JACEK MARCZEWSKI- zobacz i pobierz wszystkie publikacje autora JACEK MARCZEWSKI w naszych czasopismach

Wyniki 1-3 spośród 3 dla zapytania: authorDesc:"JACEK MARCZEWSKi"

» Objętościowe detektory krzemowe promieniowania jonizującego - rola warstwy zubożonej

Silicon detectors of ionizing radiation have played a signifi- cant role in high-energy physics experiments for some time already, and for the last ten years in other areas like space and medical applications. The detectors are very sensitive to low energy photons and charged particles. Silicon, due to its high density easily absorbs radiation. The detectors are relatively fast (order of nan[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008/3

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Budowa zbiornika wodnego Świnna Poręba

IRENEUSZ ANKIERSZTEJN

JACEK MARCZEWSKI

Budowany od 1986 r. zbiornik wodny Świnna Poręba z przekrojem piętrzenia w km. 26,6 biegu Skawy, wykonywany na podstawie projektów i pod nadzorem Hydroprojektu Sp. z o.o., znajduje się w ostatniej fazie realizacji. Na obiektach przekroju piętrzenia prowadzone są prace wykończeniowe oraz montaż i rozruch urządzeń. Roboty pozostające do wykonania są związane z przygotowaniem czaszy zbiornika do zalewu, w tym budowy obwałowań w części cofkowej oraz nasypów i obiektów inżynieryjnych przebudowywanej drogi krajowej nr 28 i przekładanej linii kolejowej na odcinku Stryszów-Zembrzyce. ■ Charakterystyka obiektów przekroju piętrzenia Zapora ziemna □ korpus zapory wykonano ze żwiru i otoczaków, zalegających w czaszy zbiornika; □ uszczelnienie korpusu stanowi rdzeń z gliny usytuowany w osi zapory, posadowiony na galerii kontrolno-zastrzykowej; □ skalne podłoże zapory uszczelniono przesłoną cementacyjną wykonaną z galerii kontrolno-zastrzykowej, a na przyczółkach z powierzchni terenu; □ ubezpieczenie skarpy odwodnej - płyty betonowe z pasem narzutu kamiennego przyspieszającego wyrównywanie się poziomów wody w zbiorniku i w odwodnej części korpusu zapory; □ ubezpieczenie skarpy odpowietrznej - obsiew mieszanką traw na humusie urozmaicony kępami krzewów i drzew; □ drenaż zapory - kamienny i rurowy ze studniami kontrolnymi; przewiduje się, że drenaż będzie obniżał wodę w odpowietrznej części korpusu zapory jedynie w sytuacjach nadzwyczajnych, np. przy dłużej trwających poziomach piętrzenia zbiornika zbliżonych do Max PP lub w wypadku lokalnego rozszczelnienia przesłony cementacyjnej; □ aparatura kontrolno-pomiarowa do oceny zjawisk filtracji w korpusie i pod- Fot. 1. Widok zapory czołowej od wody dolnej FOTO HYDROPROJEKT SP. Z O.O. łożu zapory (piezometry otwarte i zamknięte) oraz do pomiaru przemieszczeń bezwzględnych i względnych (repery i szczelinomie[...] więcej»
w zeszycie GOSPODARKA WODNA 2011/9

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Implementation of FD SOI CMOS technology in ITE

KRZYSZTOF KUCHARSKI

Fully-depleted silicon-on-insulator (FD SOI) CMOS technology is widely used for fabrication of low-power, low-voltage CMOS integrated circuits (ICs) [1]. Interest in SOI CMOS technology in ITE dates to the late 90s. Different aspects of SOI technology have been considered, e.g. modelling of PD SOI MOSFETs, as well as integration of CMOS on thick SOI substrates with p-n junction based detectors of ionizing radiation [2, 3]. Recent works also comprise development of FinFET-type devices for application as chemical detectors [4]. Thus a variety of SOI CMOS technologies are under continuous development. These applications, except for the FinFET-based one, have not taken advantages of FD SOI technology: better channel operation control by gate voltage, better subthreshold I-V characteristics, lower p-n junction area and capacitance, thus lower leakage, power consumption and higher speed, as well as wider range of temperature operation. In order to fill this gap, a collaboration with UCL has been undertaken, and supported by TRIADE project [5]. The collaboration aims at transferring the FD SOI CMOS technology, originally developed at UCL [1], to ITE. Main features of this process are as follows: supply voltage 3 V, threshold voltage 0.3 V, and min poly-silicon gate width 1.5 μm. In the sections below issues related to the task mentioned above are reported. SOI substrates A recommended method for fabrication of high-quality 4-inch SOI substrates (requirement of ITE facilities) consists in laser cutting of the 200 mm UNIBOND SOI wafers manufactured originally by SOITEC. At present they represent the top quality with respect to thin silicon layer properties (crystallography, Si/SiO2 interface quality, thickness, and its uniformity), which are very relevant for manufacturing of the FD SOI CMOS devices. Method and equipment for laser cutting of 200 mm wafers have been developed in ITE. In Fig.1. the way, in which the 200 mm SOI U[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/3

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a