Największa baza artykułów technicznych online - aktualnie 66233 publikacje.
Zaawansowane »          English [ENGLISH]
  • Aktualności
  • Prenumerata papierowa
  • Baza publikacji
  • Dostęp czasowy
  • KatalogFirm
  • O Wydawnictwie
profil Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk
  Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

zegar

To proste!

zobacz szczegóły
r e k l a m a
FAIL (the browser should render some flash content, not this).

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

baza zobacz szczegóły

Wyniki wyszukiwania

Wyniki 1-4 spośród 4 dla zapytania: authorDesc:"ANNA SAWICKA"

» Modelowanie wybranych efektów krótkiego kanału w dwubramkowym tranzystorze MOS
ANNA SAWICKA  LIDIA ŁUKASIAK  ANDRZEJ JAKUBOWSKI  
Dotychczasowy rozwój technologii CMOS był możliwy głównie dzięki zmniejszaniu wymiarów tranzystorów (zarówno poziomych, jak i pionowych). Konsekwencją miniaturyzacji jest jednak coraz silniejszy wpływ efektów pasożytniczych (np. upływność dielektryka bramkowego, efekty krótkiego kanału, wzrost pojemności wewnętrznych przyrządów), zwiększenie komplikacji procesu wytwarzania oraz gwałtowny wzr[...] więcej»
 w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008/9


 

» Model prądu drenu i pojemności w dwubramkowym tranzystorze MOS o krótkim kanale
ANNA SAWICKA  LIDIA ŁUKASIAK  ANDRZEJ JAKUBOWSKI  DANIEL TOMASZEWSKI  
Dwubramkowe tranzystory MOS SOI (DGMOSFET) z niedomieszkowanym kanałem uważane są za jedne z najbardziej obiecujących struktur, jeżeli chodzi o skalowanie przyrządów MOS do długości kanału w zakresie 10-50 nm [1, 2]. Zastosowanie symetrycznych tranzystorów dwubramkowych z bardzo cienkimi warstwami obszaru aktywnego i tlenku bramkowego umożliwia minimalizację pasożytniczych efektów krótkiego kanału, dzięki czemu silne i niejednorodne domieszkowanie kanału tranzystora nie jest już potrzebne. Brak intencjonalnie wprowadzonych atomów domieszek powoduje zmniejszenie rozpraszania, a tym samym poprawę ruchliwości oraz eliminuje fluktuacje koncentracji domieszek. Opracowanie dokładnych modeli fizycznych takich tranzystorów jest niezbędne dla symulacji układowych. W literaturze zaproponowano już kilka modeli charakterystyk tranzystora dwubramkowego. Modele oparte na potencjale powierzchniowym można znaleźć np. w [3] i [4]. Modele długokanałowe przedstawiono np. w [5] i [6]. Modyfikacja modelu [6] polegająca na uproszczeniu sposobu obliczania ładunku została wprowadzona w [7], a efekty krótkiego kanału uwzględniono np. w [8] i [9]. Niestety, żaden z wymienionych tu modeli nie obejmuje wszystkich istotnych efektów krótkiego kanału. W [10] przedstawiono nowy opis charakterystyk prądowonapięciowych dwubramkowego tranzystora MOS (oparty na modelu [6]) zawierający następujące efekty krótkiego kanału: nasycenie prędkości nośników, modulację długości kanału, obniżenie wysokości bariery indukowane napięciem drenu, wzrost gęstości ładunku w kanale indukowany napięciem drenu (DICE - opisany po raz pierwszy w [11]) i zależność napięcia progowego od długości kanału. Następnie zbadano wpływ wymienionych powyżej efektów na charakterystyki I-U, a otrzymane rezultaty porównano z wynikami symulacji przeprowadzonych za pomocą pakietu ATLAS. W niniejszej pracy model [10] uzupełniono o opis ładunków w kanale tranzystora oraz pojemności wewnętrznych tra[...] więcej»
 w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/2


 

» Modelowanie prądu pompowania ładunku w dwubramkowych strukturach MOS z bardzo cienką warstwą aktywną
LIDIA ŁUKASIAK  DANIEL TOMASZEWSKI  ANNA SAWICKA  GRZEGORZ GŁUSZKO  MARCIN IWANOWICZ  ANDRZEJ JAKUBOWSKI  
Przez ostatnie 50 lat postęp w mikroelektronice krzemowej odbywał się głównie dzięki miniaturyzacji. Już w latach 70. ubiegłego stulecia zauważono [1,2], że zmniejszaniu wymiarów poziomych musi towarzyszyć redukcja wymiarów pionowych (tj. grubości tlenku bramkowego, głębokości złączy itd.). W przeciwnym przypadku tzw. efekty krótkiego kanału mają niekorzystny wpływ na charakterystyki elektry[...] więcej»
 w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008/9


 

» Modeling the ballistic and tunnel source-drain currents in Silicon Nanowire MOSFETs
ANNA SAWICKA  BOGDAN MAJKUSIAK  TATSUHIRO NUMATA  SHIGEYASU UNO  GENNADY MILNIKOV  NOBUYA MORI  
Silicon nanowire MOSFETs due to excellent controllability of the channel by the gate electrode are promising as next generation device structures for further CMOS scaling. Nanowire MOSFETs have been extensively investigated and both compact and numerical models of ballistic current have been reported [1, 2]. However, modelling of only the ballistic component of the current is not sufficient. If the channel is short enough, the tunnel component becomes significant. Silicon nanowire MOSFET structure We assume a simple square cross section Si nanowire N-MOSFET structure (Fig. 1) with an intrinsic channel, midgap gate and SiO2 as a gate dielectric, source and drain doping concentration ND = 10 20 cm-3. Due to strong quantum confinement in a very narrow (3…5 nm) nanowire cross section, transport occurs along onedimensional subbands. The 1D subbands profiles for all six silicon energy valleys and for the lowest quantum numbers were extracted from results of the NEGF simulations and the transfer matrix (TM) method was applied to calculate the source-drain current. Ballistic current was calculated by integrating current contributions for energies above the top of the potential bar[...] więcej»
 w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/3


 

 Strona 1 
r e k l a m a
FAIL (the browser should render some flash content, not this).

Nasze czasopisma

kofeina biogaz pasteryzacja przemysł chemiczny tworzywa sztuczne chromatografia kontakt tłuszcz znakowanie bezpieczeństwo żywności Kociołek-Balawejder antocyjany przeciwutleniacze herbata soki owocowe gmo tłuszcze błonnik ciecze jonowe mleko suplementy diety osady ściekowe przegląd elektrotechniczny bhp barwniki mikrokapsułkowanie wino ocena ryzyka aluminium hydrokoloidy Aura Opakowanie opakowania karotenoidy 7 korozja Gospodarka wodna pompy ciepła cement pompa ciepła owies informacje dla autorów konserwanty ekstrakcja led mąka kolektory słoneczne six sigma problemy jakości czekolada żywność funkcjonalna nanotechnologia soja BRC kosmetyki skrobia jęczmień audit polifenole szkło pszenica jakość żywności jogurt jakość ocena ryzyka zawodowego haccp polimery kanalizacja inżynieria materiałowa praca materiały budowlane Gluten przegląd mleczarski kawa hutnik przemysł spożywczy orkisz tytan skrobia modyfikowana rfid 6 liofilizacja żywność enzymy mięso kompozyty biopaliwa chłodnictwo opakowania inteligentne probiotyki przegląd papierniczy miód magnez opakowania aktywne olej olej rzepakowy metale ciężkie napoje energetyzujące nanomateriały piwo biomasa makaron chleb elektronika dodatki do żywności logistyka gryka pestycydy ryzyko zawodowe fermentacja pieczywo żyto miedź prebiotyki aronia inulina servqual wentylacja recykling iso atest odpady drób napoje funkcjonalne transport biofilm mrożonki FMEA kwasy tłuszczowe jakość usług analiza sensoryczna iso 9001 ekstruzja biodiesel kukurydza cukier suszenie innowacje woda pszenżyto owoce IFS żywność wygodna witamina c kaizen piroliza wołowina masło utrwalanie żywności lody sól drożdże audyt prenumerator ścieki surfaktanty błonnik pokarmowy koszty jakości soki ryż żywność ekologiczna oczyszczanie ścieków tqm witaminy ochrona przed korozją OŁÓW zarządzanie jakością opakowania szklane zioła dioksyny zeolity napoje kakao sieci neuronowe transglutaminaza wzbogacanie żywności aromaty substancje dodatkowe przyprawy reologia celuloza ryby tekstura akryloamid sok mleczarstwo bioetanol iso 22000 Manufacturing Process Automation białka serwatkowe czosnek gospodarka mięsna owoce jagodowe produkcja piwa mikotoksyny akrylamid polichlorowane bifenyle antyoksydanty PET kasza

Budownictwo i Geodezja

Elektronika, Energetyka, Elektrotechnika

Hutnictwo, Górnictwo

Przemysł lekki

Przemysł spożywczy i gastronomia

Inne gałęzie przemysłu

Tematyka ogólnotechniczna

Czasopisma wielobranżowe
platnosci
O Wydawnictwiestr Prenumeratastr Reklamastr Drukarniastr Kolportażstr Regulamin Usługstr Englishstr
© 2006-2012 Wydawnictwo SIGMA-NOT Sp. z o.o. Wszelkie prawa zastrzeżone
projekt, wykonanie, obsługa: Pragma Software
b