koszt podłoża GaSb znacznie przewyższa koszt podłoża InP (wykorzystywanego w bardzo dobrze poznanej i opanowanej technologii fosforkowej) i dlatego przemysł półprzewodnikowy jest mocno zainteresowany zastąpieniem trudnej technologii opartej na GaSb tańszą i łatwiejszą technologią opartą na InP. Dotyczy to zarówno laserów emitujących w zakresie spektralnym 2,0…2,8 μm, które są już dobrze opanowane w technologii GaSb, jak i laserów emitujących w obszarze długości fal powyżej 3 μm, gdzie cały czas jest bardzo trudno uzyskać wystarczająco dobre parametry pracy laserów antymonkowych. W przypadku tego drugiego zakresu duże nadzieje wiąże się z laserami kaskadowymi. Jednak stopień skomplikowania struktur laserów kaskadowych jest dużo większy [2] niż klasycznych laserów krawędziowych ze studniami kwantowymi pierwszego typu i dlatego lasery te mogą być konkurencyjne w stosunku do klasycznych laserów tylko wtedy, kiedy ich parametry (moc, prąd progowy, itp.) będą dużo korzystniejsze niż w przypadku laserów krawędziowych, co jest jak na razie trudne do osiągnięcia. Podstawową barierą na drodze ek[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Spektroskopia modulacyjna nanostruktur półprzewodnikowych w zakresie bliskiej i średniej podczerwieni

JAN MISIEWICZ

MARCIN MOTYKA

GRZEGORZ SĘK

ROBERT KUDRAWIEC

Grupa Optycznej Spektroskopii Nanostruktur (OSN) Instytutu Fizyki Politechniki Wrocławskiej ma szerokie doświadczenie w badaniu i charakteryzacji niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych w szczególności przeznaczonych na zakres bliskiej i średniej podczerwieni. Przede wszystkim dotyczy to spektroskopii fotoodbiciowej (lub fototransmisyjnej) i bezkontaktowego elektroodbicia [1-5]. Metody te pozwalają wyznaczać widma optyczne dostarczające informacji o przejściach optycznych, analogicznie do widm absorpcji. Dzięki ich różniczkowemu charakterowi cechuje je jednak znacznie większa czułość, co pozwala na obserwację przejść z udziałem stanów wzbudzonych, w tym tych o bardzo niskiej intensywności jak np. przejścia nominalnie zabronione przez reguły wyboru. Takie podejście ekspery[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009/5

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a